一种氧化硅/氮化硅叠层膜的N-PERT双面电池结构制造技术

本发明专利技术的目的在于公开一种氧化硅/氮化硅叠层膜的N‑PERT双面电池结构，对硅片依次进行制绒、硼扩散、刻蚀、离子注入磷、RCA清洗、退火、背面沉积氮化硅膜、BOE清洗、正面镀氧化铝、正面沉积氧化硅/氮化硅叠层膜、印刷和烧结制作成电池；氧化硅/氮化硅叠层膜是由折射率n1、厚度x1的氧化硅薄膜和折射率n2、厚度x2的氮化硅薄膜周期性排列形成，周期性排列的氧化硅/氮化硅叠层膜形成光子晶体；与现有技术相比，通过PECVD方法沉积的叠层结构，可以增强入射光与电池的作用时间，提高电池的光利用率，从而使光电转换效率得到提升，散射效应可增强电池的光吸收能力；不需要购买新设备，仅通过改变现有氮化硅薄膜的制备工艺即可实现，实现本发明专利技术的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种氧化硅/氮化硅叠层膜的N-PERT双面电池结构
本专利技术涉及一种双面电池结构，特别涉及一种氧化硅/氮化硅叠层膜的N-PERT双面电池结构。
技术介绍
随着传统化石能源(煤、石油、天然气)的逐渐开采和使用，环境污染和能源危机问题越来越严重，太阳能由于储量丰富、安全、清洁、价格低廉等优点受到关注和广泛研究。近年来，光伏太阳能电池成本不断降低，成为取代火力发电的最佳候选者之一。N-PERT电池凭借高的体少子寿命、低光致衰减和大的效率提升空间等优势成为取代常规P型单晶电池的最有发展潜力的电池。通常在常规P型电池的正面沉积氮化硅薄膜起到减反射和钝化的效果。一方面，氮化硅膜层中的氢原子在烧结过程中扩散到SiOx/Si的界面，饱和界面处的悬挂键，极大地减少了界面态的缺陷密度，减少光生载流子的复合；此外，氮化硅膜层内含有大量的固定正电荷，可以很好地抑制正电荷向表面扩散，从而通过场钝化效应降低复合几率。N-PERT的正背面钝化对减少光生载流子的复合，进而提高电池效率具有重要意义。目前N-PERT电池的发射极钝化膜层由二氧化硅、氧化铝、氮化硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化硅/氮化硅叠层膜的N-PERT双面电池结构，其特征在于，对硅片依次进行制绒、硼扩散、刻蚀、离子注入磷、RCA清洗、退火、背面沉积氮化硅膜、BOE清洗、正面镀氧化铝、正面沉积氧化硅/氮化硅叠层膜、印刷和烧结制作成电池；氧化硅/氮化硅叠层膜是由折射率n1、厚度x1的氧化硅薄膜和折射率n2、厚度x2的氮化硅薄膜周期性排列形成，周期性排列的氧化硅/氮化硅叠层膜形成光子晶体。/n

【技术特征摘要】
1.一种氧化硅/氮化硅叠层膜的N-PERT双面电池结构，其特征在于，对硅片依次进行制绒、硼扩散、刻蚀、离子注入磷、RCA清洗、退火、背面沉积氮化硅膜、BOE清洗、正面镀氧化铝、正面沉积氧化硅/氮化硅叠层膜、印刷和烧结制作成电池；氧化硅/氮化硅叠层膜是由折射率n1、厚度x1的氧化硅薄膜和折射率n2、厚度x2的氮化硅薄膜周期性排列形成，周期性排列的氧化硅/氮化硅叠层膜形成光子晶体。


2.如权利要求1所述的氧化硅/氮化硅叠层膜的N-PERT双面电池结构，其特征在于，所述氧化硅薄膜的厚度x1为10-100nm，折射率n1为1.5-1.7。


3.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨露，刘大伟，宋志成，倪玉凤，张天杰，
申请(专利权)人：国家电投集团西安太阳能电力有限公司，黄河水电西宁太阳能电力有限公司，青海黄河上游水电开发有限责任公司，国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61