一种单银LOW-E镀膜玻璃制造技术

本发明专利技术公开了一种单银LOW‑E镀膜玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有SixNy基膜层、第一AZO膜层、第一NiCr阻挡层、Ag层、第二NiCr阻挡层、第二AZO膜层、第二SixNy膜层，以及ZrOx顶膜层，所述SixNy基膜层、第二SixNy膜层为Si3N4介质层。本发明专利技术提供的一种单银LOW‑E镀膜玻璃利用SixNy作为基膜层和ZrOx作为顶膜层，使膜层具有较好的粘结性和较佳机械强度,同时，利用AZO提高玻璃的透光率,本玻璃的透过率≥50％，辐射率≤0.10，反射率≤20，遮阳系数SC≥0.5，光学性能良好。

【技术实现步骤摘要】
一种单银LOW-E镀膜玻璃
本专利技术涉及镀膜玻璃领域，具体来说，涉及一种单银LOW-E镀膜玻璃。
技术介绍
LOW-E玻璃，是一种单银LOW-E镀膜玻璃高端的低辐射玻璃，是在玻璃基材表面镀制包括银层在内的多层金属及其它化合物组成的膜系产品。但现有LOW-E玻璃，其膜层粘结力较差，机械强度不佳，容易出现脱膜、氧化、白点等质量缺陷。同时，Ag层上下表面之间均使用NiCr膜层作为阻挡层，透光率低膜层不够通透。针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种具有较好粘结性、较佳机械强度、透光率高的LOW-E镀膜玻璃。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种单银LOW-E镀膜玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有SixNy基膜层、第一AZO膜层、第一NiCr阻挡层、Ag层、第二NiCr阻挡层、第二AZO膜层、第二SixNy膜层，以及ZrOx顶膜层。进一步的，所述所述SixNy基膜层的厚度为15～25nm，所述第二SixNy膜层的厚度为10～25nm。进一步的，所述第一AZO膜层的厚度为15～25nm，第二AZO膜层的厚度为10～20nm。进一步的，所述第一NiCr阻挡层的厚度为1～5nm，第二NiCr阻挡层的厚度为1～5nm。进一步的，所述ZrOx顶膜层的厚度为10～15nm。进一步的，所述SixNy基膜层、第二SixNy膜层为Si3N4介质层。进一步的，所述Ag层的厚度为7～10nm。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：（1）本专利技术提供的一种单银LOW-E镀膜玻璃利用SixNy作为基膜层和ZrOx作为顶膜层，使膜层具有较好的粘结性和较佳机械强度,同时，利用AZO提高玻璃的透光率,本玻璃的透过率≥50％，辐射率≤0.10，反射率≤20，遮阳系数SC≥0.5，光学性能良好。具体实施方式下面，结合具体实施方式，对本专利技术做出进一步的描述：根据本专利技术实施例的一种单银LOW-E镀膜玻璃，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有SixNy基膜层、第一AZO膜层、第一NiCr阻挡层、Ag层、第二NiCr阻挡层、第二AZO膜层、第二SixNy膜层，以及ZrOx顶膜层。根据本实施例的上述方案，所述SixNy基膜层的厚度为15～25nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、氩气作为溅射气体、氮气作反应气体溅射硅铝靶(硅铝质量百分比92:8)制备而成，其中，氩氮比为(400SCCM～520SCCM)：(600SCCM～750SCCM)，氩氮比是该膜层的核心，决定了成膜的质量。根据本实施例的上述方案，所述第一AZO膜层3的厚度为15～25nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、以氩气为溅射气体、氧气作反应气体射陶瓷AZO靶制备而成，其中，氩氧比为(800SCCM～1000SCCM)：(50SCCM～60SCCM)，氩氧比是该膜层的核心。根据本实施例的上述方案，所述第一NiCr阻挡层的厚度为1～10nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射镍铬合金、用氩气作为溅射气体制备而成,气体流量500～800SCCM。根据本实施例的上述方案，所述Ag层的厚度为8～10nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射银靶、用氩气作为溅射气体制备而成，气体流量500～650SCCM。根据本实施例的上述方案，所述第二NiCr阻挡层的厚度为1～10nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用直流电源溅射镍铬合金、用氩气作为溅射气体制备而成,气体流量500～800SCCM。根据本实施例的上述方案，所述第二AZO膜层的厚度为10～20nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、以氩气为溅射气体、氧气作反应气体射陶瓷AZO靶制备而成，其中，氩氧比为(800SCCM～1000SCCM)：(50SCCM～60SCCM)，氩氧比是该膜层的核心。根据本实施例的上述方案，所述第二SixNy膜层的厚度为10～30nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、氩气作为溅射气体、氮气作反应气体溅射硅铝靶(硅铝质量百分比92:8)制备而成，其中，氩氮比为(400SCCM～520SCCM)：(600SCCM～750SCCM)，氩氮比是该膜层的核心，决定了成膜的质量。根据本实施例的上述方案，所述ZrOx顶膜层9的厚度为10～20nm。其采用磁控溅射镀膜工艺，用交流中频电源、氩气作为溅射气体、氧气作反应气体溅射氧化锆靶制备而成，其中，氩氧比为(800SCCM～1000SCCM)：(30SCCM～50SCCM)，氩氧比是该膜层的核心，决定了成膜的质量。具体地，所述SixNy基膜层、所述SixNy膜层8为Si3N4介质层。最后应说明的是：以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限定本专利技术，尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有SixNy基膜层、第一AZO膜层、第一NiCr阻挡层、Ag层、第二NiCr阻挡层、第二AZO膜层、第二SixNy膜层，以及ZrOx顶膜层。/n

【技术特征摘要】
1.一种单银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于，包括玻璃基材，所述玻璃基材的上表面由下而上依次设有SixNy基膜层、第一AZO膜层、第一NiCr阻挡层、Ag层、第二NiCr阻挡层、第二AZO膜层、第二SixNy膜层，以及ZrOx顶膜层。


2.根据权利要求1所述的一种单银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于，所述SixNy基膜层的厚度为15～25nm，所述第二SixNy膜层的厚度为10～25nm。


3.根据权利要求1所述的一种单银LOW-E镀膜玻璃，其特征在于，所述第一AZO膜层的厚度为15～25nm，第二AZO膜层的厚度为10～20...

【专利技术属性】
技术研发人员：范宝丰，孙丙合，
申请(专利权)人：中建材佳星玻璃黑龙江有限公司，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23