自发光元件及其制造方法以及自发光显示装置、电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供自发光元件及其制造方法以及自发光显示装置、电子设备。抑制有机EL元件的发光效率降低，实现长寿命化。具备：像素电极(11)、配置在所述像素电极(11)上方的有机发光层(14)、配置在所述有机发光层(14)上方并掺杂有低功函数的金属的电子输送层(23)、以及配置在所述电子输送层23上方的对向电极(18)，所述电子输送层(23)具有依次层叠了第一层部分(15)、第二层部分(16)和第三层部分(17)的三层结构，第二层部分(16)的金属掺杂浓度低于第一层部分(15)和第三层部分(17)各自的金属掺杂浓度。

【技术实现步骤摘要】
自发光元件及其制造方法以及自发光显示装置、电子设备
本专利技术涉及一种有机电致发光元件(以下称为“有机EL元件”)等自发光元件和其制造方法、以及将在基板上呈矩阵状配置所述自发光元件的自发光面板用作图像显示单元的自发光显示装置、电子设备。
技术介绍
近年来，作为发光型显示器，在基板上沿矩阵方向排列多个有机EL元件的有机EL面板已被实际用作电子设备的显示器。有机EL元件是电流驱动型自发光元件：具有在阳极和阴极一对电极对之间配设包含有机发光材料的有机发光层的基本结构，驱动时向一对电极对之间施加电压，伴随复合从阳极向有机发光层注入的空穴与从阴极向有机发光层注入的电子，产生所述电流。通常，在这样的有机EL面板中，为了提高从阴极向有机发光层的电子的注入性，在阴极和有机发光层之间设置电子输送层。为了通过光的干涉效应提高光提取，使用银等的金属薄膜或IZO等的透明金属氧化物膜作为阴极，但是由于这些阴极和有机发光层的LUMO能级之间存在差，能量势垒大，所以不能认为电子注入性良好。此外，例如，专利文献1中公开了一种在形成电子输送层的有机层中掺杂碱金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自发光元件，其特征在于，具备：/n第一电极、/n配置在所述第一电极上方的发光层、/n配置在所述发光层上方并掺杂有金属的功能层、以及/n配置在所述功能层上方的第二电极，/n所述功能层具有三层以上的多层结构，其最上层和最下层之间的中间层的金属掺杂浓度低于所述最上层和所述最下层的金属掺杂浓度。/n

【技术特征摘要】
20190315 JP 2019-048786;20191122 JP 2019-2114451.一种自发光元件，其特征在于，具备：
第一电极、
配置在所述第一电极上方的发光层、
配置在所述发光层上方并掺杂有金属的功能层、以及
配置在所述功能层上方的第二电极，
所述功能层具有三层以上的多层结构，其最上层和最下层之间的中间层的金属掺杂浓度低于所述最上层和所述最下层的金属掺杂浓度。


2.根据权利要求1所述的自发光元件，其特征在于，
所述第一电极是阳极，所述第二电极是阴极，掺杂在所述功能层中的金属是选自属于碱金属、碱土金属和稀土金属的金属组中的一者或两者以上的金属。


3.根据权利要求1或2所述的自发光元件，其特征在于，
所述功能层包含具有电子输送性和/或电子注入性的有机材料作为主体材料。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的自发光元件，其特征在于，
所述中间层包括未掺杂有所述金属的非掺杂层。


5.根据权利要求4所述的自发光元件，其特征在于，
所述非掺杂层的膜厚是5nm以上。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的自发光元件，其特征在于，
所述功能层是三层结构。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的自发光元件，其特征在于，
所述功能层的所述最下层和所述最上层的各层的膜厚是5nm以上且30nm以下。


8.根据权利要求1至7中任一项所述的自发光元件，其特征在于，
所述功能层的所述最下层和所述最上层中的各层的金属掺杂浓度是10wt％以上且60wt％以下。


9.根据权利要求1至8中任一项所述的自发光元件，其特征在于，
所述功能层的所述最下层的金属掺杂浓度高于所述最上层的金属掺杂浓度。


10.一种自发光元件，其特征在于，具备：
...

【专利技术属性】
技术研发人员：辻村裕纪，横田和弘，白波濑英幸，米田和弘，
申请(专利权)人：株式会社日本有机雷特显示器，
类型：发明
国别省市：日本;JP