一种过流保护电路制造技术

本发明专利技术公开了一种过流保护电路，包括电源输入单元及负载单元，所述电源输入单元用于与所述负载单元形成供电回路，以为所述负载单元供电。所述过流保护电路还包括开关保护单元、电流检测单元及自锁控制单元。所述电流检测单元用于检测所述负载单元的电流大小，并根据检测结果输出检测信号至所述自锁控制单元，所述自锁控制单元根据所述检测信号判断所述负载单元是否发生过流，并根据判断结果控制所述开关保护单元导通或截止所述负载单元的供电回路，所述自锁控制单元还用于调整所述负载单元过流的响应范围。如此，在实现电路的过流保护功能的同时具有响应快、过流范围宽与损耗低的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种过流保护电路
本专利技术涉及电子
，尤其涉及一种过流保护电路。
技术介绍
在电路设计中，为防止负载在过流或短路的情况下，拉垮电源甚至烧毁器件，通常在电源与负载之间增加过流保护电路。然而，现有技术中所设计的过流保护电路响应的电流范围较小，使得在实际应用时存在只能保护过流而无法保护过载的现象，而解决办法通常也只是增加电流检测电阻的阻值，如此，将增加电路的功耗。
技术实现思路
鉴于此，有必要提供一种电流响应范围宽且低功耗的过流保护电路。本专利技术为达上述目的所提出的技术方案如下：一种过流保护电路，包括电源输入单元及负载单元，所述电源输入单元用于与所述负载单元形成供电回路，以为所述负载单元供电，所述过流保护电路还包括开关保护单元、电流检测单元及自锁控制单元，所述开关保护单元电连接于所述电源输入单元及所述电流检测单元之间，所述开关保护单元还与所述自锁控制单元电连接，所述电流检测单元电连接于所述开关保护单元及所述负载单元之间，所述电流检测单元还与所述自锁控制单元电连接，所述电流检测单元用于检测所述负载单元的电流大小，并根据检测结果输出检测信号至所述自锁控制单元，所述自锁控制单元根据所述检测信号判断所述负载单元是否发生过流，并根据判断结果控制所述开关保护单元导通或截止所述负载单元的供电回路，且在所述负载单元发生过流时，锁住所述开关保护单元的截止状态不变，所述自锁控制单元还用于调整所述过流保护电路对所述负载单元过流的响应范围。进一步地，当所述自锁控制单元判断所述负载单元没有发生过流时，所述自锁控制单元控制所述开关保护单元持续导通所述负载单元的供电回路；当所述自锁控制单元判断所述负载单元发生过流时，所述自锁控制单元将控制所述开关保护单元截止所述负载单元的供电回路。进一步地，所述电源输入单元包括直流电源(V1)，所述开关保护单元包括N沟道MOSFET管(K1)、第一电阻(R1)及第二电阻(R2)，所述电流检测单元包括第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第一PNP三极管(Q1)及第二PNP三极管(Q2)，所述自锁控制单元包括第三PNP三极管(Q3)及NPN三极管(Q4)，所述负载单元包括第七电阻(R7)，所述第三电阻(R3)的第一端与所述直流电源(V1)的正极电连接，所述第三电阻(R3)的第二端通过所述第七电阻(R7)与所述MOSFET管(K1)的漏极电连接，所述MOSFET管(K1)的栅极通过所述第一电阻(R1)电连接于所述直流电源(V1)的正极，所述MOSFET管(K1)的栅极还与所述第三PNP三极管(Q3)的基极及所述NPN三极管(Q4)的集电极电连接，所述MOSFET管(K1)的源极电连接于所述直流电源(V1)的负极，所述MOSFET管(K1)的源极还通过所述第二电阻(R2)电连接于所述MOSFET管(K1)的栅极，所述第一PNP三极管(Q1)的基极与所述第二PNP三极管(Q2)的基极电连接，所述第一PNP三极管(Q1)的发射极通过所述第四电阻(R4)电连接于所述第三电阻(R3)的第一端，所述第一PNP三极管(Q1)的集电极通过所述第五电阻(R5)接地，所述第一PNP三极管(Q1)的集电极还与所述第三PNP三极管(Q3)的集电极及所述NPN三极管(Q4)的基极电连接，所述第二PNP三极管(Q2)的发射极电连接于所述第三电阻(R3)的第二端，所述第二PNP三极管(Q2)的集电极与所述第二PNP三极管(Q2)的基极电连接，所述第二PNP三极管(Q2)的集电极还通过所述第六电阻(R6)接地，所述第三PNP三极管(Q3)的发射极电连接于所述直流电源(V1)的正极，所述第三PNP三极管(Q3)的基极与所述NPN三极管(Q4)的集电极电连接，所述PNP三极管(Q3)的集电极与所述NPN三极管(Q4)的基极电连接。所述NPN三极管(Q4)的发射极接地。进一步地，所述电流检测单元还包括第一电容(C1)及第二电容(C2)，所述第一电容(C1)并联连接于所述第五电阻(R5)的两端，所述第二电容(C2)并联连接于所述第六电阻(R6)的两端。进一步地，所述自锁控制单元还包括稳压二极管(Z1)、第八电阻(R8)及保护指示灯(LED1)，所述PNP三极管(Q3)的发射极依次通过所述保护指示灯(LED1)、所述第八电阻(R8)及所述稳压二极管(Z1)电连接至所述直流电源(V1)的正极。上述过流保护电路通过电流检测单元检测所述负载单元的电流大小，并根据检测结果输出检测信号；又通过所述自锁控制单元根据所述检测信号判断所述负载单元是否发生过流，进而根据判断结果控制开关保护单元导通或截止，以使得在所述负载单元过流时可切断供电回路，并锁住该截止状态不变；还可通过所述自锁控制单元调整所述负载单元过流的响应范围。本专利技术的电路保护响应的电流范围宽，可提高电路可靠性，且降低功耗。附图说明图1是本专利技术过流保护电路的一较佳实施方式的方框图。图2是本专利技术过流保护电路的一较佳实施方式的电路连接图。主要元件符号说明过流保护电路100电源输入单元10开关保护单元20电流检测单元30自锁控制单元40负载单元50直流电源V1MOSFET管K1PNP三极管Q1、Q2、Q3NPN三极管Q4电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8电容C1、C2稳压二极管Z1保护指示灯LED1如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。请参考图1，本专利技术提供一种过流保护电路100。所述过流保护电路100用于检测负载电流状态，并在负载过流发生时切断供电回路。所述过流保护电路100包括电源输入单元10、开关保护单元20、电流检测单元30、自锁控制单元40及负载单元50。所述开关保护单元20电连接于所述电源输入单元10及所述电流检测单元30之间，所述开关保护单元20还与所述自锁控制单元40电连接。所述电流检测单元30电连接于所述开关保护单元20及所述负载单元50之间，所述电流检测单元30还与所述自锁控制单元40电连接。所述电源输入单元10用于与所述负载单元50形成供电回路，并为所述负载单元50供电。所述电流检测单元30用于检测所述负载单元50的电流大小，并根据检测结果输出检测信号至所述自锁控制单元40。所述自锁控制单元40根据所述检测信号判断所述负载单元50是否发生过流，并根据判断结果控制所述开关保护单元20导通或截止所述负载单元50的供电回路，且在所述负载单元50发生过流时，锁住所述开关保护单元20的截止状态不变。所述自锁控制单元40还可用于调整所述过流保护电路100对所述负载单元50过流的响应范围。具体而言，当所述自锁控制单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过流保护电路，包括电源输入单元及负载单元，所述电源输入单元用于与所述负载单元形成供电回路，以为所述负载单元供电，其特征在于，所述过流保护电路还包括开关保护单元、电流检测单元及自锁控制单元，所述开关保护单元电连接于所述电源输入单元及所述电流检测单元之间，所述开关保护单元还与所述自锁控制单元电连接，所述电流检测单元电连接于所述开关保护单元及所述负载单元之间，所述电流检测单元还与所述自锁控制单元电连接，所述电流检测单元用于检测所述负载单元的电流大小，并根据检测结果输出检测信号至所述自锁控制单元，所述自锁控制单元根据所述检测信号判断所述负载单元是否发生过流，并根据判断结果控制所述开关保护单元导通或截止所述负载单元的供电回路，且在所述负载单元发生过流时，锁住所述开关保护单元的截止状态不变，所述自锁控制单元还用于调整所述过流保护电路对所述负载单元过流的响应范围。/n

