电光装置以及电子设备制造方法及图纸

提供电光装置以及电子设备，能够抑制显示模糊等动作不良。电光装置具有：基板；像素电极，其配置在所述基板上；以及像素电路部，其配置于所述基板与所述像素电极之间，所述像素电路部具有：扫描线，其沿第1方向配置；数据线，其沿与所述第1方向交叉的第2方向配置；第1恒定电位线，其沿所述扫描线配置；第2恒定电位线，其沿所述数据线配置；晶体管，其对应于所述扫描线与所述数据线的交叉位置地配置，包含与所述扫描线电连接的栅电极、与所述数据线电连接的源区以及与所述像素电极电连接的漏区；以及连接部，其与所述交叉位置对应地配置，将所述第1恒定电位线与所述第2恒定电位线电连接。

【技术实现步骤摘要】
电光装置以及电子设备
本专利技术涉及电光装置以及电子设备。
技术介绍
例如，公知有作为投影仪的光阀而使用的液晶装置等电光装置。专利文献1所记载的液晶装置具有扫描线、数据线以及针对多个像素的每个像素设置的像素电极和薄膜晶体管。另外，该液晶装置为了防止漏极电极的电位的变动，确保保持电容，而具有针对数据线的屏蔽层和针对扫描线的屏蔽层。专利文献1：日本特开2018-40969号公报但是，在现有的液晶装置中，由于扫描线或数据线的影响等而使2个屏蔽层的电位独立地变动，其结果为，这些屏蔽层之间的电位差按照每个像素发生变动。因此，保持电容按照每个像素而产生变化，其结果为，存在有可能产生显示模糊等动作不良的问题。
技术实现思路
本专利技术的一个方式是电光装置，其具有：基板；像素电极，其配置在所述基板上；以及像素电路部，其配置于所述基板与所述像素电极之间，所述像素电路部具有：扫描线，其沿第1方向配置；数据线，其沿与所述第1方向交叉的第2方向配置；第1恒定电位线，其沿所述扫描线配置；第2恒定电位线，其沿所述数据线配置；晶体管，其对应于所述扫描线与所述数据线的交叉位置而配置，包含与所述扫描线电连接的栅电极、与所述数据线电连接的源区以及与所述像素电极电连接的漏区；以及连接部，其与所述交叉位置对应地配置，使所述第1恒定电位线与所述第2恒定电位线电连接。附图说明图1是本实施方式的电光装置的俯视图。图2是本实施方式的电光装置的剖视图。图3是示出本实施方式的元件基板的电气结构的等效电路图。图4是示出本实施方式的像素电路部所具有的各种布线的一部分的分解立体图。图5是示出本实施方式的像素电路部的一部和像素电极的俯视图。图6是示意性地示出本实施方式的元件基板的一部分的剖视图。图7是示意性地示出第1变形例的元件基板的一部分的剖视图。图8是示意性地示出第2变形例的元件基板的一部分的剖视图。图9是示出作为电子设备的一例的个人计算机的立体图。图10是示出作为电子设备的一例的智能手机的立体图。图11是示出作为电子设备的一例的投影仪的示意图。标号说明2：元件基板；4：对置基板；8：密封部件；9：液晶层；11：扫描线驱动电路；12：数据线驱动电路；14：外部端子；15：布线；20：像素电路部；21：第1基体；22：绝缘体；23：晶体管；25：第1电容；26：第2电容；28：像素电极；29：第1定向膜；41：第2基体；42：透光层；45：对置电极；46：第2定向膜；80：密封材料；81：注入口；100：电光装置；221：绝缘层；222：绝缘层；223：绝缘层；224：绝缘层；225：绝缘层；226：绝缘层；227：绝缘层；228：绝缘层；229：绝缘层；231：半导体层；231a：源区；231b：漏区；231c：沟道区域；231d：第1LDD区域；231e：第2LDD区域；232：栅电极；233：栅极绝缘膜；241：遮光体；242：源极布线；243：漏极布线；244：扫描线；245：第1恒定电位线；246：数据线；247：连接布线；248：第2恒定电位线；251：电极；252：电极；253：电介质层；256：存储电容；261：电极；262：电极；263：电介质层；270：屏蔽部；271：接触部；272：接触部；273：接触部；274：接触部；275：接触部；276：接触部；277：接触部；278：接触部；279：接触部；280：连接部；281：接触部；282：接触部；283：接触部；284：接触部；2000：个人计算机；2001：电源开关；2002：键盘；2010：主体部；3000：智能手机；3001：操作按钮；4000：投射型显示装置；4001：照明光学系统；4002：照明装置；4003：投射光学系统；4004：投射面；A10：显示区域；A20：周边区域；C1：交叉位置；P：像素。具体实施方式以下，参照附图，对本专利技术的优选实施方式进行说明。另外，在附图中，各部分的尺寸和比例尺与实际情况适当不同，为了便于理解，还存在示意性示出的部分。另外，只要在以下的说明中没有特别限定本专利技术的内容的记载，则本专利技术的范围不限于这些方式。