静电吸盘及处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术的静电吸盘具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、第2主面；基座板，具有气体导入路；第1多孔质部，与所述气体导入路相对；及第2多孔质部，所述陶瓷电介体基板具有所述第1主面及第1孔部，所述第1多孔质部具有：第1多孔区域；及第1致密区域，所述第1多孔区域还具有第1致密部，所述第2多孔质部具有：第2多孔区域；及第2致密区域，所述第2多孔区域还具有第2致密部，当向垂直于从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的第1方向的平面进行投影时，构成为所述第1致密部与所述第1孔部发生重叠，所述第2致密部的一部分与所述第1致密部的一部分发生重叠，或者所述第2致密部的一部分与所述第1致密部的一部分接触。

【技术实现步骤摘要】
静电吸盘及处理装置
本专利技术的形态涉及一种静电吸盘及处理装置。
技术介绍
在氧化铝等的陶瓷电介体基板之间夹住电极并进行烧成而制作的陶瓷制的静电吸盘是在内置的电极上外加静电吸附用电力，并通过静电力来吸附硅晶片等的基板。在这样的静电吸盘中，在陶瓷电介体基板的表面与吸附对象物即基板的背面之间流入氦(He)等惰性气体，对吸附对象物即基板的温度进行控制。例如，在化学汽相沉积(CVD(ChemicalVaporDeposition))装置、溅射(sputtering)装置、离子注入装置、蚀刻(etching)装置等对基板进行处理的装置中，存在处理中会带来基板的温度上升的装置。在用于这样的装置的静电吸盘中，在陶瓷电介体基板与吸附对象物即基板之间流入He等惰性气体，通过使惰性气体接触基板来抑制基板的温度上升。在通过He等惰性气体来对基板温度进行控制的静电吸盘中，将用于导入He等惰性气体的孔(气体导入路)设置于陶瓷电介体基板及支撑陶瓷电介体基板的基座板。另外，在陶瓷电介体基板上设置连通于基座板的气体导入路的穿通孔。由此，从基座板的气体导入路导入的惰性气体，通过陶瓷电介体基板的穿通孔而被引导至基板的背面。在此，在装置内对基板进行处理时，有时会发生从装置内的等离子体朝向金属制的基座板的放电(电弧放电)。基座板的气体导入路及陶瓷电介体基板的穿通孔有可能容易成为放电的路径。于是，存在如下技术，通过在基座板的气体导入路及陶瓷电介体基板的穿通孔中设置多孔质部，从而提高对电弧放电的抗性(绝缘强度等)。例如，在专利文献1中公开有如下静电吸盘，通过在气体导入路内设置陶瓷烧结多孔体，将陶瓷烧结多孔体的构造及膜孔作为气体流路，从而提高在气体导入路内的绝缘性。另外，在专利文献2中公开有如下静电吸盘，在气体扩散用空隙内设置有由陶瓷多孔体所构成且用于防止放电的处理气体流路用的放电防止构件。另外，在专利文献3中公开有如下静电吸盘，作为如氧化铝这样的多孔质电介体而设置电介体插入件而降低电弧放电。另外，在专利文献4中公开有如下技术，通过激光加工法在由氮化铝等所构成的静电吸盘上设置连通于气体供给孔的多个细孔。在这样的静电吸盘中，要求进一步降低电弧放电。专利文献专利文献1：日本国特开2010-123712号公报专利文献2：日本国特开2003-338492号公报专利文献3：日本国特开平10-50813号公报专利文献4：日本国特开2009-218592号公报
技术实现思路
本专利技术是基于这样的问题的认知而进行的，所要解决的技术问题是提供一种可实现电弧放电的降低的静电吸盘及处理装置。第1专利技术为一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板且具有气体导入路；第1多孔质部，设置于所述陶瓷电介体基板且与所述气体导入路相对；及第2多孔质部，设置于所述基座板且与所述气体导入路相对，其特征为，所述陶瓷电介体基板具有位于所述第1主面与所述第1多孔质部之间的第1孔部，所述第1多孔质部具有：第1多孔区域，具有多个孔；及第1致密区域，比所述第1多孔区域更致密，所述第1多孔区域还具有至少1个第1致密部，所述第2多孔质部具有：第2多孔区域，具有多个孔；及第2致密区域，比所述第2多孔区域更致密，所述第2多孔区域还具有至少1个第2致密部，当向垂直于从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的第1方向的平面进行投影时，构成为所述第1致密部与所述第1孔部发生重叠，所述第2致密部的至少一部分与所述第1致密部的至少一部分发生重叠，或者所述第2致密部的至少一部分与所述第1致密部的至少一部分接触。根据该静电吸盘，在第1多孔质部中流动的电流，在设置有第2致密部的第2多孔质部中流动时迂回第2致密部而流动。