一株锑砷氧化假单胞菌及其应用制造技术

本发明专利技术属于微生物技术领域，尤其涉及一株锑砷氧化假单胞菌及其应用。本发明专利技术的假单胞菌菌株是从湖南省冷水江市锡矿山锑污染土壤中分离筛选获得，该菌株具有高效锑和/或砷氧化性能，该细菌在锑和/或砷含量高的溶液和土壤中依然能够生存，具有较好的锑和砷耐受性，并且经过检验，具有高效的锑和/或砷氧化性，为微生物吸附除锑和/或砷技术的发展奠定了重要基础。同时，菌种结合Fe

【技术实现步骤摘要】
一株锑砷氧化假单胞菌及其应用
本专利技术属于微生物
，尤其涉及一株锑砷氧化假单胞菌及其应用。
技术介绍
锑(Sb)具有慢性毒性、致癌性、且呈全球迁移性特点，是全球性污染物和优先控制污染物。锑(Sb)及其化合物可通过食物链和水等途径进入人体，不仅影响某些酶的作用，还可导致肝和心血管系统方面的疾病，因此，世界卫生组织、欧盟和中国均对饮用水中锑含量做了严格限制(<5μg/L)，其中三价锑的毒性是五价锑的十倍，因此将Sb(Ⅲ)氧化为Sb(Ⅴ)有利于减小其环境危害和风险。国内外针对如何将Sb(Ⅲ)氧化为Sb(Ⅴ)做了一些研究，如投加化学氧化剂等处理技术。虽然这些技术能够将Sb(Ⅲ)氧化为Sb(Ⅴ)，但仍有氧化效率低、成本高、操作复杂、易产生二次污染等不足。近年来，国内外学者提出了安全经济、环境友好、氧化效率高的微生物氧化技术。有关高效锑氧化微生物的筛选、鉴定是微生物除锑技术的基石之一，但这方面的研究相对来说较少。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本专利技术提供了一株锑砷氧化假单胞菌及其应用，目的在于解决现有技术中的一部分问题或至少缓解现有技术中的一部分问题。本专利技术是这样实现的，一种株锑砷氧化假单胞菌，保藏编号为CCTCCM2020005。本专利技术的假单胞菌(DHHN0901)保藏在中国典型培养物保藏中心，名称为Pseudomonassp.AO-1，保藏单位简称为CCTCC，保藏日期为2020年1月3日。如上述的锑砷氧化假单胞菌在锑氧化中的应用。进一步地，所述锑氧化具体为将Sb(Ⅲ)氧化为Sb(Ⅴ)。如上述的锑砷氧化假单胞菌在砷氧化中的应用。进一步地，所述砷氧化具体为将As(Ⅲ)氧化为As(Ⅴ)。如上述的锑砷氧化假单胞菌在土壤或水体的锑和/或砷污染防治中的应用。实现Sb(Ⅲ)和Sb(Ⅴ)在土壤或水体中迁移转化过程控制，降低土壤或水体中锑毒性及生态危害。利用锑砷氧化假单胞菌较高锑氧化程度和较快锑氧化速度将水体或土壤中Sb(Ⅲ)转化为毒性更低的Sb(Ⅴ)，达到解毒效果，从源头上对重金属Sb污染进行有效防治。进一步地，应用方法包括使用所述锑砷氧化假单胞菌在30℃有氧条件下对待测样品进行处理。进一步地，应用方法还包括使用Fe3+离子促进锑砷氧化假单胞菌对锑和/或砷的氧化。进一步地，所述Fe3+以FeCl3的形式加入至反应体系中。进一步地，反应体系中FeCl3的浓度为0.1mol/L。综上所述，本专利技术的优点及积极效果为：(1)本专利技术的假单胞菌菌株DHHN0901为革兰氏阴性菌，对高浓度锑和砷具有良好的耐受性，便于在锑和/或砷污染环境下进行生物修复。(2)对Sb(Ⅲ)As(Ⅲ)和具有高效的氧化性能，对微生物氧化除锑和/或砷技术的发展具有重要意义。(3)对环境友好。(4)菌种培养条件简单，易保存，易于工业化生产，具有良好的开发应用潜力。(5)假单胞菌菌株DHHN0901与铁离子混合使用，能提高锑和砷的氧化效率，具有良好的开发应用潜力。本专利技术筛选的假单胞菌菌株DHHN0901具有高效锑和/或砷氧化性能，该细菌在锑和/或砷含量高的溶液和土壤中依然能够生存，具有较好的锑和砷耐受性，并且经过检验，具有高效的锑砷氧化效率，为微生物氧化锑和/或砷及相应技术的发展奠定了重要基础。附图说明图1是高效锑砷氧化假单胞菌DHHN0901的平板菌落形态照片；图2是假单胞菌DHHN0901在激光共聚焦显微镜下图片；图3是假单胞菌DHHN0901的透射电镜照片；图4是假单胞菌DHHN0901的进化树；图5是假单胞菌DHHN0901锑氧化性能曲线；图6是假单胞菌DHHN0901砷氧化性能曲线；图7是假单胞菌DHHN0901改性后对Sb(Ⅲ)的氧化性能曲线；图8是假单胞菌DHHN0901改性后对As(Ⅲ)的氧化性能曲线。