一种背硅刻蚀型剪切波滤波器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种背硅刻蚀型剪切波滤波器及其制备方法，该滤波器包括：硅衬底、压电材料层以及顶部电极，所述顶部电极采用石墨烯制成；所述压电材料层覆盖在所述硅衬底上，所述硅衬底设有凹槽以使所述压电材料层位于所述凹槽处的下表面能够与空气接触，所述顶部电极设置在所述压电材料层的上表面。该背硅刻蚀型剪切波滤波器采用石墨烯作为顶部电极，可以极大地减小滤波器的电学损耗以及插入损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种背硅刻蚀型剪切波滤波器及其制备方法
本专利技术涉及薄膜体声波滤波器
，尤其涉及一种背硅刻蚀型剪切波滤波器及其制备方法。
技术介绍
薄膜体声波滤波器可以将外加电场转换为声场，因此与介质滤波器相比，薄膜体声波滤波器具有更小的体积。目前常用的压电材料主要有AlN、ZnO、LiNiO3、LiTaO3等。由于AlN中的声波传播速率较大，而且制备方法较为简单，因此目前AlN薄膜体声波滤波器已经大规模应用于手机射频器件。但是，目前薄膜体声波滤波器通常使用金属材料做为电极，如金属钼、铝等，导致现有的薄膜体声波滤波器的电学损耗较高。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的之一在于提供一种背硅刻蚀型剪切波滤波器，其采用石墨烯作为顶部电极，可以极大地减小滤波器的电学损耗以及插入损耗。本专利技术的目的之二在于提供一种背硅刻蚀型剪切波滤波器的制备方法，其采用石墨烯作为滤波器的顶部电极，所制备得到的滤波器可以极大地减小滤波器的电学损耗以及插入损耗。本专利技术的目的之一采用如下技术方案实现：<br>一种背硅刻蚀型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背硅刻蚀型剪切波滤波器，其特征在于，包括：硅衬底、压电材料层以及顶部电极，所述顶部电极采用石墨烯制成；所述压电材料层覆盖在所述硅衬底上，所述硅衬底设有凹槽以使所述压电材料层位于所述凹槽处的下表面能够与空气接触，所述顶部电极设置在所述压电材料层的上表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种背硅刻蚀型剪切波滤波器，其特征在于，包括：硅衬底、压电材料层以及顶部电极，所述顶部电极采用石墨烯制成；所述压电材料层覆盖在所述硅衬底上，所述硅衬底设有凹槽以使所述压电材料层位于所述凹槽处的下表面能够与空气接触，所述顶部电极设置在所述压电材料层的上表面。


2.如权利要求1所述的背硅刻蚀型剪切波滤波器，其特征在于，所述顶部电极为正负电极交替排列的叉指电极。


3.如权利要求2所述的背硅刻蚀型剪切波滤波器，其特征在于，所述顶部电极的石墨烯层数为1至100层。


4.如权利要求2所述的背硅刻蚀型剪切波滤波器，其特征在于，所述顶部电极的相邻叉指的间距为100nm至5μm；所述顶部电极的叉指的宽度为500nm至3μm，所述顶部电极的叉指的长度为48μm至300μm。


5.如权利要求1所述的背硅刻蚀型剪切波滤波器，其特征在于，所述压电材料层的厚度为100nm至5μm。


6.如权利要求5所述的背硅刻蚀型剪切波滤波器，其特征在于，所述压电材料层采用ZnO、PZT、AlN或铌酸锂制成。


7.如权利要求1所述的背硅刻蚀型剪切波滤波器，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：河源市众拓光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44