电致电阻转变功能单元、加密存储器及其数据读出方法技术

本发明专利技术提供了一种电致电阻转变功能单元、加密存储器及其数据读出方法。该功能单元具有三明治结构，底电极与顶电极中的一个电极选用室温磁性导电材料，另一个电极选用非磁性导电材料，介质层选用具有电致电阻转变性质的非磁性材料；该功能单元具有独特的磁电性能：对功能单元施加不同方向的电场可以形成不同成分纳米导电细丝，并且不同成分的纳米导电细丝对磁场的响应行为不同。该功能单元在信息存储等技术领域具有应用前景，例如可作为加密存储单元实现数据的加密写入与解密读出。

【技术实现步骤摘要】
电致电阻转变功能单元、加密存储器及其数据读出方法
本专利技术属于信息处理技术与信息存储
，具体涉及电致电阻转变功能单元、加密存储器及其数据读出方法。
技术介绍
存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备，其主要功能是存储各种数据和程序，通常采用具有两种稳定状态(分别表示为“0”和“1”)的物理器件(存储单元)来实现存储功能。具有电致电阻转变性质的材料具有高阻、低阻双稳态阻值状态，可以利用这些材料的双稳态阻值状态实现数据信息的存储，通过测量材料的阻值状态，可以实现存储器件所存储的数据信息的读出。随着大数据时代来临，各行业数据规模呈爆发式增长，拥有高价值数据源在大数据产业链中占有至关重要的核心地位。若重要信息丢失或者被窃取，则将造成不可预估的损失。因此，数据加密和信息安全存储成为人们关注的核心问题和焦点。
技术实现思路
本专利技术人对具有“底电极/介质层/顶电极”三明治结构的电致电阻转变功能单元进行研究，发现：当底电极与顶电极中的一个电极选用室温磁性导电材料，另一个电极选用非磁性导电材料，介质层选本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.电致电阻转变功能单元，具有“底电极/介质层/顶电极”三明治结构，其特征是：底电极与顶电极中的一个电极选用室温磁性导电材料，另一个电极选用非磁性导电材料，介质层选用具有电致电阻转变性质的非磁性材料。/n

【技术特征摘要】
1.电致电阻转变功能单元，具有“底电极/介质层/顶电极”三明治结构，其特征是：底电极与顶电极中的一个电极选用室温磁性导电材料，另一个电极选用非磁性导电材料，介质层选用具有电致电阻转变性质的非磁性材料。


2.如权利要求1所述的电致电阻转变功能单元，其特征是：通过在底电极与顶电极之间施加不同方向的电压控制非磁性纳米导电细丝的形成或者磁性纳米导电细丝的形成。


3.如权利要求1所述的电致电阻转变功能单元，其特征是：通过调控底电极与顶电极之间施加的电压大小控制不同成分的纳米导电细丝的形成与断开，器件在高、低阻态间切换。


4.如权利要求2或3所述的电致电阻转变功能单元，其特征是：不同成分的纳米导电细丝对磁场的响应行为不同，存在不同的磁电阻效应。


5.如权利要求2或3所述的电致电阻转变功能单元，其特征是：所述室温磁性导电材料包括Ni、Co、Fe中的一种或两种；
作为优选，所述采用室温磁性导电材料的电极为薄膜状态。


6.如权利要求2或3所述的电致电阻转变功能单元，其特征是：所述非磁性导电材料包括Pt、Au、Cu中的一种或者几种金属；
作为优选，所述采用非磁性导电材料的电极为薄膜状态。


7.如权利要求2或3所述的电致电阻转变功能单元，其特征是：所述介质层包括半导体或绝缘体；
作为优选，所述介...

【专利技术属性】
技术研发人员：李润伟，叶晓羽，高双，谢卓琳，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：浙江;33