一种基于氮化硅叠层膜的N-PERT双面电池结构制造技术

本发明专利技术的目的在于公开一种基于氮化硅叠层膜的N‑PERT双面电池结构，对硅片依次进行制绒、硼扩散、刻蚀、离子注入磷、RCA清洗、退火、背面沉积SiNx薄膜、BOE清洗、正面镀Al2O3、正面镀SiNx薄膜、印刷和烧结制备而成；SiNx薄膜是由两种不同折射率ni(i＝1,2)、不同厚度xi(i＝1,2)的SiNx薄膜周期性排列形成的叠层膜结构，周期性排列的SiNx膜形成了光子晶体；与现有技术相比，通过PECVD方法沉积SiNx叠层结构，可以将穿透电池的长波长光反射回电池内部，提高电池的光利用率，从而使光电转换效率得到提升；通过基于光子晶体的慢光效应可增强电池的光吸收能力；特别适合薄片化电池，使得电池效率不受硅片厚度降低的影响；不需要购买新设备，仅通过改变SiNx薄膜的制备工艺即可实现。

【技术实现步骤摘要】
一种基于氮化硅叠层膜的N-PERT双面电池结构
本专利技术涉及一种双面电池结构，特别涉及一种基于氮化硅叠层膜的N-PERT双面电池结构。
技术介绍
随着平价上网的不断推进，以N-PERT为代表的N型高效光伏电池受到研究者和企业的关注。N-PERT电池具有少子寿命高，效率提升空间更大等优点，且可以与TOPCon技术很好的对接。通常情况下，常规P型太阳能电池对长波的吸收能力较差，导致长波光直接穿透电池而不能被有效吸收，降低了太阳能电池的光捕获率和转换效率。此外，随着平价上网的不断推进，硅片厚度减小是太阳能电池成本降低最直接有效的措施，但硅片厚度减薄会使长波的吸收损失更加明显，短路电流密度降低，从而影响N型太阳电池效率的提升。因此在晶硅电池的背面沉积一层能够调控入射长波长光的钝化薄膜，对改善电池的光利用率，进而提高电池的光电转换效率具有重要的意义。因此，特别需要一种基于氮化硅叠层膜的N-PERT双面电池结构，以解决上述现有存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基于氮化硅叠层膜的N-PERT本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于氮化硅叠层膜的N-PERT双面电池结构，其特征在于，对硅片依次进行制绒、硼扩散、刻蚀、离子注入磷、RCA清洗、退火、背面沉积SiNx薄膜、BOE清洗、正面镀Al2O3、正面镀SiNx薄膜、印刷和烧结制备而成；SiNx薄膜是由两种不同折射率ni(i＝1,2)、不同厚度xi(i＝1,2)的SiNx薄膜周期性排列形成的叠层膜结构，周期性排列的SiNx膜形成了光子晶体。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于氮化硅叠层膜的N-PERT双面电池结构，其特征在于，对硅片依次进行制绒、硼扩散、刻蚀、离子注入磷、RCA清洗、退火、背面沉积SiNx薄膜、BOE清洗、正面镀Al2O3、正面镀SiNx薄膜、印刷和烧结制备而成；SiNx薄膜是由两种不同折射率ni(i＝1,2)、不同厚度xi(i＝1,2)的SiNx薄膜周期性排列形成的叠层膜结构，周期性排列的SiNx膜形成了光子晶体。


2.如权利要求1所述的基于氮化硅叠层膜的N-PERT双面电池结构，其特征在于，第一种SiNx薄膜的厚度x1为10-100nm，折射率n1为1.5-1.8。


3.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨露，刘大伟，宋志成，倪玉凤，张天杰，
申请(专利权)人：国家电投集团西安太阳能电力有限公司，黄河水电西宁太阳能电力有限公司，青海黄河上游水电开发有限责任公司，国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61