一种基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体及其制备方法和光纤激光器技术

本发明专利技术提供了一种基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体，所述可饱和吸收体包括光波导以及设置在所述光波导表面的锡原子插层的三氧化钼纳米材料。本发明专利技术基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体中，α‑MoO

【技术实现步骤摘要】
一种基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体及其制备方法和光纤激光器
本专利技术涉及光纤激光器
，具体涉及一种基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体，本专利技术还涉及该基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体的制备方法，本专利技术还涉及一种包括上述基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体的光纤激光器。
技术介绍
超快脉冲激光器近年来发展迅速，应用于激光加工、太赫兹技术、纳米光电等方面。将可饱和吸收体插入谐振腔，或利用光纤中的克尔非线性效应(非线性偏振旋转或非线性放大环镜)可以产生超短脉冲。在工业上，半导体可饱和吸收材料(SESAMs)需要特殊的设计来实现特定波段的锁模激光器，但这些材料锁模频带窄、损伤阈值低、成本高，阻碍了其进一步发展。2009年首次报道了基于石墨烯的超快脉冲激光器，促进了二维(2D)材料在超快激光技术中的应用。目前，在锁模激光器中使用的二维材料有TMDs、MXenes、MOFs、钙钛矿等。尽管这些二维材料具有独特的结构和光学性质，但在光开关和集成电路中的应用仍然存在许多挑战。二维材料的饱和吸收特性是波长选择性的，这主要取决于二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体，其特征在于，所述可饱和吸收体包括光波导以及设置在所述光波导表面的锡原子插层的三氧化钼纳米材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体，其特征在于，所述可饱和吸收体包括光波导以及设置在所述光波导表面的锡原子插层的三氧化钼纳米材料。


2.如权利要求1所述的基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体，其特征在于，所述光波导为拉锥光纤、微纳光纤、D型光纤中的至少一种。


3.如权利要求2所述的基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体，其特征在于，所述光波导为拉锥光纤时，所述锡原子插层的三氧化钼纳米材料包覆于所述拉锥光纤的拉锥区的表面。


4.一种基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
制备插层初样品：提供MoO3纳米带分散液，将MoO3纳米带分散液添加到含有SnCl2和酒石酸的丙酮溶液中，60～80℃搅拌0.5～5h，收集沉淀物，洗涤、干燥，制得插层初样品；
制备锡原子插层的三氧化钼纳米分散液：将插层初样品、研磨、水浴超声，制得锡原子插层的三氧化钼纳米分散液；
制备基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体：将锡原子插层的三氧化钼纳米分散液滴加到光波导表面，干燥成型，制得基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体。


5.如权利要求4所述的基于插层锡原子的三氧化钼可饱和吸收体的制备方法，其特征在于，所述MoO3纳米带分散液的制备方法如下：
提供钼粉分散到去离子水中得到钼粉分散液，搅拌钼粉分散液过程中加入质量分数为10％～50％的H2O2溶液得到混合分散系，其中钼粉分散液与H2O2溶液的体积之比为10～3:1；
将混合分散系转移至高压釜中，170～190℃下保持10～30h，混合分散系经过滤、洗涤、干燥、溶解，制得MoO3纳米带分散液。...

【专利技术属性】
技术研发人员：林佳玫，
申请(专利权)人：深圳瀚光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44