一种硅基阵列叠层太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种硅基阵列叠层太阳能电池，包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构，底电池结构包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底表面刻蚀制备竖直方向的纳米孔周期阵列结构四周设置SiO

【技术实现步骤摘要】
一种硅基阵列叠层太阳能电池
本技术涉及一种太阳能电池，尤其是涉及一种硅基阵列叠层太阳能电池。
技术介绍
太阳能是一种可再生的清洁能源，对于人类的可持续发展具有重要的意义。而太阳能电池直接将光能转化为电能，光电转换效率和制备成本是决定其工业化应用的关键因素。目前，硅基太阳能电池是太阳能电池的主流，占据了全球90％的光伏市场，硅基太阳能电池的效率已经达到25.6％，接近肖克利-奎伊瑟(Shockley-Queisser)极限效率(29.4％)，但制备成本居高不下。硅基太阳能电池的发展需要降低制备成本，同时提高电池的效率。由于太阳光谱的能量分布较宽，对于任何一种半导体材料只能吸收能量值大于其禁带宽度的光子。因此在硅基电池顶层叠加宽带隙光吸收材料构成叠层电池，在兼顾硅电池成熟工艺的同时，可以提高电池效率[M.A.Green.Prog.Photovoltatics2018,26,427]。目前已经报道的硅基叠层电池的理论极限效率可从29％提高到42.5％。钙钛矿太阳能电池采用具有钙钛矿结构的CH3NH3PbX3(X＝I,C,Br)作为光电转换材料，短短几年内其性能提升十分明显，从2009年的光电转换效率3.8％，发展至今效率可以高达22.1％。钙钛矿材料也被认为是最有潜力的下一代低成本太阳能电池光吸收材料。当钙钛矿的禁带宽度为1.55ev时，它可以吸收波长小于800nm的光子，而带隙为1.12ev的晶硅可以吸收太阳光谱中波长大于800nm的光子。当两者自上而下构成叠层电池时，二者吸收光谱互补，大大提高了太阳光谱的利用率，同时也降低了制备成本。香港理工大学研发的钙钛矿晶硅叠层太阳能电池，不仅成本比硅基电池降低了30.6％，而且效率达到了25.5％。公开号为CN109935690A的中国专利采用在低温下制备了隧道结和钙钛矿吸收层。通过简单的、低成本的溶液法制备的硅异质结/钙钛矿二电极的叠层太阳能电池效率最终能达到22.22％。公开号为CN209709024U的中国专利设计了一种双面受光钙钛矿/p型晶体硅基底叠层太阳电池，使作为基底的晶硅太阳电池背面可以吸收额外的散射光，对叠层器件的整体性能有一定的提升。虽然现有钙钛矿晶硅叠层电池的性能得到了显著提高，但还不能满足产业化的要求，因此非常有必要探索更优良的光吸收结构提高器件的光吸收，进而制备高性能的电池器件。
技术实现思路
本技术的一个目的是提供一种硅基阵列叠层太阳能电池，通过利用硅孔阵列优异的光捕获能力，解决叠层电池中长波长光子吸收效率、载流子的收集效率不高的问题，在提高光子吸收效率的同时提高光电流密度。本技术技术方案如下：一种硅基阵列叠层太阳能电池，包括底电池结构和顶电池结构，所述顶电池结构层叠于所述底电池结构之上，所述底电池结构包括n型单晶硅衬底，所述n型单晶硅衬底上表面的四周设置SiO2绝缘层以在所述n型单晶硅衬底的中央区域形成受光窗口，所述受光窗口区域的所述n型单晶硅衬底上刻蚀制备竖直方向的纳米孔周期阵列结构，在所述受光窗口区域的所述n型单晶硅衬底及所述纳米孔周期阵列结构的纳米孔内壁制备p型掺杂层，所述n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层；所述顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极，所述TiO2薄膜层层叠于所述SiO2绝缘层和所述p型掺杂层之上并填充嵌入所述纳米孔内；所述金属电极和所述金属薄膜层分别引出作为导电电极对外电路供电。优选的，所述纳米孔周期阵列结构的周期为200～900nm，所述纳米孔周期阵列结构的纳米孔的直径为50～800nm，深度为100～1000nm，所述纳米孔周期阵列结构的占空比为0.4～0.8。优选的，所述TiO2薄膜层的层叠于p型掺杂层表面的厚度为100～150nm。优选的，所述钙钛矿吸收层的厚度为100～500nm。优选的，所述空穴传输层为氧化镍、氧化钨、Spiro-OMeTAD之一，厚度为150～800nm。