【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种传感器，尤其是涉及一种基于微机电系统(MEMS)技术，利用硅尖阵列的场致发射原理来测量真空度大小的微型真空传感器。
技术介绍
真空微电子器件是微电子技术、MEMS技术和真空电子学发展的产物，它是一种基于真空电子输运器件的新技术，它主要由场致发射阵列阴极、阳极、两电极之间的绝缘层和真空微腔组成。由于电子输运是在真空中进行的，因此具有极快的开关速度、非常好的抗辐照能力和极佳的温度特性。目前研究较多的真空微电子器件主要包括场发射显示器、场发射照明器件、真空微电子毫米波器件、真空微电子传感器等。随着真空微电子技术的飞速发展，真空微电子器件的广泛应用，越来越多的微电子器件和微机械系统需要在真空环境下工作，而且对真空度的要求也越来越高。而现有的真空封装技术会存在一定的残余压力，而且时间一长也会有密封失效的问题，然而封装内部的真空度又无法测量，因此将无法确保这些微电子器件和微机械系统是否在其设计的工作环境中工作。如果能将微型真空传感器集成到这些微电子器件和微机械系统中，那么可以随时监控这些器件的工作环境的真空度，从而可以得知这些真空微电子器件和微机电系统是...
【技术保护点】
真空传感器，其特征在于设有硅尖阵列发射阴极、金属阳极、玻璃衬底、发射腔体和电极引线，金属阳极溅射在玻璃衬底上，硅尖阵列发射阴极刻蚀在硅片上，刻蚀有硅尖阵列发射阴极的硅片与溅射有金属阳极的玻璃衬底键合在一起形成发射腔体，１对电极引线分别接硅尖阵列发射阴极和金属阳极，电极引线分别由硅片和阳极金属引出外接稳压电源。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙道恒，文尉任，王凌云，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：92[中国|厦门]
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