表面处理铜箔及覆铜积层板制造技术

本发明专利技术涉及一种表面处理铜箔，其于铜箔表面上具有硅烷化合物的表面处理层。该表面处理铜箔于通过TOF‑SIMS对硅烷化合物的表面处理层进行测定时，于选自由240.9～241.1、241.9～242.1、242.9～243.1、243.9～244.1、244.9～245.1、260.9～261.1、261.9～262.1及262.9～263.1所组成的群中的至少1个质量数(m/z)的位置检测到峰。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】表面处理铜箔及覆铜积层板
本专利技术涉及一种表面处理铜箔及覆铜积层板。
技术介绍
覆铜积层板于可挠性印刷配线板等各种用途中广泛使用。该可挠性印刷配线板是通过以下方式制造：蚀刻覆铜积层板的铜箔而形成导体图案(也称为“配线图案”)，于导体图案上利用焊料连接并安装电子零件。近年，于计算机、移动终端等电子机器中，随着通讯的高速化及大容量化，电气讯号向高频化发展，要求可与之应对的可挠性印刷配线板。尤其是由于电气讯号的频率越高频，则讯号功率的损失(衰减)越大，数据越容易变得无法读取，故而要求降低讯号功率的损失。电子电路中的讯号功率的损失可分为两大类。其一，导体损失，即铜箔引起的损失，其二，介电体损失，即树脂基材引起的损失。导体损失是由于在高频区域存在集肤效应，电流具有于导体的表面流通的特性，故而若铜箔表面较粗糙，则电流的流通路径变得复杂。因此，为了减少导体损失，期望减小铜箔的表面粗糙度。另一方面，由于介电体损失取决于树脂基材的种类，故期望使用由低介电常数材料(例如，液晶聚合物、低介电常数聚酰亚胺)所形成的树脂基材。另外，由于介电体损失也受到将铜箔与树脂基材之间接着的接着剂的影响，故期望铜箔与树脂基材之间不使用接着剂而接着。因此，为了不使用接着剂而将铜箔与树脂基材之间接着，提出对铜箔实施粗化处理、并于铜箔与树脂基材之间设置硅烷化合物的表面处理层的方法(例如，专利文献1)。铜箔的粗化处理由于在铜箔表面形成树木状的粗化粒子，故可通过投锚效应提高铜箔与树脂基材之间的接着性。[
技术介绍
文献][专利文献][专利文献1]日本特开2012-112009号公报
技术实现思路
[专利技术所欲解决的课题]然而，电沉积于铜箔表面的粗化粒子会增大因集肤效应而产生的导体损失，并会引起称为落粉的粗化粒子剥落的现象，因此期望减少电沉积于铜箔表面的粗化粒子。另一方面，若减少电沉积于铜箔表面的粗化粒子，则利用粗化粒子的投锚效应降低，无法充分获得铜箔与树脂基材的接着性。尤其是由液晶聚合物、低介电常数聚酰亚胺等低介电常数材料所形成的树脂基材较现有的树脂基材更难以与铜箔接着，因此要求提高铜箔与树脂基材之间的接着性的其他手段。另外，硅烷化合物的表面处理层虽具有提高铜箔与树脂基材之间的接着性的效果，但根据其种类，也存在接着性的提高效果不可说是充分的情况。本专利技术的实施形态是为了解决如上所述的问题而成的，其目的在于：提供一种能够提高与树脂基材、尤其是适用于高频用途的树脂基材的接着性的表面处理铜箔。另外，本专利技术的实施形态的目的在于：提供一种树脂基材、尤其是适用于高频用途的树脂基材与表面处理铜箔之间的接着性优异的覆铜积层板。[解决课题的技术手段]本专利技术者为了解决如上述的问题，经过努力研究其结果，发现于通过TOF-SIMS对硅烷化合物的表面处理层进行测定时检测到峰的位置(质量数：m/z)关系到硅烷化合物的表面处理层与树脂基材之间的接着性，从而完成本专利技术的实施形态的表面处理铜箔及覆铜积层板。即，本专利技术的实施形态的表面处理铜箔于铜箔表面上具有硅烷化合物的表面处理层，且于通过TOF-SIMS对上述硅烷化合物的表面处理层进行测定时，于选自由240.9～241.1、241.9～242.1、242.9～243.1、243.9～244.1、244.9～245.1、260.9～261.1、261.9～262.1及262.9～263.1所组成的群中的至少1个质量数(m/z)的位置检测到峰。另外，本专利技术的实施形态的覆铜积层板包含上述表面处理铜箔、及接合于上述表面处理铜箔的上述硅烷化合物的表面处理层上的树脂基材。[专利技术的效果]根据本专利技术的实施形态，能提供一种能够提高与树脂基材、尤其是适用于高频用途的树脂基材的接着性的表面处理铜箔。另外，根据本专利技术的实施形态，能提供一种树脂基材、尤其是适用于高频用途的树脂基材与表面处理铜箔之间的接着性优异的覆铜积层板。附图说明图1是实施例1及比较例1～2中所获得的表面处理铜箔的硅烷化合物的表面处理层的TOF-SIMS的质谱(质量数(m/z)于240～260的范围)。图2是实施例1及比较例1～2中所获得的表面处理铜箔的硅烷化合物的表面处理层的TOF-SIMS的质谱(质量数(m/z)于260～263.5的范围)。