低分子量聚四氟乙烯的制造方法技术

本发明专利技术提供降低了碳原子数6～14的全氟羧酸及其盐的含量的低分子量聚四氟乙烯的制造方法。一种低分子量聚四氟乙烯的制造方法，其特征在于，其包括下述工序：工序(1)，对高分子量聚四氟乙烯照射放射线，得到在380℃的熔融粘度为1.0×10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低分子量聚四氟乙烯的制造方法
本专利技术涉及低分子量聚四氟乙烯的制造方法。
技术介绍
分子量从数千到数十万的低分子量聚四氟乙烯(也称为“聚四氟乙烯蜡”或“聚四氟乙烯微粉”)的化学稳定性优异，表面能极低，此外不容易发生原纤化，因此作为提高滑动性或涂膜表面的质感的添加剂被用于塑料、油墨、化妆品、涂料、润滑脂等的制造中(例如参见专利文献1)。作为低分子量聚四氟乙烯的制造方法，已知有聚合法、放射线分解法、热分解法等。放射线分解法中，以往通常在空气气氛下对高分子量聚四氟乙烯照射放射线来得到低分子量聚四氟乙烯。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平10-147617号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术的目的在于提供一种降低了碳原子数6～14的全氟羧酸及其盐的含量的低分子量聚四氟乙烯的制造方法。用于解决课题的手段本专利技术涉及一种低分子量聚四氟乙烯的制造方法，其特征在于，其包括下述工序：工序(1)，对高分子量聚四氟乙烯照射放射线，得到在380℃的熔融粘度为1.0×102～7.0×105Pa·s的低分子量聚四氟乙烯；以及工序(2)，对上述低分子量聚四氟乙烯照射上述低分子量聚四氟乙烯不发生分解的剂量的放射线。工序(2)中的剂量优选为0.1～25kGy。实施工序(2)之后得到的低分子量聚四氟乙烯优选实质上不包含碳原子数6～14的全氟羧酸及其盐。上述高分子量聚四氟乙烯优选标准比重为2.130～2.230。>优选上述高分子量聚四氟乙烯和上述低分子量聚四氟乙烯均为粉末。优选在工序(1)之前进一步包括通过将上述高分子量聚四氟乙烯加热至其一次熔点以上而得到成型品的工序(3)，上述成型品的比重为1.0g/cm3以上。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供一种降低了碳原子数6～14的全氟羧酸及其盐的含量的低分子量聚四氟乙烯的制造方法。具体实施方式下面对本专利技术进行具体说明。本专利技术涉及一种低分子量PTFE的制造方法，其特征在于，其包括下述工序：工序(1)，对高分子量聚四氟乙烯(PTFE)照射放射线，得到在380℃的熔融粘度为1.0×102～7.0×105Pa·s的低分子量PTFE；以及工序(2)，对上述低分子量PTFE照射上述低分子量PTFE不发生分解的剂量的放射线。在现有的照射条件下，若对上述高分子量PTFE照射放射线，则生成比上述高分子量PTFE的熔融粘度大的上述低分子量PTFE，同时生成碳原子数6～14的全氟羧酸或其盐。这些化合物中包括在自然界中不存在且难以分解、进而被指出具有高生物累积性的下述物质：碳原子数为8的全氟辛酸或其盐；碳原子数为9的全氟壬酸或其盐；以及碳原子数分别为10、11、12、13、14的全氟癸酸、全氟十一烷酸、全氟十二烷酸、全氟十三烷酸、全氟十四烷酸或者它们各自的盐。在现有的照射条件下对高分子量PTFE照射放射线的情况下，会生成25ppb以上的碳原子数为8的全氟辛酸或其盐。本专利技术的制造方法中，在实施低分子量化(工序(1))后，在工序(2)中照射低分子量PTFE不发生分解的较低剂量的放射线，由此可以从上述低分子量PTFE中除去上述全氟羧酸及其盐。另外，在低分子量PTFE中有时也包含碳原子数6～14的全氟磺酸或其盐，但利用本专利技术的制造方法，也能够除去这些化合物。工序(1)中，上述放射线向上述高分子量PTFE的照射可通过现有公知方法和条件来进行。作为上述放射线，只要为电离性放射线就没有特别限定，可以举出电子射线、γ射线、X射线、中子射线、高能量离子等，优选电子射线或γ射线。作为上述放射线的照射剂量，优选为30～2500kGy、更优选为1000kGy以下、进一步优选为750kGy以下。