使用挠性电路技术形成参考电极通道的方法和装置制造方法及图纸

形成传感器的方法，其可以包括在衬底的第一部分之上应用第一传导材料以形成参考电极和在衬底上放置第一掩模，第一掩模具有暴露参考电极和衬底之第二部分的开口。该方法还包括将第二传导材料放置第一掩模中的开口里，第二传导材料直接与参考电极接触，以及将第二掩模放置在第二传导材料之上，第二掩模在衬底的第二部分之上具有开口，开口暴露第二传导材料之一部分，其形成工作表面以接受目标流体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
0002本专利技术总体上涉及挠性电路技术(flex circuit technology)。更 加具体地，本专利技术涉及使用挠性电路技术形成参考电极通道(reference electrode channel )。
技术介绍
0003挠性电路技术被应用在微电子工业很多年。在近几年，挠性电 路被用于设计在体内应用的微电极。 一个挠性电路设计包括在柔软电介 质衬底(dielectric substrate)(例如聚酰亚胺)上的叠片——传导箔片(例如，铜)。使用掩模(masking)和光刻(photolithography )技术， 在传导箔片上形成挠性电路。由于挠性电路的低生产成本，易于设计集 成以及在移动应用上的灵活性，因此其为期望的。专利技术概述0004本专利技术涉及形成传感器的方法，其可以包括在衬底(substrate) 的第一部分(first portion)上应用第一传导材料(first conductive material) 以形成参考电极(reference electrode)并且在衬底之上放置第一掩模(first mask),第一掩模具有暴露参考电极和衬底的第二部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
形成传感器的方法，包括：　在衬底之第一部分上应用第一传导材料，以形成参考电极；　在衬底之上放置第一掩模，第一掩模具有开口，该开口暴露出参考电极和衬底之第二部分；　将第二传导材料放置到第一掩模中的开口里，第二传导材料直接与参考电极相接触；和　在第二传导材料之上放置第二掩模，第二掩模在第二部分衬底之上具有开口，该开口暴露第二传导材料之一部分，其形成工作表面以接受目标流体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：KM柯里，
申请(专利权)人：爱德华兹生命科学公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]