一种椭偏仪的测试台面制造技术

本实用新型专利技术公开了一种椭偏仪的测试台面，其用于放置测试样品需要测试的硅片，包括水平台面、凹槽、第一定位组件、第二定位组件、第三定位组件和第四定位组件，所述凹槽为矩形，以所述水平台面的圆心为对称中心，所述凹槽的对称轴分别为轴A和轴B，所述第一定位组件与第二定位组件关于所述轴A对称分布，第三定位组件和第四定位组件关于所述轴A对称分布，所述第二定位组件与第三定位组件关于所述轴B对称分布，所述第一定位组件和第四定位组件关于所述轴B对称分布。本实用新型专利技术统一了椭偏仪测试的位置，减少测试的误差，便于产线的管控；固定测试的5个点位，便于获得准确地片内均匀性数据，工程师可以根据测试数据准确地把握工艺改进方向。

【技术实现步骤摘要】
一种椭偏仪的测试台面
本技术涉及光电检测
，具体涉及一种椭偏仪的测试台面。
技术介绍
在太阳能电池的制作工艺中，需要通过等离子增强气相沉积的方法制作一层氮化硅薄膜。根据薄膜干涉原理，这一层氮化硅薄膜可以起到碱少光在电池表面反射的作用。另外，这层薄膜还可以钝化硅片表面不饱和的硅原子。在实际生产中，我们需要用椭偏仪来监控氮化硅薄膜的膜厚与折射率。膜厚与折射率是影响电池片效率的重要因素。通常的椭偏仪如图1所示是由光源200、起偏器300、测试台面400、检偏器500和探测器600构成。现有椭偏仪的测试台面400是一个简单的水平台面。正常测试时，将测试样品需要测试的硅片放在测试台面上，点击程序中的开始键，就能得到该硅片的膜厚和折射率。但是由于现在主流的管式PE镀膜后硅片的片内均匀性很难控制。由于椭偏仪的光源一般射在测试台面中间，需要测试硅片不同位置的膜厚和折射率时，需要人为调整硅片的位置，因此每次测试硅片上点位是不固定的。而且硅片切割痕的方位也不固定，这都使得测试结果没有统一的标准，不利于产线的管控。另外，在调整工艺时需要测试同一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种椭偏仪的测试台面，其用于放置测试样品需要测试的硅片，其特征在于，包括水平台面(1)、凹槽(2)、第一定位组件(3)、第二定位组件(4)、第三定位组件(5)和第四定位组件(6)，所述凹槽(2)为矩形，以所述水平台面(1)的圆心为对称中心，所述凹槽(2)的对称轴分别为轴A(21)和轴B(22)，所述第一定位组件(3)与第二定位组件(4)关于所述轴A(21)对称分布，第三定位组件(5)和第四定位组件(6)关于所述轴A(21)对称分布，所述第二定位组件(4)与第三定位组件(5)关于所述轴B(22)对称分布，所述第一定位组件(3)和第四定位组件(6)关于所述轴B(22)对称分布。/n

【技术特征摘要】
1.一种椭偏仪的测试台面，其用于放置测试样品需要测试的硅片，其特征在于，包括水平台面(1)、凹槽(2)、第一定位组件(3)、第二定位组件(4)、第三定位组件(5)和第四定位组件(6)，所述凹槽(2)为矩形，以所述水平台面(1)的圆心为对称中心，所述凹槽(2)的对称轴分别为轴A(21)和轴B(22)，所述第一定位组件(3)与第二定位组件(4)关于所述轴A(21)对称分布，第三定位组件(5)和第四定位组件(6)关于所述轴A(21)对称分布，所述第二定位组件(4)与第三定位组件(5)关于所述轴B(22)对称分布，所述第一定位组件(3)和第四定位组件(6)关于所述轴B(22)对称分布。


2.根据权利要求1所述的椭偏仪的测试台面，其特征在于，所述第一定位组件(3)包括定位点一(31)，定位点二(32)，定位点三(33)和定位点四(34)，所述定位点一(31)，定位点二(32)，定位点三(33)和定位点四(34)均为凸起的柱体，且所述定位点一(31)、定位点二(32)形成的直线L1和定位点三(33)、定位点四(34)对应的直线L2相互垂直。


3.根据权利要求2所述的椭偏仪的测试台面，其特征在于，所述第二定位组件(4)包括定位点五(41)，定位点六(42)，定位点七(43)和定位点八(44)，所述定位点五(41)，定位点六(42)，定位点七(43)和定位点八(44)均为凸起的柱体，...

【专利技术属性】
技术研发人员：贡江涛，
申请(专利权)人：中节能太阳能科技镇江有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32