另外，更优选为50kGy以上。上述放射线的照射剂量根据希望分解(低分子量化)的PTFE的分子量(后述的标准比重)来决定。作为上述放射线的照射温度，只要为5℃以上、PTFE的熔点以下就没有特别限定。已知在熔点近旁附近PTFE的分子链发生交联，为了得到低分子量PTFE，该照射温度优选为320℃以下、更优选为300℃以下、进一步优选为260℃以下。从经济上说，优选在常温照射。工序(1)中，上述放射线的照射可以在与以往同样的气氛中实施，例如可以在空气中等实施。从能够低成本地实施的方面出发，优选在空气中的照射。工序(1)中，优选得到平均粒径为500μm以下的上述低分子量PTFE的粒子。上述低分子量PTFE粒子的平均粒径更优选为300μm以下、进一步优选为100μm以下。另外，对于下限没有特别限定，可以大于30μm。上述低分子量PTFE粒子的平均粒径处于上述范围内，能够容易地得到平均粒径比较小的低分子量PTFE的粉末。上述平均粒径使用日本电子株式会社制造的激光衍射式粒度分布测定装置(HELOS&RODOS)，在不使用级联的条件下以分散压力1.0bar进行测定，设该平均粒径等于粒度分布积分的50％所对应的粒径。工序(2)中的放射线的照射以工序(1)中得到的低分子量PTFE不发生分解的剂量进行。这样，在工序(1)中进行了用于将高分子量PTFE低分子量化(分解)的放射线照射后，进行低分子量PTFE不发生分解的较低剂量的照射，由此可以除去工序(1)中生成的碳原子数6～14的全氟羧酸及其盐。作为上述放射线的照射剂量，例如优选为0.1～25kGy、更优选为20kGy以下、进一步优选为15kGy以下。另外，优选为0.5kGy以上、更优选为1.0kGy以上。作为工序(2)中的照射中使用的放射线的种类、照射温度、气氛，可以举出与工序(1)中的照射同样的条件。本专利技术的制造方法还可以在工序(1)之前进一步包括工序(3)，该工序(3)中，通过将上述高分子量PTFE加热至其一次熔点以上而得到成型品。这种情况下，可以将工序(3)中得到的成型品用作工序(1)中的上述高分子量PTFE。上述一次熔点优选为300℃以上、更优选为310℃以上、进一步优选为320℃以上。上述一次熔点是指，在利用差示扫描量热计对未烧制的高分子量PTFE进行测定的情况下，在结晶熔解曲线上出现的吸热曲线的最大峰温度。上述吸热曲线是使用差示扫描量热计以升温速度10℃/分钟的条件进行升温而得到的。工序(3)中的上述成型品的比重优选为1.0g/cm3以上、更优选为1.5g/cm3以上，并且优选为2.5g/cm3以下。上述成型品的比重处于上述范围内时，表面的细孔或凸凹减小，从而能够得到比表面积小的低分子量PTFE。上述比重可通过水中置换法进行测定。本专利技术的制造方法中，在工序(3)之后也可以进一步包括将上述成型品粉碎来得到上述PTFE的粉末的工序。在将上述成型品粗粉碎后，可以进一步粉碎得更小。本专利技术的制造方法还可以进一步包括将在实施工序(2)后得到的低分子量PTFE粉碎的工序(4)。由此可得到平均粒径小的低分子量PTFE。接着对本专利技术的制造本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低分子量聚四氟乙烯的制造方法，其特征在于，其包括下述工序：工序(1)，对高分子量聚四氟乙烯照射放射线，得到在380℃的熔融粘度为1.0×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180207 JP 2018-0204571.一种低分子量聚四氟乙烯的制造方法，其特征在于，其包括下述工序：工序(1)，对高分子量聚四氟乙烯照射放射线，得到在380℃的熔融粘度为1.0×102Pa·s～7.0×105Pa·s的低分子量聚四氟乙烯；以及工序(2)，对所述低分子量聚四氟乙烯照射所述低分子量聚四氟乙烯不发生分解的剂量的放射线。


2.如权利要求1所述的制造方法，其中，工序(2)中的剂量为0.1KGy～25kGy。


3.如权利要求1或2所述的制造方法，其中，实施工序(...

【专利技术属性】
技术研发人员：辻雅之，
申请(专利权)人：大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP