温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及碳化硅晶体生长装置领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体熔体生长装置。碳化硅晶体熔体生长装置包括锅体和第一碳模块；所述第一碳模块设置在所述锅体的内壁上。本发明的有益效果是：通过在锅体的内壁上设置第一碳模块，通过第一碳模块的设置，增加了...
该专利属于郑红军所有，仅供学习研究参考，未经过郑红军授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。