驱动方法、驱动电路及显示装置制造方法及图纸

技术编号:25552163 阅读:27 留言:0更新日期:2020-09-08 18:52
本发明专利技术涉及一种驱动方法,应用于位于显示基板上的多个像素电路,显示基板包括衬底基板和设置于衬底基板的第一表面的绝缘层,多个像素电路包括位于绝缘层远离第一表面的一侧的第一像素电路,衬底基板的与第一表面相背设置的第二表面设置有焊盘,衬底基板和绝缘层之间设置有信号连接线,信号连接线的第一部分贯穿衬底基板与焊盘连接,信号连接线的一部分通过过孔与第一像素电路连接,第一像素电路包括驱动晶体管,驱动方法包括:根据信号连接线的电压信号获取驱动晶体管的阈值电压的漂移量;根据阈值电压的漂移量对写入第一像素电路的数据电压进行补偿,以使得第一像素电路的驱动电流为预设驱动电流。本发明专利技术还涉及一种驱动电路和显示装置。

【技术实现步骤摘要】
驱动方法、驱动电路及显示装置
本专利技术涉及显示产品制作
,尤其涉及一种驱动方法及显示基板。
技术介绍
为了节约常规Bonding(焊盘)位置,实现更窄的边框,用于拼接显示,Micro-LED显示常采用背面设置焊盘的技术,通过Sidewiring(接线)技术或打孔技术,将焊盘区域置于面板的背面,这样便能实现更窄的边框。Fanout走线(与焊盘连接的信号连接线)置于整个阵列基板的背板背面,位于Gate(栅线)、Data(数据线)信号线下方,Fanout走线通过通孔与栅线信号线、数据信号线相连,在阵列基板的背面设置焊盘,最大程度减小边缘走线占用的空间,实现更窄的边框,有利于Micro-LED屏幕的拼接。但该实现方式在具体实施过程中却存在问题,Fanout走线位于阵列基板的背面,当其刚好处于TFT(薄膜晶体管)下方或一定范围内,会变成TFT的底栅,Fanout走线上的信号会影响上方TFT器件特性,进而影响显示的均匀性。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本专利技术提供一种驱动方法及显示基板,解决由于与焊盘连接的信号连接线的存在影响薄膜晶体管的特性,进而影响显示均匀性的问题。为了达到上述目的,本专利技术实施例采用的技术方案是:一种驱动方法,应用于位于显示基板上的多个像素电路,所述显示基板包括衬底基板和设置于所述衬底基板的第一表面的绝缘层,多个所述像素电路包括位于所述绝缘层远离所述第一表面的一侧的第一像素电路,所述衬底基板的与所述第一表面相背设置的第二表面设置有焊盘,所述衬底基板和所述绝缘层之间设置有信号连接线,所述信号连接线的第一部分贯穿所述衬底基板与所述焊盘连接,所述信号连接线的一部分位于所述第一像素电路在所述衬底基板上的正投影内、并通过过孔与所述第一像素电路连接,所述第一像素电路包括驱动晶体管,所述驱动方法包括:根据所述信号连接线的电压信号获取所述驱动晶体管的阈值电压的漂移量;根据所述阈值电压的漂移量对写入所述第一像素电路的数据电压进行补偿,以使得所述第一像素电路的驱动电流为预设驱动电流。可选的,多个所述像素电路还包括第二像素电路,所述第二像素电路在所述衬底基板上的正投影内未设置所述信号连接线,所述驱动方法还包括:对所述第二像素电路写入预设数据电压,使得相应的所述驱动晶体管输出所述预设驱动电流。可选的,所述驱动方法还包括:判断所述像素电路为所述第一像素电路或所述第二像素电路;所述像素电路为所述第一像素电路时,进行以下步骤:根据所述信号连接线的电压信号获取所述驱动晶体管的阈值电压的漂移量;根据所述阈值电压的漂移量对写入所述第一像素电路的数据电压进行补偿,以使得所述第一像素电路的驱动电流为预设驱动电流;所述像素电路为所述第二像素电路时,进行以下步骤:对所述第二像素电路写入预设数据电压,使得相应的所述驱动晶体管输出所述预设驱动电流。可选的,所述驱动晶体管和对应的所述信号连接线形成双栅晶体管效应,所述驱动晶体管的阈值电压的漂移量ΔVth由以下公式(1)获得:ΔVth=a*Vfanout+b(1);其中,Vfanout为所述信号连接线的电压,a、b为模拟获得的相关常数。