【技术实现步骤摘要】
板级扇出型散热结构及其制备方法、电子元器件
本专利技术涉及集成电路封装
,具体涉及一种板级扇出型散热结构的制备方法及采用该方法制得的板级扇出型散热结构和包含该板级扇出型散热结构的电子元器件。
技术介绍
随着芯片功能化、系统化、微型化的发展,对芯片的散热提出了更高的挑战。尤其是在层叠封装结构中,芯片热管理的问题不容忽视。一般来说,电子元器件失效率会随着温度的上升呈指数规律上升,在70℃~80℃之间每上升1℃,电子元器件的可靠性则会降低5%。现有的散热结构制作过程中,效率低下、成本较高,为了同时满足散热结构的高效散热效果以及大批量的制备,亟需推出一种新的高效制备工艺。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种板级扇出型散热结构的制备方法,满足散热结构的高效散热效果的同时可以实现高效、大批量生产。本专利技术的目的之二在于提供一种板级扇出型散热结构及包含该板级扇出型散热结构的电子元器件,具有良好的散热效果。为达此目的,本专利技术采用以下技术方案:一方面,提供一种板级扇出型散热结构的制备方法,其特征在于,提供第一金属板、第二金属板和第三金属板,于所述第三金属板的一侧制作微流道出口,形成第一散热模块,于所述第二金属板上制作若干沿所述第二金属板的厚度方向贯穿所述第二金属板的微流道,形成第二散热模块,于所述第三金属板的一侧制作微流道存储区入口和与所述微流道存储区入口连通的微流道存储区,形成第三散热模块;分别将所述第一散热模块、所述第三散热模块与所述第二散热模块贴装连接, ...
【技术保护点】
1.一种板级扇出型散热结构的制备方法,其特征在于,提供第一金属板、第二金属板和第三金属板,于所述第三金属板的一侧制作微流道出口,形成第一散热模块,于所述第二金属板上制作若干沿所述第二金属板的厚度方向贯穿所述第二金属板的微流道,形成第二散热模块,于所述第三金属板的一侧制作微流道存储区入口和与所述微流道存储区入口连通的微流道存储区,形成第三散热模块;分别将所述第一散热模块、所述第三散热模块与所述第二散热模块贴装连接,使所述微流道存储区通过所述微流道与所述微流道出口连通,然后切割处理,制得板级扇出型散热结构。/n
【技术特征摘要】
1.一种板级扇出型散热结构的制备方法,其特征在于,提供第一金属板、第二金属板和第三金属板,于所述第三金属板的一侧制作微流道出口,形成第一散热模块,于所述第二金属板上制作若干沿所述第二金属板的厚度方向贯穿所述第二金属板的微流道,形成第二散热模块,于所述第三金属板的一侧制作微流道存储区入口和与所述微流道存储区入口连通的微流道存储区,形成第三散热模块;分别将所述第一散热模块、所述第三散热模块与所述第二散热模块贴装连接,使所述微流道存储区通过所述微流道与所述微流道出口连通,然后切割处理,制得板级扇出型散热结构。
2.根据权利要求1所述的板级扇出型散热结构的制备方法,其特征在于,所述第一散热模块的制备方法包括以下步骤:
S10a、提供第一载板和第一金属板,将所述第一金属板通过键合胶贴于所述第一载板上;
S10b、于所述第一载板上贴覆第一感光干膜;
S10c、对所述第一感光干膜进行曝光显影处理,使待蚀刻的微流道出口区域外露;
S10d、对外露的所述微流道出口区域进行蚀刻,制得微流道出口;
S10e、去除残留的所述第一感光干膜。
3.根据权利要求1所述的板级扇出型散热结构的制备方法,其特征在于,所述第二散热模块的制备方法包括以下步骤:
S20a、提供第二载板和第二金属板,将所述第二金属板通过键合胶贴于所述第二载板的一侧;
S20b、于所述第二金属板远离所述第二载板的一侧贴覆第二感光干膜;
S20c、对所述第二感光干膜进行曝光显影处理,使待蚀刻的微流道区域外露;
S20d、对外露的所述微流道区域进行蚀刻,形成微流道;
S20e、去除残留的所述第二感光干膜。
4.根据权利要求1所述的板级扇出型散热结构的制备方法,其特征在于,所述第三散热模块的制备方法包括以下步骤:
S30a、提供第三载板和第三金属板,将所述第三金属板通过键合胶贴于所述第三载板的一侧;
S30b、于所述第三金属板远离所述第三载板的一侧贴覆第三感光干膜;
S30c、对所述第三感光干膜进行曝光显影处理,使待蚀刻的微流道存储区入口区域外露;
S30d、对外露的所述微流道存储区入口区域进行蚀刻,形成微流道存储区入口;
S30e、去除残留的所述第三感光干膜,在所述第三金属板上贴覆第四感光干膜;
S30f、对所述第四感光干膜进行曝光显影处理,使邻近所述微流道存储区入口的微流道存储区的区域外露;
S30g、对外露的所述微流道存储区的区域进行蚀刻,形成与所述微流道存储区入口连通的微流道存储区;
S30h、去除残留的所述第四感光干膜。
5.根据权利要求1所述的板级扇出型散热结构的制备方法,其特征在于,采用激...
【专利技术属性】
技术研发人员:贺姝敏,林挺宇,杨斌,
申请(专利权)人:广东佛智芯微电子技术研究有限公司,广东芯华微电子技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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