因此，由于能够加长电流流动的距离(导电路程)，所以电子难以被加速，以至于能够抑制电弧放电的发生。第2专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1专利技术中，当向垂直于所述第1方向的平面进行投影时，所述第1致密部的尺寸与所述第1孔部的尺寸相同，或者所述第1致密部的尺寸小于所述第1孔部的尺寸。根据该静电吸盘，能够向第1致密部引导在第1孔部的内部流动的电流。因此，能够有效地加长电流流动的距离(导电路程)。第3专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1或第2专利技术中，当向垂直于所述第1方向的平面进行投影时，所述第2致密部与所述第1致密区域发生重叠，或者所述第2致密部与所述第1致密区域接触。根据该静电吸盘，能够抑制在第1多孔质部中流动的电流并不介由第2致密部而在第2多孔质部中流动。因此，能够有效地加长电流流动的距离(导电路程)。第4专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第3的任意一个专利技术中，所述第1多孔区域具有多个第1疏松部分、第1紧密部分，所述第1疏松部分具有所述多个孔，所述第1紧密部分具有比所述第1疏松部分的密度更高的密度，在所述第2方向上的尺寸小于在所述第2方向上的所述第1致密区域的尺寸，所述多个第1疏松部分分别在所述第1方向上延伸，所述第1紧密部分位于所述多个第1疏松部分的彼此之间，所述第1疏松部分具有位于所述多个孔的彼此之间的第1壁部，在与所述第1方向大致正交的第2方向上，所述第1壁部的尺寸的最小值小于所述第1紧密部分的尺寸的最小值。根据该静电吸盘，由于在第1多孔质部设置有在第1方向上延伸的第1疏松部分及第1紧密部分，因此能够确保对电弧放电的抗性及气体流量，同时能够提高第1多孔质部的机械强度(刚性)。第5专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第4的任意一个专利技术中，在所述第2方向上，分别设置于所述多个第1疏松部分的所述多个孔的尺寸，比所述第1紧密部分的尺寸更小，及/或在所述第2方向上，分别设置于所述多个第2疏松部分的所述多个孔的尺寸，比所述第2紧密部分的尺寸更小。根据该静电吸盘，由于能够充分减小多个孔的尺寸，因此能够进一步提高对电弧放电的抗性。第6专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第5的任意一个专利技术中，分别设置于所述多个第1疏松部分的所述多个孔的纵横比，及/或分别设置于所述多个第2疏松部分的所述多个孔的纵横比为30以上。根据该静电吸盘，能够进一步提高对电弧放电的抗性。第7专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第6的任意一个专利技术中，在所述第2方向上，分别设置于所述多个第1疏松部分的所述多个孔的尺寸，及/或分别设置于所述多个第2疏松部分的所述多个孔的尺寸为1微米以上、20微米以下。根据该静电吸盘，由于能够排列孔的尺寸为1～20微米的在1个方向上延伸的孔，因此能够实现对电弧放电的较高的抗性。第8专利技术为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第7的任意一个专利技术中，当沿着所述第1方向观察时，设置于所述第1疏松部分的多个孔包含位于所述第1疏松部分的中心部的第1孔，在所述多个孔中，邻接于所述第1孔且围住所述第1孔的孔的数量为6个，及/或当沿着所述第1方向观察时，设置于所述第2疏松部分的多个孔包含位于所述第2疏松部分的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面；/n基座板，支撑所述陶瓷电介体基板且具有气体导入路；/n第1多孔质部，设置于所述陶瓷电介体基板且与所述气体导入路相对；/n及第2多孔质部，设置于所述基座板且与所述气体导入路相对，其特征为，/n所述陶瓷电介体基板具有位于所述第1主面与所述第1多孔质部之间的第1孔部，/n所述第1多孔质部具有：第1多孔区域，具有多个孔；及第1致密区域，比所述第1多孔区域更致密，所述第1多孔区域还具有至少1个第1致密部，/n所述第2多孔质部具有：第2多孔区域，具有多个孔；及第2致密区域，比所述第2多孔区域更致密，所述第2多孔区域还具有至少1个第2致密部，/n当向垂直于从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的第1方向的平面进行投影时，构成为所述第1致密部与所述第1孔部发生重叠，所述第2致密部的至少一部分与所述第1致密部的至少一部分发生重叠，或者所述第2致密部的至少一部分与所述第1致密部的至少一部分接触。/n

