【技术实现步骤摘要】
碳化硅晶体熔体生长装置
本专利技术涉及碳化硅晶体生长装置领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体熔体生长装置。
技术介绍
碳化硅是受到广泛关注的宽带隙半导体材料之一，具有密度低、禁带宽度大、击穿场强高、热稳定性和化学稳定性好、频率响应特性优良等优点，是制作高频、高压、大功率器件和蓝光发光二极管的理想衬底材料。碳化硅目前的主要生长方法是物理气相传输法，虽然该方法较为成熟，目前能为市场供应大量碳化硅单晶衬底，但由于生长环境不稳定性，其晶体中还存在着例如微管，包裹等缺陷，在扩径、P型晶体生长方面难以实现等问题。与之对比，熔体法生长所需生长温度低，生长环境相对平稳，且在P型晶体与扩径等方面具有良好前景。碳化硅熔体生长过程中，需要在顶部籽晶处与坩埚底部形成温差，在坩埚底(温度较高处)进行溶质的溶解，即从石墨坩埚中溶解碳，形成富碳溶液，从而形成稳定的碳的供应。但是，在现有技术中，从石墨坩埚中溶解碳的效率较低，使得在进行碳化硅晶体生长的时候，无法形成稳定的碳供应。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提...
【技术保护点】
1.一种碳化硅晶体熔体生长装置，其特征在于，包括锅体和第一碳模块；/n所述第一碳模块设置在所述锅体的内壁上。/n
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体熔体生长装置，其特征在于，包括锅体和第一碳模块；
所述第一碳模块设置在所述锅体的内壁上。
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体熔体生长装置，其特征在于，所述第一碳模块的形状为条形，所述第一碳模块的长度方向沿所述锅体的内壁延伸。
3.根据权利要求1所述的碳化硅晶体熔体生长装置，其特征在于，所述第一碳模块的数量为多个，多个所述第一碳模块相互之间具有间隙。
4.根据权利要求1所述的碳化硅晶体熔体生长装置，其特征在于，所述第一碳模块的横截面形状包括半圆形、三角形、四边形或梯形中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的碳化硅晶体熔体生长装置，其特征在于，所述锅体的底部设...
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