1.电光装置作为本专利技术的电光装置的一例，以有源矩阵方式的液晶装置为例进行说明。1-1.基本结构图1是本实施方式的电光装置100的俯视图。图2是本实施方式的电光装置100的剖视图，是图1中的A-A线剖视图。另外，以下，为了便于说明，适当使用分别在图1和图2中示出的相互垂直的x轴、y轴以及z轴来进行说明。以下，将示出各轴的方向的箭头的末端侧称为“+侧”，将基端侧称为“-侧”。另外，将x轴中的箭头所指的方向设为+x方向，将该+x方向的相反方向设为-x方向。另外，针对y轴和z轴也是同样的。在本实施方式中，“第1方向”是+y方向，与“第1方向”交叉的“第2方向”是-x方向。另外，后述的第1基体21与像素电极28重叠的“第3方向”是-z方向。另外，将从-z方向观察简称为“俯视”。图1和图2所示的电光装置100是透过型的液晶装置。如图2所示，电光装置100具有：元件基板2，其具有透光性；对置基板4，其具有透光性；框架状的密封部件8；以及液晶层9。密封部件8配置于元件基板2与对置基板4之间。液晶层9配置于由元件基板2、对置基板4以及密封部件8包围而成的区域内。这里，对置基板4、液晶层9以及元件基板2的排列方向是-z方向，元件基板2的表面与x-y平面平行。对于电光装置100而言，可以为光从元件基板2入射，透过液晶层9，而从对置基板4射出，也可以为，从对置基板4入射，通过液晶层9，而从元件基板2射出。另外，透过电光装置100的光是可见光。在本说明书中，透光性是指针对可见光的透过性，优选为可见光的透过率为50％以上。另外，如图1所示，电光装置100在俯视时呈四边形状，但电光装置100的俯视形状不限定于此，例如也可以是圆形等。如图1所示，元件基板2是在俯视时包含了对置基板4的大小。如图2所示，元件基板2具有作为“基板”的第1基体21、像素电路部20、多个像素电极28以及第1定向膜29。第1基体21、像素电路部20、多个像素电极28以及第1定向膜29按照该顺序排列。第1定向膜29位于最靠液晶层9侧的位置。第1基体21由具有透光性和绝缘性的平板构成。第1基体21例如由玻璃或石英构成。像素电路部20具有各种布线。像素电极28具有透光性，例如由ITO(IndiumTinOxide：氧化铟锡)或IZO(IndiumZincOxide：氧化铟锌)等透明导电材料构成。第1定向膜29使液晶层9的液晶分子定向。作为第1定向膜29的结构材料，例如举出聚酰亚胺和氧化硅等。另外，后面对像素电路部20进行详细叙述。如图2所示，对置基板4具有第2基体41、透光层42、对置电极45以及第2定向膜46。第2基体41、透光层42、对置电极45以及第2定向膜46按照该顺序排列。第2定向膜46位于最靠液晶层9侧的位置。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电光装置，其特征在于，所述电光装置具有：/n基板；/n像素电极，其配置在所述基板上；以及/n像素电路部，其配置于所述基板与所述像素电极之间，/n所述像素电路部具有：/n扫描线，其沿第1方向配置；/n数据线，其沿与所述第1方向交叉的第2方向配置；/n第1恒定电位线，其沿所述扫描线配置；/n第2恒定电位线，其沿所述数据线配置；/n晶体管，其对应于所述扫描线与所述数据线的交叉位置而配置，包含与所述扫描线电连接的栅电极、与所述数据线电连接的源区以及与所述像素电极电连接的漏区；以及/n连接部，其与所述交叉位置对应地配置，将所述第1恒定电位线与所述第2恒定电位线电连接。/n

【技术特征摘要】
20190314 JP 2019-0466771.一种电光装置，其特征在于，所述电光装置具有：
基板；
像素电极，其配置在所述基板上；以及
像素电路部，其配置于所述基板与所述像素电极之间，
所述像素电路部具有：
扫描线，其沿第1方向配置；
数据线，其沿与所述第1方向交叉的第2方向配置；
第1恒定电位线，其沿所述扫描线配置；
第2恒定电位线，其沿所述数据线配置；
晶体管，其对应于所述扫描线与所述数据线的交叉位置而配置，包含与所述扫描线电连接的栅电极、与所述数据线电连接的源区以及与所述像素电极电连接的漏区；以及
连接部，其与所述交叉位置对应地配置，将所述第1恒定电位线与所述第2恒定电位线电连接。


2.根据权利要求1所述的电光装置，其中，
所述电光装置还具有存储电容，该存储电容具有：
第1电极；
第2电极，其与所述漏区电连接；以及<...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤智，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP