一种基于气流压力式的硅片减薄磨削机构制造技术

本发明专利技术涉及硅片磨削减薄设备技术领域，且公开了一种基于气流压力式的硅片减薄磨削机构，包括安装底座，安装底座顶端固定安装有磨削套筒，磨削套筒中部的一侧设有半圆形通槽，且磨削套筒中部的另一侧设有半圆形卡槽，安装底座顶端的中部且位于磨削套筒的内腔中固定安装有气流喷嘴，液压支架顶端的一侧固定安装有液压驱动缸。该基于气流压力式的硅片减薄磨削机构，对于气流喷嘴外部结构的设置，可以对通入的气流形成一个紊流的作用，使其可以稳定的对放置在支撑圆环的硅片向上推动输送，从而避免了因气流的不稳定而造成硅片出现倾斜的问题，进而导致硅片的顶部出现不同程度的磨削，进一步地提高了该磨削设备对于硅片的磨削精度。

【技术实现步骤摘要】
一种基于气流压力式的硅片减薄磨削机构
本专利技术涉及硅片磨削减薄设备
，具体为一种基于气流压力式的硅片减薄磨削机构。
技术介绍
硅片减薄工艺是一种将已制作完成的半导体集成电路层硅片背面的多余材料研磨去除掉，使其达到所需要的厚度，既能够有效的减小硅片的封装体积，同时提高器件在散热、机械及电气等方面的性能，同时为了避免磨削后的硅片产生曲翘及在划片时引起边缘损坏的问题，在对其进行减薄之前需要利用机械或化学等方法在硅片的背面切割出一定深度的切口，以增强硅片的抗碎能力。但是在现有的研磨机械在对硅片减薄磨削的技术中，由于研磨轮每次工作流程时的进给量都是提前设置好的，而研磨轮在长期的工作过程中会产生不同程度的磨损消耗，致使其厚度在每次研磨时都会产生不同程度的衰减，从而导致每组硅片在研磨轮相同的进给量下出现不同程度的磨削量，致使硅片在磨削减薄的精度较差，稳定性及可控性较低。
技术实现思路
(一)解决的技术问题本专利技术提供了一种基于气流压力式的硅片减薄磨削机构，具备对于硅片磨削减薄的精度较高、不受研磨片自身磨削损耗的影响、稳定性及可控性较高的优点，解决了现有的研磨机械在对硅片减薄磨削的技术中，由于研磨轮每次工作流程时的进给量都是提前设置好的，而研磨轮在长期的工作过程中会产生不同程度的磨损消耗，致使其厚度在每次研磨时都会产生不同程度的衰减，从而导致每组硅片在研磨轮相同的进给量下出现不同程度的磨削量，致使硅片在磨削减薄的精度较差，稳定性及可控性较低的问题。(二)技术方案本专利技术提供如下技术方案：一种基于气流压力式的硅片减薄磨削机构，包括安装底座，所述安装底座顶端固定安装有磨削套筒，所述磨削套筒中部的一侧设有半圆形通槽，且磨削套筒中部的另一侧设有半圆形卡槽，所述安装底座顶端的中部且位于磨削套筒的内腔中固定安装有气流喷嘴，所述磨削套筒外部一侧的底部且位于半圆形通槽的正下方固定安装有液压支架，所述液压支架顶端的一侧固定安装有液压驱动缸，所述液压驱动缸的输出传动轴固定安装有支架机构，且支架机构的外表面与半圆形通槽的内部接触，所述磨削套筒外部的另一侧固定安装有电机支架，所述电机支架顶端的一侧螺纹连接有驱动电机，且驱动电机的输出轴且位于磨削套筒的顶部传动连接有磨削片，所述磨削套筒的顶部且位于磨削片的外围固定安装有集尘环槽。优选的，所述磨削套筒内腔的底部设为弧形曲面结构。优选的，所述气流喷嘴的外部设为沙漏型机构，且在其腰部均匀的设有六组与外界气压泵相通的通气孔，同时气流喷嘴顶端的外径是磨削套筒内径的0.3～0.7倍。优选的，所述支架机构包括密封圆环，所述密封圆环内腔的中部固定安装有支架平台，且支架平台的内壁与磨削套筒的外表面接触，所述支架平台的内壁固定安装有支撑圆环。优选的，所述密封圆环的外部设为半圆形结构，且其内径与磨削套筒的外径大小相同。优选的，所述支架平台的内径等于磨削套筒内径的大小，且其与支撑圆环之间形成一个凸台结构。优选的，所述集尘环槽的内腔设为L型回转结构，并且在集尘环槽内腔的底部的设有卸料槽孔。三有益效果本专利技术具备以下有益效果：1、该基于气流压力式的硅片减薄磨削机构，通过气流喷嘴和支架机构的设置，利用气流的方式从下方将需要磨削的硅片输送到磨削片上，并通过硅片与磨削片的接触时间来控制其磨削的程度，与现有的硅片磨削技术相比，可以有效的忽略磨削片在磨削过程中的磨损问题，使其厚度在不断衰减的过程中不会对硅片的磨削量造成影响，进而有效的提高了硅片在磨削减薄时的加工精度，稳定性及可控性较高。2、该基于气流压力式的硅片减薄磨削机构，对于气流喷嘴外部结构的设置，可以对通入的气流形成一个紊流的作用，使其可以稳定的对放置在支撑圆环的硅片向上推动输送，从而避免了因气流的不稳定而造成硅片出现倾斜的问题，进而导致硅片的顶部出现不同程度的磨削，进一步地提高了该磨削设备对于硅片的磨削精度。附图说明图1为本专利技术结构示意图；图2为本专利技术结构磨削套筒的左侧剖视图；图3为本专利技术结构磨削套筒的右侧示意图；图4为本专利技术气流喷嘴的结构示意图；图5为本专利技术支架机构的结构示意图。图中：1、安装底座；2、磨削套筒；3、半圆形通槽；4、半圆形卡槽；5、气流喷嘴；6、液压支架；7、液压驱动缸；8、支架机构；81、密封圆环；82、支架平台；83、支撑圆环；9、电机支架；10、驱动电机；11、磨削片；12、集尘环槽。