一种具有改进的压电性能的压电陶瓷材料的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种具有改进的压电性能的压电陶瓷材料的制备方法，方法包括：提供压电陶瓷基材，其中，压电陶瓷基材的化学式为BaTiO<subgt;3</subgt;·xTiO<subgt;2</subgt;·yZrO<subgt;2</subgt;；在压电陶瓷基材上磁控溅射形成第一压电陶瓷层，其中，第一压电陶瓷层的化学式为BaTiO<subgt;3</subgt;·aTiO<subgt;2</subgt;·bZrO<subgt;2</subgt;；在第一压电陶瓷层上磁控溅射形成第二压电陶瓷层，其中，第二压电陶瓷层的化学式为BaTiO<subgt;3</subgt;·cTiO<subgt;2</subgt;·dZrO<subgt;2</subgt;；在第二压电陶瓷层上磁控溅射形成第三压电陶瓷层，其中，第三压电陶瓷层的化学式为BaTiO<subgt;3</subgt;·eTiO<subgt;2</subgt;·fZrO<subgt;2</subgt;；其中，x>a>c>e，并且其中，y<b<d<f。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于压电陶瓷，特别是关于一种具有改进的压电性能的压电陶瓷材料的制备方法。

技术介绍

1、压电陶瓷是一类具有压电特性的电子陶瓷材料。现有技术cn116477938a公开了一种钛酸钡基无铅压电陶瓷，该现有技术提出的钛酸钡基无铅压电陶瓷的成分为batio3·xtio2，x为0～0.005。该现有技术的压电系数大约在240-270左右，极化率(kp)可以达到0.46。本课题组希望通过磁控溅射的方式，对现有技术的钛酸钡基无铅压电陶瓷的性能进行进一步改进。

技术实现思路

1、为实现上述目的，本专利技术提供了一种具有改进的压电性能的压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，方法包括：

2、提供压电陶瓷基材，其中，压电陶瓷基材的化学式为batio3·xtio2·yzro2；

3、在压电陶瓷基材上磁控溅射形成第一压电陶瓷层，其中，第一压电陶瓷层的化学式为batio3·atio2·bzro2；

4、在第一压电陶瓷层上磁控溅射形成第二压电陶瓷层，其中，第二压电陶瓷层的化学式为batio3·本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有改进的压电性能的压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，x＝0.005-0.006，a＝0.004-0.005，c＝0.003-0.004，e＝0.002-0.003，f＝0.005-0.006，d＝0.004-0.005，b＝0.003-0.004，y＝0.002-0.003。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述压电陶瓷基材的厚度为100-120微米，所述第一压电陶瓷层的厚度为20-25微米，所述第二压电陶瓷层的厚度为10-15微米，所述第三压电陶瓷层的厚度为20-25微米。</p>

4.根据...

【技术特征摘要】

1.一种具有改进的压电性能的压电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，x＝0.005-0.006，a＝0.004-0.005，c＝0.003-0.004，e＝0.002-0.003，f＝0.005-0.006，d＝0.004-0.005，b＝0.003-0.004，y＝0.002-0.003。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述压电陶瓷基材的厚度为100-120微米，所述第一压电陶瓷层的厚度为20-25微米，所述第二压电陶瓷层的厚度为10-15微米，所述第三压电陶瓷层的厚度为20-25微米。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述压电陶瓷基材上磁控溅射形成第一压电陶瓷层的具体工艺为：

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述第一压电陶瓷层上磁控溅射形成第二压电陶瓷层的具体工艺为：

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【专利技术属性】
技术研发人员：杨佳鑫，吴嘉俊，侯嘉兴，杨洪宇，欧云，
申请(专利权)人：湖南科技大学，
类型：发明
国别省市：