微波集成电路制造技术

一种微波集成电路(1)，包括：半导体基板(3)；多个放大单元，形成在半导体基板中；布线(W3)，形成在除半导体基板上形成的多个层布线(19a‑19d)中的最上面的层布线(19d)和最下面的层布线(19a)以外的一个层布线(19c)中并向多个放大单元供应电力；多个通孔(21a)，连接在该层布线(19c)中形成的多个导电区域(51)，布线被夹在多个导电区域之间，在该层布线(19c)的紧上方和紧下方的两个层布线(19b、19d)中夹着布线的区域中形成的其它导电区域(53、WG)，多个通孔中的每个通孔形成通孔结构，该结构通过多个其他通孔(21b、21d)连接到最下面的层布线的导电区域(55、59)。

【技术实现步骤摘要】
微波集成电路
本公开涉及一种微波集成电路。
技术介绍
在现有技术中，已经使用其中集成微波装置的微波集成电路。作为微波集成电路，专利文献1(日本未审查专利公开No.2003-309121)、专利文献2(日本未审查专利公开No.2010-205941)或专利文献3(日本未审查专利公开No.2017-085040)公开一种多层单片微波集成电路(MMIC)，其中绝缘层和布线层被堆叠在半导体基板上，在该半导体基板上形成诸如晶体管的电路元件。根据这种多层MMIC的结构，能够实现电路所占面积的减小。近年来，在具有上述现有技术中的多层MMIC的结构的微波集成电路中，电路尺寸的减小已经被需求。然而，在现有技术的具有减小的电路尺寸的微波集成电路中，在某些情况下，由于电路单元之间的不充分隔离而在输出信号之间发生振荡。另外，在这种微波集成电路中，为了使晶体管的工作点在具有多级配置的放大电路中是相同的，在某些情况下，对施加给晶体管的偏压的调节被复杂化。
技术实现思路
根据本公开的一个方面，提供一种微波集成电路，包括：半导体基板；多个放大单元，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微波集成电路，包括：/n半导体基板；/n多个放大单元，所述多个放大单元被形成在所述半导体基板中；/n电源线，所述电源线被形成在所述半导体基板上形成的多个布线层当中的除了最上面的布线层和最下面的布线层以外的一个布线层中，所述电源线被用于向所述多个放大单元供应电力；以及/n多个通孔，所述多个通孔连接在所述一个布线层中形成的其间夹着所述电源线的多个导电区域和在所述一个布线层的紧上方和紧下方的两个所述布线层中夹着所述电源线的区域中形成的其它导电区域，/n其中，所述多个通孔中的每一个形成通孔结构，所述通孔结构通过多个其他通孔被连接到所述最上面的布线层和所述最下面的布线层中的至少一个。/n

【技术特征摘要】
20190313 JP 2019-045545;20190313 JP 2019-0455471.一种微波集成电路，包括：
半导体基板；
多个放大单元，所述多个放大单元被形成在所述半导体基板中；
电源线，所述电源线被形成在所述半导体基板上形成的多个布线层当中的除了最上面的布线层和最下面的布线层以外的一个布线层中，所述电源线被用于向所述多个放大单元供应电力；以及
多个通孔，所述多个通孔连接在所述一个布线层中形成的其间夹着所述电源线的多个导电区域和在所述一个布线层的紧上方和紧下方的两个所述布线层中夹着所述电源线的区域中形成的其它导电区域，
其中，所述多个通孔中的每一个形成通孔结构，所述通孔结构通过多个其他通孔被连接到所述最上面的布线层和所述最下面的布线层中的至少一个。


2.根据权利要求1所述的微波集成电路，其中，沿着所述电源线的所述多个通孔中的每一个的长度短于与所述微波集成电路所针对的信号波长λ相对应的λ/8的长度。


3.根据权利要求1或2所述的微波集成电路，其中，沿着所述电源线的所述多个通孔的间隔短于与所述微波集成电路所针对的信号波长λ相对应的λ/8的长度。


4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的微波集成电路，其中，所述多个通孔通过所述最上面的布线层或所述最下面的布线层被接地。


5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的微波集成电路，
其中，所述半导体基板具有矩形的平面形状，并且在所述矩形的一边上具有信号输入端子并且在与所述一边相邻的另一边上具有信号输出端子，以及
其中，所述信号输入端子和所述信号输出端子通过所述通孔结构被电分离。


6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的微波集成电路，进一步包括穿透所述多个布线层并且连接所述半导体基板和所述最上面的布线层的多个其他通孔。


7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的微波集成电路，其中，所述通孔结构进一步包括沿着所述多个其他通孔形...

【专利技术属性】
技术研发人员：内藤宪司，
申请(专利权)人：住友电工光电子器件创新株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP