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本发明公开了一种背硅刻蚀型剪切波滤波器及其制备方法，该滤波器包括：硅衬底、压电材料层以及顶部电极，所述顶部电极采用石墨烯制成；所述压电材料层覆盖在所述硅衬底上，所述硅衬底设有凹槽以使所述压电材料层位于所述凹槽处的下表面能够与空气接触，所述顶...
该专利属于河源市众拓光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河源市众拓光电科技有限公司授权不得商用。

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