一种正装LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种正装LED芯片，包括衬底、发光结构、电极结构、半遮挡金属层、保护层和反射层；所述发光结构设于衬底上，所述电极结构设于发光结构上，所述电极结构包括第一电极和第二电极，所述半遮挡金属层设于第二电极与发光结构之间，所述保护层覆盖在电极结构以外的发光结构和半遮挡金属层上，所述反射层设置在保护层上；所述半遮挡金属层由金属制成，其透光率为40％～60％；所述反射层由透光材料制成，其反射率为50％～80％；有源层发出的光经过半遮挡层和反射层出射，芯片轴向出光减少，发光角度增大。

【技术实现步骤摘要】
一种正装LED芯片
本技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种正装LED芯片。
技术介绍
LED作为新一代的固态光源，具有节能环保、高光效、使用寿命长、稳定性高等优点。参见图1，现有的正装LED芯片包括衬底10、设于衬底10上的第一半导体层21、设于第一半导体层21上的有源层22和第一电极25、设于有源层22上的第二半导体层23、以及设于第二半导体层23上的第二电极24。其中，有源层22发出的光从背向衬底10一侧出射，现有的正装LED芯片，其发光角度最大只能达到130度，难以满足客户需要。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于，提供一种正装LED芯片，结构简单，发光角度大。为了解决上述技术问题，本技术提供了一种正装LED芯片，包括衬底、发光结构、电极结构、半遮挡金属层、保护层和反射层；所述发光结构设于衬底上，所述电极结构设于发光结构上，所述电极结构包括第一电极和第二电极，所述半遮挡金属层设于第二电极与发光结构之间，所述保护层覆盖在电极结构以外的发光结构和半遮挡金属层上，所述反射层设置在保护层上；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种正装LED芯片，其特征在于，包括衬底、发光结构、电极结构、半遮挡金属层、保护层和反射层；/n所述发光结构设于衬底上，所述电极结构设于发光结构上，所述电极结构包括第一电极和第二电极，所述半遮挡金属层设于第二电极与发光结构之间，所述保护层覆盖在电极结构以外的发光结构和半遮挡金属层上，所述反射层设置在保护层上；/n所述半遮挡金属层由金属制成，其透光率为40％～60％；/n所述保护层由透光的绝缘材料制成；/n所述反射层由透光材料制成，其反射率为50％～80％；/n有源层发出的光经过半遮挡层和反射层出射，芯片轴向出光减少，发光角度增大。/n

【技术特征摘要】
1.一种正装LED芯片，其特征在于，包括衬底、发光结构、电极结构、半遮挡金属层、保护层和反射层；
所述发光结构设于衬底上，所述电极结构设于发光结构上，所述电极结构包括第一电极和第二电极，所述半遮挡金属层设于第二电极与发光结构之间，所述保护层覆盖在电极结构以外的发光结构和半遮挡金属层上，所述反射层设置在保护层上；
所述半遮挡金属层由金属制成，其透光率为40％～60％；
所述保护层由透光的绝缘材料制成；
所述反射层由透光材料制成，其反射率为50％～80％；
有源层发出的光经过半遮挡层和反射层出射，芯片轴向出光减少，发光角度增大。


2.如权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述半遮挡金属层由银、铝和金中的一种制成，其厚度为10～100埃。


3.如权利要求1所述的正装LED芯片，其特征在于，所述反射层由若干对反射膜组组成，所述反射膜组由第一膜层和第二膜层组成，所述第一膜层的折射率低于第二膜层的折射率。
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【专利技术属性】
技术研发人员：仇美懿，庄家铭，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44