一种太阳能电池及其制备方法技术

本申请涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制备方法，其中，方法包括以下步骤：(1)对制绒后的硅片进行正面硼扩散，形成硼扩散层及硼硅玻璃；(2)对硅片进行背面刻蚀后进行氧化，形成隧穿氧化层；(3)在隧穿氧化层表面沉积非晶硅层；(4)去除硅片正面绕镀的非晶硅层；(5)对非晶硅层进行磷掺杂，形成掺杂型非晶硅层及磷硅玻璃层；(6)去除硼硅玻璃层和磷硅玻璃层。本申请的太阳能电池及其制备方法，能够有效降低去绕镀处理产生的过刻现象。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及其制备方法
本申请涉及光伏电池
，具体地讲，涉及一种太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
由于光伏组件作为新能源行业中的重要组成部分，得益于其灵活的发电方式、强悍的环境适应能力，使得光伏组件获得了大规模的应用。隧穿氧化层钝化接触(TOPCon，TunnelOxidePassivatedContact)技术是一种新型硅太阳能电池技术，具体地，首先在电池背面制备一层超薄(1.5nm左右)氧化硅，然后再沉积一层掺杂非晶硅层，二者共同形成钝化接触结构，这两层材料为硅片的背面提供了良好的表面钝化，由于氧化层很薄，掺杂的非晶硅层对于多子来说具有很好的传导性，多子可以穿透这两层钝化层，而少子则被阻挡，极大地降低了少子的复合速率，因而TOPCon电池具有高的开路电压和填充因子。在多晶硅镀膜过程中，硅衬底正面的绕镀一直是阻碍TOPCon电池量产的主要问题。在对背面非晶硅磷掺杂的过程中，磷也会向硅片正面扩散，破坏硅片正面的硼硅玻璃层(BSG)，导致去绕镀的药液与正面硅片反应，硅片正面产生过刻现象。r>
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)对制绒后的硅片进行正面硼扩散，形成硼扩散层及硼硅玻璃层；/n(2)对所述硅片进行背面刻蚀后进行氧化，形成隧穿氧化层；/n(3)在所述隧穿氧化层表面沉积非晶硅层；/n(4)去除所述硅片正面绕镀的非晶硅层；/n(5)对所述非晶硅层进行磷掺杂，形成掺杂型非晶硅层及磷硅玻璃层；/n(6)去除所述硼硅玻璃层和所述磷硅玻璃层。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)对制绒后的硅片进行正面硼扩散，形成硼扩散层及硼硅玻璃层；
(2)对所述硅片进行背面刻蚀后进行氧化，形成隧穿氧化层；
(3)在所述隧穿氧化层表面沉积非晶硅层；
(4)去除所述硅片正面绕镀的非晶硅层；
(5)对所述非晶硅层进行磷掺杂，形成掺杂型非晶硅层及磷硅玻璃层；
(6)去除所述硼硅玻璃层和所述磷硅玻璃层。


2.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，在步骤(6)之后，所述方法还包括：
(7)在所述硅片的正面和/或背面制备钝化层；
(8)对所述硅片进行丝网印刷并烧结形成电极。


3.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述步骤(4)，包括：
用配制好的混合酸清洗所述硅片正面绕镀的非晶硅层100～120秒，所述混合酸包括体积占比为10～12％的氢氟酸溶液、体积占比为45～50％的硝酸溶液、体积占比为10～13％的硫酸溶液及体积占比为25～30％的水。


4.根据权利要求3所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述混合酸的温度控制在8～12℃。


5.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述步骤(6)，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊诗龙，金井升，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科绿能上海管理有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33