具体实施方式以下，就本专利技术的实施形态具体加以说明，然而，本专利技术不应限定于所述进行解释，只要不脱离本专利技术的要旨，可基于本领域的知识进行各种变更、改进等。各实施形态所揭示的多个构成要素可通过适当组合而形成各种专利技术。例如，可自各实施形态所揭示的总构成要素删除若干构成要素，也可适当组合不同的实施形态的构成要素。本专利技术的实施形态的表面处理铜箔于铜箔表面上具有硅烷化合物的表面处理层。在此，于本说明书中的“硅烷化合物的表面处理层”意指由硅烷化合物所形成的皮膜。另外，“铜箔”不仅指铜箔，也包括铜合金箔。本专利技术的实施形态的表面处理铜箔于通过TOF-SIMS(飞行时间二次离子质谱法)对硅烷化合物的表面处理层进行测定时，于选自由240.9～241.1、241.9～242.1、242.9～243.1、243.9～244.1、244.9～245.1、260.9～261.1、261.9～262.1及262.9～263.1所组成的群中的至少1个质量数(m/z)的位置检测到峰。详细的原因尚不明确，然而，若为于此种质量数的位置检测到峰的硅烷化合物的表面处理层，则能够提高表面处理铜箔对树脂基材的接着性。另外，240.9～241.1的质量数优选为241.03，241.9～242.1的质量数优选为242.03，242.9～243.1的质量数优选为243.03，243.9～244.1的质量数优选为244.05，244.9～245.1的质量数优选为245.05，260.9～261.1的质量数优选为261.01，261.9～262.1的质量数优选为262.01，262.9～263.1的质量数优选为263.03。作为硅烷化合物，只要为于通过TOF-SIMS对硅烷化合物的表面处理层进行测定时于上述质量数的位置检测到峰者，则并未特别限定。典型来说，硅烷化合物具有反应性官能基及水解性基。在此，于本说明书中的“反应性官能基”意指能够与树脂基材发生化学相互作用(例如，可列举利用凡得瓦力的相互作用、利用库伦力的相互作用，但并未限定于该等)的反应基。另外，“水解性基”意指经水分水解后能够与铜箔进行化学结合的反应基。作为硅烷化合物的反应性官能基，并未特别限定，就对树脂基材的接着性的观点来说，优选为于末端具有选自由胺基、(甲基)丙烯酰基、硫醇基(巯基)及环氧基中的至少1种。再者，“(甲基)丙烯酰基”意指丙烯酰基及甲基丙烯酰基的两者。作为硅烷化合物的水解性基，并未特别限定，可列举甲氧基、乙氧基、丙氧基等烷氧基；酰氧基等。其中，甲氧基、乙氧基、丙氧基等烷氧基由于提高树脂基材与表面处理铜箔之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种表面处理铜箔，其于铜箔表面上具有硅烷化合物的表面处理层，且/n于通过TOF-SIMS对上述硅烷化合物的表面处理层进行测定时，于选自由240.9～241.1、241.9～242.1、242.9～243.1、243.9～244.1、244.9～245.1、260.9～261.1、261.9～262.1及262.9～263.1所组成的群中的至少1个质量数(m/z)的位置检测到峰。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180329 JP 2018-0656681.一种表面处理铜箔，其于铜箔表面上具有硅烷化合物的表面处理层，且
于通过TOF-SIMS对上述硅烷化合物的表面处理层进行测定时，于选自由240.9～241.1、241.9～242.1、242.9～243.1、243.9～244.1、244.9～245.1、260.9～261.1、261.9～262.1及262.9～263.1所组成的群中的至少1个质量数(m/z)的位置检测到峰。


2.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，于选自由241.03、242.03、243.03、244.05、245.05、261.01、262.01及263.03所组成的群中的至少1个质量数(m/z)的位置检测到上述峰。


3.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，于240.9～241.1、241.9～242.1、242.9～243.1、243.9～244.1、244.9～245.1、260.9～261.1、261.9～262.1及262.9～263.1的质量数(m/z)的位置检测到上述峰。


4.如权利要求3所述的表面处理铜箔，其中，于241.03、242.03、243.03、244.05、245.05、261.01、262.01及263.03的质量数(m/z)...

【专利技术属性】
技术研发人员：大理友希，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP