用于涂覆刻蚀室的粉末制造技术

颗粒粉末，按数量计大于95％的所述颗粒具有大于或等于0.85的圆形度，以基于氧化物的重量百分比计，该粉末包含大于99.8％的稀土氧化物和/或铪氧化物和/或铝氧化物，并且该粉末具有：‑小于15μm的中值粒径D

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于涂覆刻蚀室的粉末
本专利技术涉及一种适合通过等离子体而沉积的粉末，一种制造这种粉末的方法，以及一种通过等离子体喷涂所述粉末而获得的涂层、更具体地是一种半导体刻蚀室的涂层。
技术介绍
用于处理(例如通过等离子体刻蚀)半导体(例如硅晶片)的室的内表面通常用陶瓷涂层进行保护，该陶瓷涂层通过等离子体喷涂来施加。该涂层需要对含卤素的等离子体或高腐蚀性环境具有高抗性。等离子体喷涂需要具有高流动性和允许在喷涂过程中适当加热的颗粒形态的粉末作为进料粉末。更特别地，颗粒的尺寸必须足以使颗粒透过等离子体并限制蒸发损失。例如，为了形成较大的(和多孔的)聚集物、更特别地是烧结的聚集物，在没有额外的固结步骤的情况下，通过热解制造工艺或化学制造工艺直接获得的超细粉末不适合于等离子体喷涂。由于等离子体喷涂不能导致所有聚集物熔化，因此所得涂层具有多孔性。通过喷涂烧结的聚集物而获得的涂层的总孔隙度通常为2％至3％，这不适用于保护半导体刻蚀室的内表面。更具体地，在US6,916,534、US2007/077363或US2008/0112873中描述的烧结粉末不能通过热本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种熔化颗粒的粉末，按数量计大于95％的所述颗粒具有大于或等于0.85的圆形度，以基于氧化物的质量百分比计，所述粉末包含大于99.8％的稀土金属氧化物和/或铪氧化物和/或铝氧化物，并且所述粉末具有：/n-小于15μm的中值粒径D

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180131 FR 18508211.一种熔化颗粒的粉末，按数量计大于95％的所述颗粒具有大于或等于0.85的圆形度，以基于氧化物的质量百分比计，所述粉末包含大于99.8％的稀土金属氧化物和/或铪氧化物和/或铝氧化物，并且所述粉末具有：
-小于15μm的中值粒径D50，小于30μm的粒径的90百分位D90，以及小于2的尺寸分散指数(D90–D10)/D10；
-大于90％的相对密度，
粉末的百分位Dn为在所述粉末中的颗粒的尺寸的累积分布曲线上对应于数量百分比为n％的粒径，所述粒径以递增次序分类。


2.如前述权利要求所述的粉末，所述粉末具有
-尺寸小于或等于5μm的颗粒的数量百分比大于5％，和/或
-小于10μm的中值粒径D50，和/或
-小于25μm的粒径的90百分位D90，和/或
-小于40μm的粒径的99.5百分位D99.5，和/或
-小于1.5的尺寸分散指数(D90-D10)/D10。


3.如前述权利要求中任一项所述的粉末，其中，所述颗粒的中值粒径D50小于8μm。


4.如前述权利要求中任一项所述的粉末，以基于氧化物的质量百分比计，所述粉末包含大于99.8％的Yb2O3和/或Y2O3和/或Y3Al5O12和/或钇氟氧化物，优选式YaObFc的钇氟氧化物，其中a为1，b为0.7至1.1，并且c为1至1.5，优选选自YOF和Y5O4F7的氟氧化物或这些氟氧化物的混合物。


5.一种用于制造如前述权利要求中任一项所述的粉末的方法，所述方法包括以下步骤：
a)使颗粒状装料粒化以获得中值粒径D'50为20微米至60微米的粒子粉末，以基于氧化物的质量百分比计，所述颗粒状装料包含超过99.8％的稀土金属氧化物和/或铪氧化物和/或铝氧化物；
b)在引起以数量百分比计大于50％的所注入的粒子破裂的注入条件下，借助载气，将所述粒子粉末通过至少一个注入孔口注入至由等离子体枪产生的等离子体射流，以获得熔化的液滴，所注入的所述粒子粉末的流速为小于2g/min每千瓦等离子体枪的功率，并且通过所述注入孔口、优选地通过每个注入孔口注入的粒子的以质量计的量与所述注入孔口的表面积...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿兰·阿利芒，霍华德·瓦拉尔，
申请(专利权)人：法商圣高拜欧洲实验及研究中心，
类型：发明
国别省市：法国;FR