发光元件制造技术

该发光元件设置有通过层压以下元件而获得的层压结构：通过层压多个薄膜而形成的第一光反射层41；发光结构20；以及通过层压多个薄膜而形成的第二反光层42。通过层压第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22获得发光结构。在发光结构20中，平行于由有源层23占据的虚构平面形成光吸收材料层71(32)。L

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件
本公开涉及一种发光元件(具体地，也称为垂直腔表面发射激光器VCSEL的表面发射激光器元件)。
技术介绍
例如，如文献“NonpolarIII-nitridevertical-cavitysurface-emittinglasersincorporatinganionimplantedaperture”中所公开的，表面发射激光器元件使光在两个光反射层(分布式布拉格反射层，即DBR层)之间发生共振，从而产生激光振荡。在两个DBR层之间形成有发光结构。发光结构包括n型GaN基化合物半导体层、包括MQW的有源层和p型GaN基化合物半导体层。此外，在p型GaN基化合物半导体层上形成构成一侧电极的ITO层，并且在ITO层上依次形成包括具有1/8波长厚度的Ta2O5的间隔层和p侧DBR层。光强分布的最大振幅部分的位置(谐振器中驻波一侧的波腹的位置)与有源层的位置一致，并且将吸收光的ITO层与光强分布的最小振幅部分的位置(谐振器中驻波另一侧的波腹的位置)一致，从而获得阈值电流减小的结构。具体地，从有源层的厚度方向中心到ITO层的厚度方向中心的光学距离本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，包括：/n堆叠结构，在堆叠状态下，所述堆叠结构包括：/n第一光反射层，在所述第一光反射层中堆叠有多个薄膜，/n发光结构，以及/n第二光反射层，在所述第二光反射层中堆叠有多个薄膜，/n其中，所述发光结构包括：/n第一化合物半导体层，/n有源层，以及/n第二化合物半导体层，所述第二化合物半导体层从所述第一光反射层侧堆叠，/n所述发光结构通过光吸收材料层形成，所述光吸收材料层平行于由所述有源层占据的虚拟平面，并且/n假设从所述有源层发射的且具有最大强度的光的波长为λ

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180306 JP 2018-0395971.一种发光元件，包括：
堆叠结构，在堆叠状态下，所述堆叠结构包括：
第一光反射层，在所述第一光反射层中堆叠有多个薄膜，
发光结构，以及
第二光反射层，在所述第二光反射层中堆叠有多个薄膜，
其中，所述发光结构包括：
第一化合物半导体层，
有源层，以及
第二化合物半导体层，所述第二化合物半导体层从所述第一光反射层侧堆叠，
所述发光结构通过光吸收材料层形成，所述光吸收材料层平行于由所述有源层占据的虚拟平面，并且
假设从所述有源层发射的且具有最大强度的光的波长为λ0，假设占据从所述有源层到所述光吸收材料层的范围的层的层等效折射率是neq，假设从所述有源层到所述光吸收材料层的光学距离是Lop，并且假设Λ≡{(2m+1)λ0}/(4neq)(其中，m是等于或大于0的整数)，则
Lop的值是不同于Λ的值，并且
所述光吸收材料层所在的一侧的光反射层的厚度Tave是不同于厚度TDBR的值，
其中，假设构成所述光吸收材料层所在的一侧的光反射层的薄膜的折射率为ni，并且假设薄膜的总数为l，则
TDBR＝∑(λ0/4ni)，
i＝1,2,3,…,l，并且
∑表示从i＝1到i＝l的总和。


2.根据权利要求1所述的发光元件，
其中，Lop的值为
0.95×Λ≤Lop≤0.99×Λ
并且
TDBR<Tave。


3.根据权利要求1所述的发光元件，
其中，Lop的值为
0.95×Λ≤Lop≤0.99×Λ
并且
所述光吸收材料层所在的一侧的光反射层的阻带中心的波长大于λ0。


4.根据权利要求1所述的发光元件，
其中，Lop的值为
1.01×Λ≤Lop≤1.05×Λ
并且
Tave<TDBR。


5.根据权利要求1所述的发光元件，
其中，Lop的值为
1.01×Λ≤Lop≤1.05×Λ
并且
所述光吸收材料层所在的一侧的光反射层的阻带中心的波长小于λ0。


6.一种发光元件，包括：
堆叠结构，在堆叠状态下，所述堆叠结构包括：
第一光反射层，
发光结构，以及
第二光反射层，
...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤井贤太郎，滨口达史，幸田伦太郎，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP