发光器件和包括该发光器件的平板显示设备制造技术

提供了一种发光器件和一种包括该发光器件的平板显示设备。所述发光器件包括：多个第一电极，分别位于第一子像素、第二子像素和第三子像素中；第二电极，面对所述多个第一电极；第一发射层，位于第一子像素中，并被配置为发射第一颜色光；第二发射层，位于第二子像素中，并被配置为发射第二颜色光；第一层，关于第一子像素、第二子像素和第三子像素是集成的；第一辅助层，位于第一层与第一发射层之间；以及第一中间层，位于第一辅助层与第一发射层之间。第一发射层包括第一主体和第一掺杂剂。第一掺杂剂被配置为发射具有大约35nm或更大的半峰全宽(FWHM)的光。

【技术实现步骤摘要】
发光器件和包括该发光器件的平板显示设备本申请要求于2019年3月12日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0028266号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利的全部内容通过引用包含于此。
一个或更多个实施例涉及一种发光器件。
技术介绍
发光器件可以包括阳极、阴极和位于阳极与阴极之间的发射层。从阳极提供的空穴和从阴极提供的电子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态转变(例如，跃迁或弛豫)到基态，从而产生光。发光器件可以以低电压驱动，可以实现为轻质且薄，并且可以在视角、对比度和响应速率方面具有优异的特性。因此，发光器件的应用范围已经从诸如MP3播放器或移动电话的个人便携式装置扩展到电视机(TV)。
技术实现思路
在其中应用现有技术的公共层的发光器件中，堆叠了具有不同颜色的两个发射层，并且在所述两个发射层之间插设有中间层，从而防止或减少颜色混合。中间层用作单个器件的空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)。然而，因为中间层与发射层直接接触，所以在单个器件中不存在辅助层。此外，由于不存在辅助层，因本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件，所述发光器件包括：/n多个第一电极，分别位于第一子像素、第二子像素和第三子像素中；/n第二电极，面对所述多个第一电极；/n第一发射层，位于所述第一子像素中，并被配置为发射第一颜色光；/n第二发射层，位于所述第二子像素中，并被配置为发射第二颜色光；/n第一层，关于所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素是集成的；/n第一辅助层，位于所述第一层与所述第一发射层之间；以及/n第一中间层，位于所述第一辅助层与所述第一发射层之间，/n其中，所述第一中间层的最高占据分子轨道能级的绝对值比所述第一辅助层的最高占据分子轨道能级的绝对值大且比所述第一发射层的最高占据分子轨道能级的绝对值小...

【技术特征摘要】
20190312 KR 10-2019-00282661.一种发光器件，所述发光器件包括：
多个第一电极，分别位于第一子像素、第二子像素和第三子像素中；
第二电极，面对所述多个第一电极；
第一发射层，位于所述第一子像素中，并被配置为发射第一颜色光；
第二发射层，位于所述第二子像素中，并被配置为发射第二颜色光；
第一层，关于所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素是集成的；
第一辅助层，位于所述第一层与所述第一发射层之间；以及
第一中间层，位于所述第一辅助层与所述第一发射层之间，
其中，所述第一中间层的最高占据分子轨道能级的绝对值比所述第一辅助层的最高占据分子轨道能级的绝对值大且比所述第一发射层的最高占据分子轨道能级的绝对值小，
所述第一中间层的最低未占分子轨道能级的绝对值比所述第一辅助层的最低未占分子轨道能级的绝对值大且比所述第一发射层的最低未占分子轨道能级的绝对值小，
所述第一发射层包括第一主体和第一掺杂剂，并且
所述第一掺杂剂被配置为发射具有35nm或更大的半峰全宽的光。


2.根据权利要求1所述的发光器件，其中：
所述第一掺杂剂被配置为发射具有在35nm至50nm的范围内的半峰全宽的光。


3.根据权利要求1所述的发光器件，其中：
所述第一掺杂剂是由式501表示的化合物：
式501



其中，在式501中，
Ar501为取代或未取代的C5-C60碳环基或者取代或未取代的C1-C60杂环基，
L501至L503均独立地选自于取代或未取代的C3-C10亚环烷基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烷基、取代或未取代的C3-C10亚环烯基、取代或未取代的C1-C10亚杂环烯基、取代或未取代的C6-C60亚芳基、取代或未取代的C1-C60亚杂芳基、取代或未取代的二价非芳香缩合多环基和取代或未取代的二价非芳香缩合杂多环基，
xd1至xd3均独立地为0至3的整数，
R501和R502均独立地选自于取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C6-C60芳氧基、取代或未取代的C6-C60芳硫基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基和取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，并且
xd4为1至6的整数。


4.根据权利要求1所述的发光器件，其中：
所述第一中间层包括p掺杂剂或者包括包含p掺杂剂的单膜。


5.根据权利要求1所述的发光器件，其中：
所述第一辅助层包括空穴传输化合物。


6.根据权利要求1所述的发光器件，所述发光器件还包括位于所述第一层与所述第二发射层之间的第二中间层。


7.根据权利要求1所述的发光器件，所述发光器件还包括位于所述多个第一电极与所述第一层之间的第三中间层。


8.根据权利要求1所述的发光器件，所述发光器件还包括位于所述第一中间层与所述第一发射层之间的第四中间层。


9.根据权利要求1所述的发光器件，所述发光器件在所述第一发射层与所述第二电极之间和所述第二发射层与所述第二电极之间还包括从电子注入层和电子传输层中选择的至少一者。


10.根据权利要求9所述的发光器件，其中：
从所述电子注入层和所述电子传输层中选择的至少一者包括由式1表示的化合物：
式1



其中，在式1中，
L11至L13均独立地选自于取代或未取代的C5-C60碳环基和取代或未取代的C1-C60杂环基，
a11至a13均独立地选自于0、1、2和3，
R11至R13均独立地选自于取代或未取代的C3-C10环烷基、取代或未取代的C1-C10杂环烷基、取代或未取代的C3-C10环烯基、取代或未取代的C1-C10杂环烯基、取代或未取代的C6-C60芳基、取代或未取代的C1-C60杂芳基、取代或未取代的单价非芳香缩合多环基和取代或未取代的单价非芳香缩合杂多环基，
所述取代的C5-C60碳环基、所述取代的C1-C60杂环基、所述取代的C3-C10环烷基、所述取代的C1-C10杂环烷基、所述取代的C3-C10环烯基、所述取代的C1-C10杂环烯基、所述取代的C6-C60芳基、所述取代的C1-C60杂芳基、所述取代的单价非芳香缩合多环基和所述取代的单价非芳香缩合杂多环基的至少一个取代基选自于：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基；
均取代有从氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳香缩合多环基、单价非芳香缩...

【专利技术属性】
技术研发人员：田坪恩，吴一洙，李宝罗，姜儒真，李周源，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR