【技术实现步骤摘要】
一种可稳定硅源浓度的气动阀门组件
本技术涉及硅片生产领域,特别是涉及一种可稳定硅源浓度的气动阀门组件。
技术介绍
现在在外延片的生产中需要用到外延炉,需要将氢气和三氯氢硅(TCS)通入到气源钢瓶中进行鼓泡蒸发,蒸发后的饱和气体硅源再通入到外延炉中,据拉乌尔定律,压力是决定浓度的主要因素;为稳定浓度,控制稳定的压力可有效改善硅源的浓度稳定性,而提高外延片厚度稳定,需要提高硅源浓度稳定性,硅源浓度稳定主要受载气压力影响,在实际使用过程中,载气动态和静态压力会引起硅源浓度变化,这种浓度的变化主要是氢气的进气压力造成的。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种可稳定硅源浓度的气动阀门组件,通过设置两个气路,实现动态和静态压力的自动切换,保持动态和静态压力为同一数值,从而达到硅源浓度稳定的目的。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:提供一种可稳定硅源浓度的气动阀门组件,包括与氢气输入端相连的进气阀,所述的进气阀同时连接静态气路和载气气路,所述的静态气路上设置有静态手动阀、静态常开气动阀和静态调压 ...
【技术保护点】
1.一种可稳定硅源浓度的气动阀门组件,包括与氢气输入端相连的进气阀(1),其特征在于,所述的进气阀(1)同时连接静态气路和载气气路,所述的静态气路上设置有静态手动阀(2)、静态常开气动阀(3)和静态调压阀(4),所述的载气气路上设置有常闭气动阀(5)和载气调压阀(6),所述的静态气路和载气气路同时通入到气源钢瓶中。/n
【技术特征摘要】
1.一种可稳定硅源浓度的气动阀门组件,包括与氢气输入端相连的进气阀(1),其特征在于,所述的进气阀(1)同时连接静态气路和载气气路,所述的静态气路上设置有静态手动阀(2)、静态常开气动阀(3)和静态调压阀(4),所述的载气气路上设置有常闭气动阀(5...
【专利技术属性】
技术研发人员:李慎重,蒋玉龙,王震,陈华,田达晰,张银光,邓伟,马向阳,杨德仁,
申请(专利权)人:金瑞泓微电子衢州有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江;33
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