一种硫酸盐修饰钙钛矿薄膜、制备方法及其应用技术

本发明专利技术公开了一种硫酸盐修饰钙钛矿薄膜制备方法，属于半导体材料技术领域。包括以下步骤：将纯硫酸和辛胺分别均匀分散于反溶剂中，配制成浓度为1～32mM的A溶液和浓度为2～64mM的B溶液；将A溶液与B溶液按溶质物质的量比1:1～1.5混合反应，得到硫酸辛胺‑反溶剂溶液；将硫酸辛胺‑反溶剂溶液均匀涂覆于钙钛矿薄膜表面，静置3～60s后，即在钙钛矿薄膜表面获得硫酸盐修饰钙钛矿薄膜。本发明专利技术通过在钙钛矿薄膜表面均匀涂覆硫酸辛胺‑反溶剂后，静置反应，可以使硫酸根与铅离子原位反应以有效实现对薄膜表面的缺陷的钝化，硫酸根与铅离子以强化学键作用结合，避免了传统有机小分子配位后易流失的现象，实现了薄膜稳定性及发光性能的同时提高。

【技术实现步骤摘要】
一种硫酸盐修饰钙钛矿薄膜、制备方法及其应用
本专利技术属于半导体材料
，具体涉及一种硫酸盐修饰钙钛矿薄膜、制备方法及其应用。
技术介绍
目前，钙钛矿发光二极管所面临的稳定性差和载流子缺陷复合严重等问题，阻碍了其实用化进程，因此，如何进一步提高钙钛矿发光二极管稳定性和发光效率成为急需解决的关键问题。为了实现上述目的，本领域技术人员在制备钙钛矿发光二极管过程中，通常采用浸泡的或者将小分子通过前驱体引入的方法对钙钛矿表面进行修饰，来提高钙钛矿发光二极管稳定性和发光效率，虽可在小面积区域得到一个具疏水性的钙钛矿薄膜，但是这种方法存在一些缺陷，不利于钙钛矿薄膜的大面积制备，且小分子通过前驱体引入过程复杂，同时引入的小分子与钙钛矿键合作用弱、在高电场强度及高温下不稳定等，且为了有效钝化晶体中的缺陷，常常需要引入过量的小分子，这在一定程度上造成了薄膜导电性的下降。为此，本专利技术提供一种硫酸铅无机盐修饰钙钛矿薄膜的方法，避免了传统有机小分子配位后易流失的现象，同时，适用于大面积钙钛矿薄膜的修饰。
技术实现思路
<br>本专利技术的目本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硫酸盐修饰钙钛矿薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n将纯硫酸和辛胺分别均匀分散于反溶剂中，配制成浓度为1～32mM的A溶液和浓度为2～64mM的B溶液；/n将A溶液与B溶液按溶质物质的量比1:1～1.5混合反应，得到硫酸辛胺-反溶剂溶液；/n将硫酸辛胺-反溶剂溶液均匀涂覆于钙钛矿薄膜表面，静置3～60s后，即在钙钛矿薄膜表面获得硫酸盐修饰钙钛矿薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种硫酸盐修饰钙钛矿薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将纯硫酸和辛胺分别均匀分散于反溶剂中，配制成浓度为1～32mM的A溶液和浓度为2～64mM的B溶液；
将A溶液与B溶液按溶质物质的量比1:1～1.5混合反应，得到硫酸辛胺-反溶剂溶液；
将硫酸辛胺-反溶剂溶液均匀涂覆于钙钛矿薄膜表面，静置3～60s后，即在钙钛矿薄膜表面获得硫酸盐修饰钙钛矿薄膜。


2.根据权利要求1所述的硫酸盐修饰钙钛矿薄膜制备方法，其特征在于，所述反溶剂包括乙酸乙酯、氯苯、氯仿、甲苯、异丙醇中的一种或多种。


3.根据权利要求1所述的硫酸盐修饰钙钛矿薄膜制备方法，其特征在于，所述钙钛矿薄膜的分子通式为My-A1+zBX3+z；
其中，0≤y≤1，0≤z≤1.5；
M为小分子添加剂；
A为CH3NH3+、HC(＝NH)NH2+、Cs+、PEA+中的一种或多种；
B为...

【专利技术属性】
技术研发人员：王红月，魏洋，郭洋阳，李慧鑫，唐博，王洪强，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61