优选的，所述金属电极的材料为Au、Ag、Al、Gu、Pt之一，厚度为10～500nm。本技术所提供的技术方案的优点在于：利用陷光特性较好的硅孔阵列作为钙钛矿硅基阵列叠层太阳能电池的底电池结构，相对于平面硅结构，光吸收性能更好；相对于现有绒面陷光结构技术，硅孔阵列的表面更加平整，机械性能更稳定；以硅基纳米孔阵列作为底电池结构，利用周期纳米孔阵列优异的光吸收，利用孔阵列填充TiO2层提高电荷传输性能，综合提高了电池长波光子的利用效率，在兼容硅基电池工艺的同时提高了叠层太阳能电池的光电转换效率。附图说明图1为硅基阵列叠层太阳能电池的结构示意图。图2为制备后的硅孔阵列结构。图3为实施例1、2、3硅基阵列叠层太阳能电池的与平面结构钙钛矿硅基太阳能电池的光谱吸收对比图。图4为纳米孔周期阵列为不同周期时光电流密度折线图。图5为实施例4硅基阵列叠层太阳能电池的600nm光子作用下电场密度分布对比图。图6为实施例4硅基阵列叠层太阳能电池的900nm光子作用下电场密度分布对比图。图7为实施例5硅基阵列叠层太阳能电池的600nm光子作用下电场密度分布对比图。图8为实施例5硅基阵列叠层太阳能电池的900nm光子作用下电场密度分布对比图。图9为实施例6硅基阵列叠层太阳能电池的600nm光子作用下电场密度分布对比图。图10为实施例6硅基阵列叠层太阳能电池的900nm光子作用下电场密度分布对比图。图11为对比例平面结构钙钛矿硅基太阳能电池的600nm光子作用下电场密度分布对比图。图12为对比例平面结构钙钛矿硅基太阳能电池的900nm光子作用下电场密度分布对比图。具体实施方式下面结合实施例对本技术作进一步说明，但不作为对本技术的限定。实施例1，请参见图1及图2，首先n型单晶硅衬底1选取尺寸为8cm×8cm的n型直拉单晶硅片，厚度200μm，电阻率为1.6Ω·cm。清洗后利用匀胶机在硅衬底上旋涂银纳米胶体，转速为3200r/min，银纳米颗粒的直径为350nm；旋涂后的硅片浸入双氧水溶液中刻蚀，溶液的浓度为1.2mol/L，时间为0.5h，形成竖直方向的纳米孔周期阵列结构10；纳米孔周期阵列结构10的周期为800nm，纳米孔的直径为320nm，占空比0.4，深度为400nm，形成硅孔阵列后用硝酸溶液将银纳米颗粒除去。样品清洗并烘干后，经过氧化刻蚀工艺在n型单晶硅衬底1表面四周形成SiO2绝缘层3，位于SiO2绝缘层3中间的暴露区域为受光窗口，尺寸为5cm×5cm。经去离子水清洗干燥后，放置于扩散炉中，以BBr3液态硼源在1100℃下进行高温扩散制备p型掺杂层2形成发射区，构成PN结，BBr3浓度为12mg/cm3。p型掺杂层2覆盖于n型单晶硅衬底1表面及纳米孔内壁。样品清洗并烘干后，利用磁控溅射制备TiO2薄膜层4，以高纯TiO2靶材为原料，纯度99.99％，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基阵列叠层太阳能电池，包括底电池结构和顶电池结构，其特征在于，所述顶电池结构层叠于所述底电池结构之上，所述底电池结构包括n型单晶硅衬底，所述n型单晶硅衬底上表面的四周设置SiO

【技术特征摘要】
1.一种硅基阵列叠层太阳能电池，包括底电池结构和顶电池结构，其特征在于，所述顶电池结构层叠于所述底电池结构之上，所述底电池结构包括n型单晶硅衬底，所述n型单晶硅衬底上表面的四周设置SiO2绝缘层以在所述n型单晶硅衬底的中央区域形成受光窗口，所述受光窗口区域的所述n型单晶硅衬底上刻蚀制备竖直方向的纳米孔周期阵列结构，在所述受光窗口区域的所述n型单晶硅衬底及所述纳米孔周期阵列结构的纳米孔内壁制备p型掺杂层，所述n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层；所述顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极，所述TiO2薄膜层层叠于所述SiO2绝缘层和所述p型掺杂层之上并填充嵌入所述纳米孔内；所述金属电极和所述金属薄膜层分别引出作为导电电极对外电路供电。


2.根据权利要求1所述的硅基阵列叠层太阳能电池，其特征在于，所述纳米...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉申，况亚伟，张树德，魏青竹，倪志春，洪学鹍，钱洪强，
申请(专利权)人：常熟理工学院，
类型：新型
国别省市：江苏;32