一种低噪自激推挽式变换器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种低噪自激推挽式变换器，包括一电源模块、一输入端、一输出端和一变压器T1，输入端与变压器T1的原边线圈连接，输出端与变压器T1的副边线圈连接，电源模块分别与输入端和输出端连接供电，输入端包括一电容器C1、一电容器C2、一电阻R1、一辅助线圈、一三极管TR1、一三极管TR2、一到两个双向瞬态抑制二极管D3；输出电压的开关噪声明显降低；在原有的罗耶电路上仅作出细微修改，实现难度低，增加双向瞬态抑制二极管的数量，提升了电路的可靠性，在双向瞬态抑制二极管击穿的同时，会将一部分能量回馈给输入滤波电容，更加安全，增加双向瞬态抑制二极管的数量，在一定程度上提高了自激推挽式变换器的传输效率。

【技术实现步骤摘要】
一种低噪自激推挽式变换器
本技术属于推挽式变换器
，尤其涉及一种低噪自激推挽式变换器。
技术介绍
如CN203522544U公开的一种“低噪声自激推挽式变换器”，其在推挽三极管的发射极各自串联一个磁珠FB1和FB2，如图5所示，在低频段，阻抗由电感的感抗构成，低频时，电阻R很小，磁珠导磁率较高，电感量较大，电感L起到主要作用，电磁干扰被反射而受到抑制，并且这时磁珠的损耗较小，整个器件是一个低损耗、高功率因数特性的电感；在高频段，磁珠阻抗由电阻成分构成，随着频率升高，磁珠的导磁率降低，导致电感的电感L减小，感抗成分减小，磁珠的损耗增加，电阻成分增加，导致总的阻抗增加，当高频信号通过磁珠时，电磁干扰被吸收，并转换成热能的形式耗散掉，由此可见，本实施例中通过增加第一磁珠FB1和第二磁珠FB2可以减小NPN型三极管Q1和NPN型三极管Q2的电压应力，减小开关损耗，减低噪声输出，提高变换器工作效率。但是，这种方法的劣势在于磁珠的合理选择比较困难，另外在一定程度上会降低自激推挽式变换器的效率。
技术实现思路
>针对上述问题，本技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低噪自激推挽式变换器，其特征在于：包括一电源模块、一输入端、一输出端和一变压器T1，/n所述输入端与所述变压器T1的原边线圈连接，所述输出端与所述变压器T1的副边线圈连接，所述电源模块分别与所述输入端、所述输出端连接，/n所述输入端包括一电容器C1、一电容器C2、一电阻R1、一辅助线圈、一三极管TR1、一三极管TR2、一双向瞬态抑制二极管D3，/n所述电容器C1的两端接入所述电源模块，/n所述电阻R1的一端连接所述电源模块，所述电阻R1的另一端连接辅助线圈，/n所述电容器C2与所述电阻R1并联，/n所述三极管TR1的集电极、所述三极管TR2的集电极均与所述双向瞬态抑制二极管D3连接，/...

【技术特征摘要】
1.一种低噪自激推挽式变换器，其特征在于：包括一电源模块、一输入端、一输出端和一变压器T1，
所述输入端与所述变压器T1的原边线圈连接，所述输出端与所述变压器T1的副边线圈连接，所述电源模块分别与所述输入端、所述输出端连接，
所述输入端包括一电容器C1、一电容器C2、一电阻R1、一辅助线圈、一三极管TR1、一三极管TR2、一双向瞬态抑制二极管D3，
所述电容器C1的两端接入所述电源模块，
所述电阻R1的一端连接所述电源模块，所述电阻R1的另一端连接辅助线圈，
所述电容器C2与所述电阻R1并联，
所述三极管TR1的集电极、所述三极管TR2的集电极均与所述双向瞬态抑制二极管D3连接，
所述三极管TR1的发射极、所述三极管TR2的发射极均与所述电源模块连接，
所述三极管TR1的基极、所述三极管TR2的基极均与所述辅助线圈连接，
所述双向瞬态抑制二极管D3还与所述原边线圈连接，
所述原边线圈另一端与所述电源模块连接。


2.根据权利要求1所述的低噪自激推挽式变换器，其特征在于：所述电容器C1、所述三极管TR1的发射极、所述三极管TR2的发射极还保护接零。


3.根据权利要求1所述的低噪自激推挽式变换器，其特征在于：所述辅助线圈包括反馈绕组Nb1和反馈绕组Nb2，
所述反馈绕组Nb1的一端连接所述三极管TR2的基极，
所述反馈绕组Nb2的一端连接所述三极管TR1的基极，
所述辅助线圈的中心抽头连接至电阻R1。


4.根据权利要求1所述的低噪自激推挽式变换器，其特征在于：所述原边线圈包原边绕组Np1和原边绕组Np2，
所述原边绕组Np1的一端、所述原边绕...

【专利技术属性】
技术研发人员：白壮，杜广湘，杜玉甫，江泽鑫，钟柯佳，
申请(专利权)人：广州邦讯信息系统有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44