【技术特征摘要】
20190305 JP 2019-039863;20200130 JP 2020-0136171.一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面；
基座板，支撑所述陶瓷电介体基板且具有气体导入路；
第1多孔质部，设置于所述陶瓷电介体基板且与所述气体导入路相对；
及第2多孔质部，设置于所述基座板且与所述气体导入路相对，其特征为，
所述陶瓷电介体基板具有位于所述第1主面与所述第1多孔质部之间的第1孔部，
所述第1多孔质部具有：第1多孔区域，具有多个孔；及第1致密区域，比所述第1多孔区域更致密，所述第1多孔区域还具有至少1个第1致密部，
所述第2多孔质部具有：第2多孔区域，具有多个孔；及第2致密区域，比所述第2多孔区域更致密，所述第2多孔区域还具有至少1个第2致密部，
当向垂直于从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的第1方向的平面进行投影时，构成为所述第1致密部与所述第1孔部发生重叠，所述第2致密部的至少一部分与所述第1致密部的至少一部分发生重叠，或者所述第2致密部的至少一部分与所述第1致密部的至少一部分接触。


2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，当向垂直于所述第1方向的平面进行投影时，所述第1致密部的尺寸与所述第1孔部的尺寸相同，或者所述第1致密部的尺寸大于所述第1孔部的尺寸。


3.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其特征为，当向垂直于所述第1方向的平面进行投影时，所述第2致密部与所述第1致密区域发生重叠，或者所述第2致密部与所述第1致密区域接触。


4.根据权利要求1～3中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，
所述第1多孔区域具有多个第1疏松部分、第1紧密部分，
所述第1疏松部分具有所述多个孔，
所述第1紧密部分具有比所述第1疏松部分的密度更高的密度，在所述第2方向上的尺寸小于在所述第2方向上的所述第1致密区域的尺寸，
所述多个第1疏松部分分别在所述第1方向上延伸，
所述第1紧密部分位于所述多个第1疏松部分的彼此之间，
所述第1疏松部分具有位于所述多个孔的彼此之间的第1壁部，
在与所述第1方向大致正交的第2方向上，所述第1壁部的尺寸的最小值小于所述第1紧密部分的尺寸的最小值。


5.根据权利要求1～4中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，在所述第2方向上，分别设置于所述多个第1疏松部分的所述多个孔的尺寸，比所述第1紧密部分的尺寸更小，及/或在所述第2方向上，分别设置于所述多个第2疏松部分的所述多个孔的尺寸，比所述第2紧密部分的尺寸更小。


6.根据权利要求1～5中...

【专利技术属性】
技术研发人员：白石纯，西愿修一郎，森达哉，渡边仁弘，佐佐木雄基，
申请(专利权)人：TOTO株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP