【技术实现步骤摘要】
氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法
本专利技术涉及晶体管生产领域，具体涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法。
技术介绍
高电子迁移率晶体管(HEMT)是一种三端电子器件，包括源极、栅极和漏极，作为功率电子器件，能够满足现代电子科技对高温、高频、高压、高功率以及抗辐射等高性能的要求，是目前国际上大力发展的前沿热点技术，也是我国能源发展中迫切需要的关键电力电子技术的核心技术。高电子迁移率晶体管的导通是通过源电极和漏电极间沟道层中的二维电子气来实现的，由栅电极来控制电流的导通或截止。现有技术中，常用一种氮化镓基高电子迁移率晶体管。这种氮化镓基高电子迁移率晶体管本身具有很高理论击穿电压值，但是实际上，作为功率开关器件的氮化镓基高电子迁移率晶体管的耐高压能力远不及理论计算的击穿电压值，这极大地限制了其在高压大功率领域的应用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法，能够提高氮化镓基高电子迁移率晶体管的击穿电压值。为了解决上述技术问题，以...
【技术保护点】
1.一种氮化镓基高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供衬底，所述衬底表面设置有堆叠结构，所述堆叠结构包括沟道层和势垒层；/n在所述堆叠结构的上表面形成导流装置，所述导流装置用于扩展所述氮化镓基高电子迁移率场效应管的沟道电场区域；/n在所述堆叠结构的上表面形成所述栅极、源极和漏极，且所述栅极的侧壁与所述导流装置接触。/n
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓基高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底，所述衬底表面设置有堆叠结构，所述堆叠结构包括沟道层和势垒层；
在所述堆叠结构的上表面形成导流装置，所述导流装置用于扩展所述氮化镓基高电子迁移率场效应管的沟道电场区域；
在所述堆叠结构的上表面形成所述栅极、源极和漏极，且所述栅极的侧壁与所述导流装置接触。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，所述栅极形成于所述源极和漏极之间，且所述导流装置位于所述栅极朝向所述漏极的一侧，制备所述栅极、源极和漏极时，包括以下步骤：
在所述堆叠结构上表面形成欧姆接触的源极和漏极；
在所述堆叠结构上表面形成肖特基接触的栅极。
3.根据权利要求2所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，形成所述导流装置时，包括以下步骤：
在所述堆叠结构的上表面形成导流层；
图形化所述导流层，形成所述导流装置。
4.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：闫发旺，王庆宇，赵倍吉，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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