显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种显示装置。该显示装置包括阵列基板、发光元件、绝缘层以及遮光层。发光元件与绝缘层配置于阵列基板上。遮光层配置于发光元件的周围且具有上表面，其中绝缘层覆盖遮光层的上表面，且在于垂直阵列基板的垂直方向上，绝缘层配置于遮光层与发元元件之间。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
本专利技术涉及一种装置，且特别涉及一种显示装置。
技术介绍
由于发光二极管(lightemittingdiode，LED)显示装置具有主动式发光、高亮度、高对比、低功耗等优势，因此近年来成为新型显示器大力发展的技术之一。为了满足高解析度的需求，发光二极管显示装置正朝向由主动元件阵列基板与阵列排列的微米尺寸的发光二极管组成的方向发展。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示装置，可改善发光元件彼此间所发出的光线互相干扰的问题。本专利技术的显示装置包括阵列基板、发光元件以及遮光层。发光元件配置于阵列基板上且具有第一上表面。遮光层配置于发光元件的周围且具有第二上表面，其中第一上表面与第二上表面在垂直阵列基板的方向上具有一距离，且所述距离介于0至5μm之间。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施方式，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1是本专利技术的第一实施方式的显示装置的局部剖面示意图；图2是本专利技术的第二实施方式的显示装置的局部剖面示意图；图3是本专利技术的第三实施方式的显示装置的局部剖面示意图；图4是本专利技术的第四实施方式的显示装置的局部上视示意图；图5是沿图4中的剖线A-A’的剖面示意图；图6是本专利技术的第五实施方式的显示装置的局部上视示意图；图7是沿图6中的剖线A-A’及剖线B-B’的剖面示意图；图8是本专利技术的第六实施方式的显示装置的局部剖面示意图；图9是本专利技术的第七实施方式的显示装置的局部剖面示意图；图10是本专利技术的第八实施方式的显示装置的局部剖面示意图；图11是本专利技术的第九实施方式的显示装置的局部剖面示意图。附图标记说明：100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i：显示装置；110：阵列基板；112：第一基板；142：第二基板；114：元件层；120、120c、120d：发光元件；122、122c、122d：发光结构；124、126、124c、126c、124d、126d：电极；130a：填充材料；130b：金属层；130c、130d：黑色矩阵；140：对向基板；150：光学密封层；160、180、200、320：绝缘层；170、190、210、220、230、240、250、270、280、300、310：导电结构；260、290：绝缘图案404c、904c1、904c2：第三电极；A：距离；B1：第一桥接线；B2：第二桥接线；BK：遮光图案层；CF：彩色滤光图案；D1、D2、D3：方向；E1：第一感测电极；E2：第二感测电极；H1、H2、H3：高度；O、Od：接触窗开口P：交错处；RSL：接收信号线；S1、S2：上表面；SL：信号线；SP：容置空间；TSL：驱动信号线；U：发光单元；WT：波长转换图案。具体实施方式在本文中，只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。在本文中，在一结构上方或在一结构上形成另一结构的描述可包括所述结构与所述另一结构形成为直接接触的实施例，且也可包括所述结构与所述另一结构之间可形成有额外结构使得所述结构与所述另一结构可不直接接触的实施例。为了提供可改善发光元件彼此间所发出的光线互相干扰的问题的显示装置，本专利技术提出包括遮光层的显示装置，其中遮光层配置于发光元件的周围，以及遮光层的高度H1与发光元件的高度H2符合以下关系式：1/2×H2≦H1≦H2+5μm或1/2×H2≦H1≦2×H2，或者发光元件的上表面与遮光层的上表面在垂直阵列基板的方向上具有介于0至5μm之间的距离。以下，特举各种实施方式详细描述本专利技术的显示装置，以作为本专利技术确实能够据以实施的范例。图1是本专利技术的第一实施方式的显示装置的局部剖面示意图。请参考图1，在本实施方式中，显示装置100a包括阵列基板110、多个发光元件120以及遮光层(遮光层举例为填充材料130a)。另外，在本实施方式中，显示装置100a还可包括对向基板140以及光学密封层150。在本实施方式中，阵列基板110包括第一基板112及配置于第一基板112上的元件层114。第一基板112的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或是金属等等。在本实施方式中，元件层114例如是主动元件层，可用以驱动多个发光元件120。基于此，元件层114可以是任何所属领域中技术人员所周知的任一种主动元件层。举例而言，在一实施方式中，元件层114可以由至少一绝缘层或是至少一导电层或是两者的组合所构成。具体而言，在一实施方式中，元件层114例如可包括多条扫描线、多条数据线、多个晶体管、多个电极以及多个电容器。从另一观点而言，在一实施方式中，阵列基板110例如是主动元件阵列基板。在另一实施方式中，阵列基板110例如是薄膜晶体管(TFT)阵列基板。多个发光元件120可配置于阵列基板110上。值得一提的是，虽然图1中揭示三个发光元件120，但任何所属领域中技术人员应可理解，多个发光元件120可阵列排列于阵列基板110上。多个发光元件120可位于阵列基板110与对向基板140之间。另外，在本实施方式中，发光元件120例如是覆晶式发光二极管。然而，本专利技术并不限于此。在其他实施方式中，发光元件120也可为垂直式发光二极管或有机发光二极管。发光元件120具体化可为红光发光二极管、绿光发光二极管、蓝光发光二极管或其他颜色的发光二极管。也就是说，发光元件120彼此间可具体化为发出不同色光，或者为发出相同色光。另一方面，在一实施方式中，发光元件120可以是微米等级的尺寸的发光二极管，其长宽可分别小于等于300μm且大于等于1μm。在其他实施方式中，发光元件120的长宽还可分别小于等于100μm且大于等于2μm、小于等于20μm且大于等于3μm或者小于等于10μm且大于等于5μm。详细而言，在本实施方式中，发光元件120可包括发光结构122、电极124以及电极126，其中电极124与电极126结构分离地配置于元件层114上，且发光结构122配置于电极124与电极126上。发光结构122可以是任何所属领域中技术人员所周知的任一种发光结构。举例而言，在一实施方式中，发光结构122例如可包括P型半导体层、多重量子井结构以及N型半导体层。电极124以及电极126分别可以是任何所属领域中技术人员所周知的任一种电极。举例而言，在一实施方式中，电极124例如是P型电极，而电极126例如是N型电极。另一方面，在本实施方式中，发光元件120可由阵列基板110的元件层114所驱动。详细而言，在本实施方式中，发光元件120是以覆晶的方式与元件层114电性连接，以使元件层114可驱动发光元件120。因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：/n阵列基板；/n发光元件，配置于所述阵列基板上；/n绝缘层，配置于所述阵列基板上；以及/n遮光层，配置于所述发光元件的周围，其中所述遮光层具有上表面，/n其中所述绝缘层覆盖所述遮光层的所述上表面，且在于垂直所述阵列基板的垂直方向上，所述绝缘层配置于所述遮光层与所述发光元件之间。/n

【技术特征摘要】
20160614 US 62/350,169;20160805 US 62/371,2461.一种显示装置，其特征在于，包括：
阵列基板；
发光元件，配置于所述阵列基板上；
绝缘层，配置于所述阵列基板上；以及
遮光层，配置于所述发光元件的周围，其中所述遮光层具有上表面，
其中所述绝缘层覆盖所述遮光层的所述上表面，且在于垂直所述阵列基板的垂直方向上，所述绝缘层配置于所述遮光层与所述发光元件之间。


2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述发光元件的上表面到所述阵列基板的最大距离与所述遮光层的所述上表面到所述阵列基板的最大距离的差值介于0～5μm之间。


3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
导电结构，配置于所述阵列基板上，其中所述发光元件包括电极，所述导电结构与所述电极电性连接。


4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
遮光图案层，位于对向基板上，其中所述遮光图案层的厚度大于所述遮光层的厚度。


5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述遮光图案层与所述遮光层之间具有一距离。


6.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述对向基板还包括第二基板与波长转换图案，其中所述波长转换图案配置于所述第二基板上。


7.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述遮光图案层垂直投影至所述阵列基板的投影面积小于所述绝缘层垂直投影至所述阵列基板的投影面积。


8.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，还包括：
光学密封层，配置于所述遮光图案层与所述遮光层之间。


9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
光学密封层，配置于所述发光元件上。

【专利技术属性】
技术研发人员：李冠锋，乐瑞仁，陈逸安，郑凯，林芳莹，谢朝桦，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71