一种硅片截面试样的制备方法技术

本发明专利技术涉及金相制样领域，提供一种硅片截面试样的制备方法，用于解决硅片易崩碎的问题。本发明专利技术提供的一种硅片截面试样的制备方法，包括：S10.取硅片，采用金刚石刀片进行切割，得到预处理硅片；S20.采用金刚石磨片对预处理硅片进行研磨，得到研磨后的硅片，所述金刚石磨片的粒度为0.5~45μm；S30.采用抛光布和氧化物抛光液对研磨后的硅片进行抛光，得到硅片截面试样。可以获得平整光亮的表面，便于进行下一步检测。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片截面试样的制备方法
本专利技术涉及金相制样领域，具体涉及一种硅片截面试样的制备方法。
技术介绍
微电子技术的广泛应用，带动了芯片的快速发展。由硅片制作成的芯片，计算能力惊人，有强大的储存能力，航空、航天、工业、农业和国防等各大领域都离不开微电子技术，从而硅片也成为了必不可少的元素。对芯片的失效分析，通常会涉及将芯片进行截面制备。硅片的硬脆特性决定了其截面制备工艺需要很稳定，制备环境不能有太大震动，因此手动制备的难度非常大，制备者无法十分稳定地进行每一步的操作。因此无振动或震动尽量小的环境中，通过采用自动的方法来稳定地进行制备。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题为硅片易崩碎的问题，提供一种硅片截面试样的制备方法。为了解决上述技术问题，本专利技术提供的技术方案为：一种硅片截面试样的制备方法，包括：S10.取硅片，采用金刚石刀片进行切割，得到预处理硅片；S20.采用金刚石磨片对预处理硅片进行研磨，得到研磨后的硅片，所述金刚石磨片的粒度为0.5~45μm；r>S30.采用抛光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片截面试样的制备方法，其特征在于，包括：/nS10.取硅片，进行切割，得到预处理硅片；/nS20.采用金刚石磨片对预处理硅片进行研磨，得到研磨后的硅片，所述金刚石磨片的粒度为0.5~45μm；/nS30.采用抛光布和氧化物抛光液对研磨后的硅片进行抛光，得到硅片截面试样。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片截面试样的制备方法，其特征在于，包括：
S10.取硅片，进行切割，得到预处理硅片；
S20.采用金刚石磨片对预处理硅片进行研磨，得到研磨后的硅片，所述金刚石磨片的粒度为0.5~45μm；
S30.采用抛光布和氧化物抛光液对研磨后的硅片进行抛光，得到硅片截面试样。


2.根据权利要求1所述的一种硅片截面试样的制备方法，其特征在于，所述切割为：
选用金刚石刀片，所述刀片转速调整为600~1000rpm，所述刀片进刀速率调整为0.025~0.5mm/s，切割过程中加入冷却水，所述冷却水的流量为5~10ml/min，所述切割的时间为1~2min。


3.根据权利要求1所述的一种硅片截面试样的制备方法，其特征在于，所述研磨的过程，所述磨片的转速调整为200~400rpm，所述磨片的进刀速率调整0.3~0.4mm/s，所述磨片的步进精度调整为0.5~1μm，研磨过程中加入冷却水，所述冷却水的流量为5~10ml/min，研磨的应力不超过10N，研磨时间为5~30min。


4.根据权利要求1所述的一种硅片截面试样的制备方法，其特征在于，所述研磨的过程包括：
S201.采用45μm的金刚石磨片，磨片的转速调整为200~400rpm，磨片的进刀速率调整0.3~0.4mm/s，磨片的步进精度调整为0.5~1μm，研磨过程中加入冷却水，冷却水的流量为5~10ml/min，研磨的应力不超过10N，研磨时间为20~40min；
S202.采用9μm的金刚石磨片，磨片的转速调整为200~400rpm，磨片的进刀速率调整0.3~0.4mm/s，磨片的步进精度调整为0.5~1μm，研磨过程中加入冷却水，冷却水的流量为5~10ml/min，研磨的应力不超过10N，研磨时间为3~10min；
S203.采用2μm的金刚石磨片，磨片的转速调整为200~400rpm，磨片的进刀速率调整0.3~0.4mm/s，磨片的步进精度调整为0.5~1μm，研磨过程中加入冷却水，冷却水的流量为5~10ml/min，研磨的应力不超过10N，研磨时间为3~10min；
S204.采用0.5μm的金刚石磨片，磨片的转速调整为200~400rpm，磨片的进刀速率调整0.3~0.4mm/s，磨片的步进精度调整为0.5~1μm，研磨过程中加入冷却水，冷却水的流量为5~10ml...

【专利技术属性】
技术研发人员：林宗秀，
申请(专利权)人：广州领拓仪器科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44