过流过压的自锁保护电路及适配器制造技术

本实用新型专利技术公开过流过压的自锁保护电路及适配器，包括过流监测单元、过压监测单元、输出开关单元和自锁保护单元；自锁保护单元的信号输入端连接外部的直流电源，输出开关单元的信号输出端连接自锁保护电路的供电输出端，输出开关单元的信号输入端连接自锁保护单元的信号输入端；过流监测单元的采样输入端用于采样外部的直流电源输出的电流信号以检测出过流信号；过压监测单元的采样输入端连接上自锁保护电路的供电输出端；自锁保护单元的反馈输入端同时连接过流监测单元的输出端和过压监测单元的输出端；输出开关单元的两个输入端分别连接自锁保护单元的两个输出端，自锁保护单元通过输出开关单元实现保护状态的自锁，避免出现打嗝抽电。

【技术实现步骤摘要】
过流过压的自锁保护电路及适配器
本技术属于电路保护的
，尤其涉及一种过流过压的自锁保护电路及适配器。
技术介绍
由于各种复杂的用电环境，电子器件在充电过程中难免会碰到严酷的超过器件本身额定的工作条件，或是人为操作失误，而这种情况下可能瞬间就会对电子器件产生损害，人工无法在很短时间内对电子器件进行断电保护。如果电子器件在充电过程中出现问题，而没有保护电路工作，就会造成电子器件寿命安全性降低，或直接损坏烧毁，造成难以估计的损失。在实际应用中，现有技术的过流保护电路在检测到采样电压信号高于保护点设定值时，过流保护电路产生保护信号分别输出给相关供电控制电路，供电控制电路立即响应迅速在短时间内切断电源供电，大电流立即消失，过流保护电路的保护信号也随即消失，这时，供电控制电路会在短时间内恢复电源供电，充电电流马上剧增，使得仍在充电的用电器设备反复承受“过流冲击-停止-过流冲击”这一打嗝抽电状态的冲击。现有技术还会采用MCU去检测过流保护电路产生保护信号，但MCU有效检测到保护信号是需要一定的检测时间的，过流保护电路的保护信号消本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过流过压的自锁保护电路，其特征在于，包括过流监测单元、过压监测单元、输出开关单元和自锁保护单元；/n自锁保护单元的信号输入端连接外部的直流电源，输出开关单元的信号输出端连接自锁保护电路的供电输出端，输出开关单元的信号输入端连接自锁保护单元的信号输入端，其中，自锁保护单元的信号输入端是所述自锁保护电路的电源输入端；/n过压监测单元的采样输入端连接上自锁保护电路的供电输出端；自锁保护单元的反馈输入端同时连接过流监测单元的输出端和过压监测单元的输出端；/n输出开关单元的两个输入端分别连接自锁保护单元的两个对应的输出端，自锁保护单元和输出开关单元还存在一个共地端。/n

【技术特征摘要】
1.一种过流过压的自锁保护电路，其特征在于，包括过流监测单元、过压监测单元、输出开关单元和自锁保护单元；
自锁保护单元的信号输入端连接外部的直流电源，输出开关单元的信号输出端连接自锁保护电路的供电输出端，输出开关单元的信号输入端连接自锁保护单元的信号输入端，其中，自锁保护单元的信号输入端是所述自锁保护电路的电源输入端；
过压监测单元的采样输入端连接上自锁保护电路的供电输出端；自锁保护单元的反馈输入端同时连接过流监测单元的输出端和过压监测单元的输出端；
输出开关单元的两个输入端分别连接自锁保护单元的两个对应的输出端，自锁保护单元和输出开关单元还存在一个共地端。


2.根据权利要求1所述自锁保护电路，其特征在于，所述自锁保护电路没有进入所述自锁保护状态的情况下，所述自锁保护电路的电源输入端和供电输出端之间存在通路。


3.根据权利要求1或2所述自锁保护电路，其特征在于，所述自锁保护单元包括第一组分压电阻、第二组分压电阻、第三组分压电阻、第一切换PMOS管和第二切换PMOS管，还包括一个NPN自锁开关三极管或一个自锁开关NMOS管；
第二切换PMOS管的源极和第二切换PMOS管的漏极分别为自锁保护单元的两个输出端，对应连接输出开关单元的两个输入端；
第一组分压电阻和第二组分压电阻存在一公共端连接到所述自锁保护电路的电源输入端，第一切换PMOS管的源极和第二切换PMOS管的源极都连接到所述自锁保护电路的电源输入端；第一组分压电阻的分压节点连接第一切换PMOS管的栅极，第二组分压电阻的分压节点连接第二切换PMOS管的栅极，第三组分压电阻的分压节点连接NPN自锁开关三极管的基电极或自锁开关NMOS管的栅极；第一组分压电阻和第二组分压电阻通过NPN自锁开关三极管或自锁开关NMOS管接地；第三组分压电阻通过第一切换PMOS管连接到所述自锁保护电路的电源输入端；NPN自锁开关三极管的基电极或自锁开关NMOS管的栅极连接所述自锁保护单元的反馈输入端。


4.根据权利要求3所述自锁保护电路，其特征在于，在所述自锁保护单元中，所述第一组分压电阻包括串联连接的第一电阻和第二电阻，所述第二组分压电阻包括串联连接的第三电阻和第四电阻，所述第三组分压电阻包括第五电阻，所述第三组分压电阻还包括第六电阻和/或第十一电阻；
第一电阻的一端连接所述自锁保护电路的电源输入端，第一电阻的另一端连接第二电阻的一端，第二电阻的另一端连接所述NPN自锁开关三极管的集电极或所述自锁开关NMOS管的漏极，其中，第一电阻和第二电阻的连接节点为所述第一组分压电阻的分压节点，该连接节点连接第一切换PMOS管的栅极，第一切换PMOS管的源极连接所述自锁保护电路的电源输入端；
第三电阻的一端连接所述自锁保护电路的电源输入端，第三电阻的另一端连接第四电阻的一端，第四电阻的另一端连接所述NPN自锁开关三极管的集电极或所述自锁开关NMOS管的漏极，其中，第三电阻和第四电阻的连接节点为所述第二组分压电阻的分压节点，该连接节点连接第二切换PMOS管的栅极，第二切换PMOS管的源极连接所述自锁保护电路的电源输入端；
第五电阻的一端连接第一切换PMOS管的漏极，第五电阻的另一端连接第六电阻的一端和/或第十一电阻的一端，第六电阻的另一端和/或第十一电阻的另一端接地，其中，第五电阻和第六电阻和/或第十一电阻的连接节点为所述第三组分压电阻的分压节点，该连接节点连接所述NPN自锁开关...

【专利技术属性】
技术研发人员：丘恒良，
申请(专利权)人：珠海市一微半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44