一种太阳能电池的制作方法技术

本申请公开了一种太阳能电池的制作方法，包括对硅片进行本征非晶硅或本征多晶硅镀膜，在所述硅片的目标沉积面沉积本征非晶硅或本征多晶硅，在所述硅片的非目标沉积面形成绕镀区域；对所述硅片进行磷扩散，在所述目标沉积面上得到掺磷多晶硅层，在所述非目标沉积面形成绕扩区域，所述绕扩区域全部位于所述绕镀区域内；去除所述绕镀区域。上述太阳能电池的制作方法，能够避免去绕镀过程中产生过刻的现象，提高电池的合格率，节约生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池的制作方法
本专利技术属于光伏设备
，特别是涉及一种太阳能电池的制作方法。
技术介绍
TOPCon(TunnelOxidePassivatedContact)电池现在成为了光伏行业的一个热点，Topcon电池的制备需要用到非晶硅或多晶硅沉积技术，非晶硅或多晶硅沉积一般采用LPCVD(LowPressureChemicalVaporDeposition，低压力化学气相沉积法)设备，在LPCVD过程中，除了在硅片的一个面(目标沉积面)上沉积一层非晶硅或多晶硅之外，还会在硅片的另一个面(非目标沉积面)上沉积一层非晶硅或多晶硅，这就是行业所称的“绕镀”，这个非目标沉积面也被称为“绕镀面”，如果不去除非晶硅或多晶硅的绕镀，会影响电池的效率和良率。在常见的TOPCon电池的制作流程中，在目标沉积面沉积了本征非晶硅或本征多晶硅后，还要在目标沉积面上进行磷扩散，以形成掺杂多晶硅层，这种磷扩散过程也会出现“绕扩”的现象，磷扩的绕扩原理和非晶硅或多晶硅的绕镀原理是一样的：除了在硅片的一个面(目标扩散面)扩散了磷之外，还会在硅片的另一个面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：/n对硅片进行本征非晶硅或本征多晶硅镀膜，在所述硅片的目标沉积面沉积本征非晶硅或本征多晶硅，在所述硅片的非目标沉积面形成绕镀区域；/n对所述硅片进行磷扩散，在所述目标沉积面上得到掺磷多晶硅层，在所述非目标沉积面形成绕扩区域，所述绕扩区域全部位于所述绕镀区域内；/n去除所述绕镀区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
对硅片进行本征非晶硅或本征多晶硅镀膜，在所述硅片的目标沉积面沉积本征非晶硅或本征多晶硅，在所述硅片的非目标沉积面形成绕镀区域；
对所述硅片进行磷扩散，在所述目标沉积面上得到掺磷多晶硅层，在所述非目标沉积面形成绕扩区域，所述绕扩区域全部位于所述绕镀区域内；
去除所述绕镀区域。


2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，
利用第一类型舟对硅片进行本征非晶硅或本征多晶硅镀膜，在所述硅片的非目标沉积面形成绕镀区域；
利用第二类型舟对所述硅片进行磷扩散，在所述硅片的非目标沉积面形成绕扩区域，所述绕扩区域全部位于所述绕镀区域内。


3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一类型舟为菱形舟，所述第二类型舟为U型舟。

【专利技术属性】
技术研发人员：金井升，张昕宇，王东，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33