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1-5，一种基于气流压力式的硅片减薄磨削机构，包括安装底座1，安装底座1顶端固定安装有磨削套筒2，磨削套筒2中部的一侧设有半圆形通槽3，且磨削套筒2中部的另一侧设有半圆形卡槽4，安装底座1顶端的中部且位于磨削套筒2的内腔中固定安装有气流喷嘴5，磨削套筒2外部一侧的底部且位于半圆形通槽3的正下方固定安装有液压支架6，液压支架6顶端的一侧固定安装有液压驱动缸7，液压驱动缸7的输出传动轴固定安装有支架机构8，且支架机构8的外表面与半圆形通槽3的内部接触，磨削套筒2外部的另一侧固定安装有电机支架9，电机支架9顶端的一侧螺纹连接有驱动电机10，且驱动电机10的输出轴且位于磨削套筒2的顶部传动连接有磨削片11，磨削套筒2的顶部且位于磨削片11的外围固定安装有集尘环槽12。本技术方案中，磨削套筒2内腔的底部设为弧形曲面结构。本技术方案中，气流喷嘴5的外部设为沙漏型机构，且在其腰部均匀的设有六组与外界气压泵相通的通气孔，同时气流喷嘴5顶端的外径是磨削套筒2内径的0.3～0.7倍。其中，对于气流喷嘴5外部的设置，可以对通入的气流形成一个紊流的作用，使其可以稳定的对放置在支架机构8的硅片向上进行推动，从而避免了因气流的不稳定而造成硅片倾斜向上的问题，进而提高了该磨削设备对于硅片的磨削精度，稳定性及可靠性较高。本技术方案中，支架机构8包括密封圆环81，密封圆环81内腔的中部固定安装有支架平台82，且支架平台82的内壁与磨削套筒2的外表面接触，支架平台82的内壁固定安装有支撑圆环83。本技术方案中，密封圆环81的外部设为半圆形结构，且其内径与磨削套筒2的外径大小相同。其中，对于密封圆环81外部结构的设置，使其可以紧密的贴合在磨削套筒2的外表面上并对其形成密封作业，进一步的确保了磨削套筒2内腔中气流的稳定性，不会因气压的泄露而造成硅片倾斜的现象。本技术方案中，支架平台82的内径等于磨削套筒2内径的大小，且其与支撑圆环83之间形成一个凸台结构。其中，对于支架机构8的设置，利用液压驱动缸7的伸缩动作，可以自动快速的对研磨好的硅片进行更换，以实现对该减薄研磨机构的自动化控制，进而有效的提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于气流压力式的硅片减薄磨削机构，包括安装底座(1)，其特征在于：所述安装底座(1)顶端固定安装有磨削套筒(2)，所述磨削套筒(2)中部的一侧设有半圆形通槽(3)，且磨削套筒(2)中部的另一侧设有半圆形卡槽(4)，所述安装底座(1)顶端的中部且位于磨削套筒(2)的内腔中固定安装有气流喷嘴(5)，所述磨削套筒(2)外部一侧的底部且位于半圆形通槽(3)的正下方固定安装有液压支架(6)，所述液压支架(6)顶端的一侧固定安装有液压驱动缸(7)，所述液压驱动缸(7)的输出传动轴固定安装有支架机构(8)，且支架机构(8)的外表面与半圆形通槽(3)的内部接触，所述磨削套筒(2)外部的另一侧固定安装有电机支架(9)，所述电机支架(9)顶端的一侧螺纹连接有驱动电机(10)，且驱动电机(10)的输出轴且位于磨削套筒(2)的顶部传动连接有磨削片(11)，所述磨削套筒(2)的顶部且位于磨削片(11)的外围固定安装有集尘环槽(12)。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于气流压力式的硅片减薄磨削机构，包括安装底座(1)，其特征在于：所述安装底座(1)顶端固定安装有磨削套筒(2)，所述磨削套筒(2)中部的一侧设有半圆形通槽(3)，且磨削套筒(2)中部的另一侧设有半圆形卡槽(4)，所述安装底座(1)顶端的中部且位于磨削套筒(2)的内腔中固定安装有气流喷嘴(5)，所述磨削套筒(2)外部一侧的底部且位于半圆形通槽(3)的正下方固定安装有液压支架(6)，所述液压支架(6)顶端的一侧固定安装有液压驱动缸(7)，所述液压驱动缸(7)的输出传动轴固定安装有支架机构(8)，且支架机构(8)的外表面与半圆形通槽(3)的内部接触，所述磨削套筒(2)外部的另一侧固定安装有电机支架(9)，所述电机支架(9)顶端的一侧螺纹连接有驱动电机(10)，且驱动电机(10)的输出轴且位于磨削套筒(2)的顶部传动连接有磨削片(11)，所述磨削套筒(2)的顶部且位于磨削片(11)的外围固定安装有集尘环槽(12)。


2.根据权利要求1所述的一种基于气流压力式的硅片减薄磨削机构，其特征在于：所述磨削套筒(2)内腔的底部设为弧形曲面结构。


3.根据权利要求1所述的一种基于气流压力式的硅片减薄磨...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏惠，
申请(专利权)人：夏惠，
类型：发明
国别省市：浙江;33