【技术特征摘要】
1.一种过流保护电路，包括电源输入单元及负载单元，所述电源输入单元用于与所述负载单元形成供电回路，以为所述负载单元供电，其特征在于，所述过流保护电路还包括开关保护单元、电流检测单元及自锁控制单元，所述开关保护单元电连接于所述电源输入单元及所述电流检测单元之间，所述开关保护单元还与所述自锁控制单元电连接，所述电流检测单元电连接于所述开关保护单元及所述负载单元之间，所述电流检测单元还与所述自锁控制单元电连接，所述电流检测单元用于检测所述负载单元的电流大小，并根据检测结果输出检测信号至所述自锁控制单元，所述自锁控制单元根据所述检测信号判断所述负载单元是否发生过流，并根据判断结果控制所述开关保护单元导通或截止所述负载单元的供电回路，且在所述负载单元发生过流时，锁住所述开关保护单元的截止状态不变，所述自锁控制单元还用于调整所述过流保护电路对所述负载单元过流的响应范围。


2.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，当所述自锁控制单元判断所述负载单元没有发生过流时，所述自锁控制单元控制所述开关保护单元持续导通所述负载单元的供电回路；当所述自锁控制单元判断所述负载单元发生过流时，所述自锁控制单元将控制所述开关保护单元截止所述负载单元的供电回路。


3.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，所述电源输入单元包括直流电源(V1)，所述开关保护单元包括N沟道MOSFET管(K1)、第一电阻(R1)及第二电阻(R2)，所述电流检测单元包括第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第一PNP三极管(Q1)及第二PNP三极管(Q2)，所述自锁控制单元包括第三PNP三极管(Q3)及NPN三极管(Q4)，所述负载单元包括第七电阻(R7)，所述第三电阻(R3)的第一端与所述直流电源(V1)的正极电连接，所述第三电阻(R3)的第二端通过所述第七电阻(R7)与所述MOSFET管(K1)的漏极电连接，所述MOSFET管(K1)的栅极通过所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴晓光，黄辉，傅俊寅，汪之涵，
申请(专利权)人：深圳青铜剑技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44