一种脉冲磁场调控HiPIMS放电靶装置制造方法及图纸

一种脉冲磁场调控HiPIMS放电靶装置，属于真空镀膜技术领域。绝缘套筒可拆卸套装在水冷箱上，压紧套可拆卸套装在绝缘套筒上并将靶压紧贴附于水冷箱上面，连接板可拆卸设置在水冷箱下部，绝缘垫位于连接板与连接套筒之间且三者可拆卸连接，磁轭筒与连接套筒可拆卸连接，磁轭柱可拆卸设置在磁轭筒内，内线圈设置在磁轭柱与磁轭筒之间，外线圈套装在磁轭筒上，水冷箱上紧密套装有绝缘环和真空室，真空室侧壁和靶分别连接HiPIMS电源的阳极和阴极，内线圈与内线圈电源连接，外线圈与外线圈电源连接，匹配单元用于调控HiPIMS电源与外线圈电源和内线圈电源之间的脉冲相位，在电源单元作用下，在HiPIMS脉冲电压持续期间在靶表面获得磁力线。本实用新型专利技术用于真空镀膜中。

【技术实现步骤摘要】
一种脉冲磁场调控HiPIMS放电靶装置
本技术属于真空镀膜
，具体涉及一种脉冲磁场调控HiPIMS放电靶装置。
技术介绍
目前，薄膜材料已经成为国家制造业中的一种重要材料，优异性能的薄膜材料能够显著地提高零部件使用性能，具有巨大的经济效益，是全球经济迅速增长的源动力之一，被广泛地应用于航空、航天、能源及生物等领域，它的发展将在很大程度上影响我国制造业的快速进步。制备薄膜材料的方法较多，其中高功率脉冲磁控溅射（HighPowerImpulseMagnetronSputtering,HiPIMS）技术结合了传统直流磁控溅射（DCMS）和多弧离子镀的优点，作为物理气相沉积法（PVD）家族的新成员，HiPIMS具有显著的高离化率、薄膜结构可控且致密、膜基结合力高等特点，自发现以来即受到了国内外专家的广泛关注，近些年来，逐渐成为PVD领域的研究热点之一。与直流磁控溅射（DCMS）相比，HiPIMS的离化率较高，高达70-100%（DCMS为1%）。但是，由于HiPIMS的溅射靶离子向着靶的反向运动（回吸效应），运动至工件表面溅射粒子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种脉冲磁场调控HiPIMS放电靶装置，包括靶（2）；其特征在于：所述脉冲磁场调控HiPIMS放电靶装置还包括电源单元、真空室（1）、磁轭筒（3）、内线圈（4）、外线圈（5）、水冷箱（11）、绝缘套筒（12）、压紧套（13）、绝缘环（16）、连接板（15）、绝缘垫（14）、连接套筒（17）及磁轭柱（18）；所述电源单元包括匹配单元（7）、HiPIMS电源（8）、外线圈电源（9）及内线圈电源（10）；/n所述绝缘套筒（12）可拆卸套装在水冷箱（11）外侧，所述压紧套（13）可拆卸套装在绝缘套筒（12）外侧，压紧套（13）上端将所述靶（2）压紧并紧密贴附于水冷箱（11）上表面，水冷箱（11）侧...

【技术特征摘要】
1.一种脉冲磁场调控HiPIMS放电靶装置，包括靶（2）；其特征在于：所述脉冲磁场调控HiPIMS放电靶装置还包括电源单元、真空室（1）、磁轭筒（3）、内线圈（4）、外线圈（5）、水冷箱（11）、绝缘套筒（12）、压紧套（13）、绝缘环（16）、连接板（15）、绝缘垫（14）、连接套筒（17）及磁轭柱（18）；所述电源单元包括匹配单元（7）、HiPIMS电源（8）、外线圈电源（9）及内线圈电源（10）；
所述绝缘套筒（12）可拆卸套装在水冷箱（11）外侧，所述压紧套（13）可拆卸套装在绝缘套筒（12）外侧，压紧套（13）上端将所述靶（2）压紧并紧密贴附于水冷箱（11）上表面，水冷箱（11）侧壁的下部设有进水口（19）和回水口（20），所述连接板（15）设置在水冷箱（11）下部且二者可拆卸连接，所述绝缘垫（14）位于连接板（15）与连接套筒（17）之间，连接板（15）与绝缘垫（14）及连接套筒（17）可拆卸连接，所述磁轭筒（3）上端设置在连接套筒（17）内且二者可拆卸连接，所述磁轭柱（18）沿竖向设置在磁轭筒（3）内且二者可拆卸连接，所述内线圈（4）设置在磁轭柱（18）与磁轭筒（3）之间，所述外线圈（5）套装在磁轭筒（3）上，水冷箱（11）外侧由内至外依次紧密套装有绝缘环（16）和真空室（1），真空室（1）侧壁和靶（2）分别连接HiPIMS电源（8）的阳极和阴极，所述内线圈...

【专利技术属性】
技术研发人员：许建平，陈晶，于久灏，王景旭，
申请(专利权)人：黑龙江省海振科技有限公司，
类型：新型
国别省市：黑龙江;23