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例对本专利技术进行进一步详细说明，各实施例及试验例中所用的设备和试剂如无特殊说明，均可从商业途径得到。此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术披露了一株锑砷氧化假单胞菌及其应用，具体如下实施例所示。实施例1高效锑砷氧化假单胞菌DHHN0901的分离筛选本专利技术的菌株属于假单胞菌属，Pseudomonassp.，株名为DHHN0901。该菌株是从湖南省冷水江市的锡矿山冶炼厂冶炼渣堆附近的花坛黄土中分离筛选获得，具体通过平板划线筛选获得，所述筛选方法属于本领域常规菌株分离筛选实验方法。具体方法及过程描述如下：称取10g土壤样品，加入250ml的已灭菌锥形瓶中；取90ml无菌水浸泡，在温度为30℃摇床上震荡30min，静置30s；采用系列稀释涂布法分离细菌，挑选单菌落后，固体培养基上划线纯化，在30℃恒温培养箱进行细菌纯培养，获得纯化菌株。平板菌落图参见图1。菌株经形态观察(见图2)、生理生化特征和16SrDNA序列分析，并参照文献(ClaessonMJ,O’SullivanO,WangQ,etal.ComparativeAnalysisofPyrosequencingandaPhylogeneticMicroarrayforExploringMicrobialCommunityStructuresintheHumanDistalIntestine.AhmedN,ed.PLoSONE.2009；4(8):e6669；ParksDH,TysonGW,HugenholtzP,BeikoRG.STAMP:statisticalanalysisoftaxonomicandfunctionalprofiles.Bioinformatics.2014；30(21):3123-3124.)，鉴定为假单胞菌(Pseudomonas)，即本专利技术的假单胞菌DHHN0901菌株。该菌种的分离纯化培养条件、检测存活性条件是：CDM培养基(MgSO4·7H2O，2.0g；NH4Cl，1.0g；Na2SO4，1.0g；K2HPO4，0.013g；CaCl2·2H2O，0.067g；Na-lactate，5.0g；琼脂，15.0g；蒸馏水1000mL；pH7.0)；30℃。该菌种的检测存活性条件是：CDM培养基(MgSO4·7H2O，2.0g；NH4Cl，1.0g；Na2SO4，1.0g；K2HPO4，0.013g；CaCl2·2H2O，0.067g；Na-lactate，5.0g；琼脂，15.0g(固体培养基含琼脂，液体培养基不含)；蒸馏水1000mL；pH7.0)；30℃。图1所示照片为假单胞菌DHHN0901菌落形态。图2所示照片为假单胞菌DHHN0901在激光共聚焦显微镜下，放大40×10倍拍照。图3所示照片为假单胞菌DHHN0901的透射电镜照片。实施例2高效锑砷氧化菌DHHN090本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一株锑砷氧化假单胞菌，保藏编号为CCTCC NO:M 2020005。/n

【技术特征摘要】
1.一株锑砷氧化假单胞菌，保藏编号为CCTCCNO:M2020005。


2.如权利要求1所述的锑砷氧化假单胞菌在锑氧化中的应用。


3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于：所述锑氧化具体为将Sb(Ⅲ)氧化为Sb(Ⅴ)。


4.如权利要求1所述的锑砷氧化假单胞菌在砷氧化中的应用。


5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于：所述砷氧化具体为将As(Ⅲ)氧化为As(Ⅴ)。


6.如权利要求1中所述的锑砷氧化假单胞菌在土壤或水体的锑和...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓仁健，黄中杰，周赛军，赵家欣，李小坚，张凯昕，任伯帜，
申请(专利权)人：湖南科技大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43