可选的,所述驱动方法还包括:对所述信号连接线施加不同的电压信号以获得信号连接线上的电压与相应的驱动晶体管的阈值电压的数据关系图;根据该数据关系图获得所述公式(1)中的a值和b值。可选的,对写入所述第一像素电路的数据电压进行补偿,以使得所述第一像素电路的驱动电流为预设驱动电流,包括:利用双栅晶体管的特性,根据ΔVth获取写入所述第一像素电路的实际数据电压Vdata′:Vdata′=Vdata+ΔVth,其中,Vdata为写入所述第一像素电路的预设数据电压;根据所述实际数据电压的获得实际驱动电流与预设驱动电流相同。本专利技术实施例还提供一种驱动电路,应用于上述的驱动方法,包括:阈值电压偏移量获取单元,用于根据所述信号连接线的电压信号获取所述驱动晶体管的阈值电压的漂移量;数据电压补偿单元,用于根据所述阈值电压的漂移量对写入所述第一像素电路的数据电压进行补偿,以使得所述第一像素电路的驱动电流为预设驱动电流。可选的,多个所述像素电路还包括第二像素电路,所述第二像素电路在所述衬底基板上的正投影内未设置所述信号连接线,所述驱动电路还包括处理单元,用于判断所述像素电路为所述第一像素电路或所述第二像素电路;若所述像素电路为所述第一像素电路,则控制所述阈值电压偏移量获取单元获取驱动晶体管的阈值电压偏移量,并控制所述数据电压补偿单元根据所述阈值电压的漂移量对写入所述第一像素电路的数据电压进行补偿;若所述像素电路为所述第二像素电路,则对所述像素电路写入预设数据电压,使得相应的驱动晶体管输出预设驱动电流。可选的,所述阈值电压偏移量获取单元用于根据以下公式获得所述驱动晶体管的阈值电压的漂移量ΔVth获得:ΔVth=a*Vfanout+b;Vfanout为信号连接线的电压,a、b为模拟测试获得的相关常数;所述数据电压补偿单元包括:实际数据电压获取子单元,用于利用双栅晶体管的特性,根据ΔVth获取写入所述第一像素电路的实际数据电压Vdata′:Vdata′=Vdata+ΔVth,其中,Vdata为写入所述第一像素电路的预设数据电压;实际驱动电流获取子单元,用于根据所述实际数据电压的获得实际驱动电流与预设驱动电流相同。本专利技术实施例还提供一种显示装置,包括上述的驱动电路。本专利技术的有益效果是:利用双栅晶体管的阈值电压可调的特性,对受与焊盘连接的信号连接线的影响的像素电路的数据电压进行补偿,避免亮度不均的问题。附图说明图1表示与焊盘连接的信号连接线与薄膜晶体管形成双栅结构的结构示意图;图2表示信号连接线与薄膜晶体管构成的等效双栅晶体管电路示意图;图3表示信号连接线与对应的像素电路的位置关系示意图;图4表示信号连接线与驱动晶体管的沟道之间的位置关系示意图一;图5表示信号连接线与驱动晶体管的沟道之间的位置关系示意图二;图6表示信号连接线与驱动晶体管的沟道之间的位置关系的截面示意图;图7表示信号连接线与驱动晶体管的沟道之间的距离为0.3um时,底栅电压与双栅晶体管的阈值电压的线性关系示意图;图8表示信号连接线与驱动晶体管的沟道之间的距离为0.5um时,底栅电压与双栅晶体管的阈值电压的线性关系示意图;图9表示信号连接线与驱动晶体管的沟道之间的距离为0.9um时,底栅电压与双栅晶体管的阈值电压的线性关系示意图;图10表示本专利技术实施例中的驱动方法流程示意图一;图11表示本专利技术实施例中的驱动方法流程示意图二。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本专利技术实施例的附图,对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种驱动方法,应用于位于显示基板上的多个像素电路,所述显示基板包括衬底基板和设置于所述衬底基板的第一表面的绝缘层,多个所述像素电路包括位于所述绝缘层远离所述第一表面的一侧的第一像素电路,所述衬底基板的与所述第一表面相背设置的第二表面设置有焊盘,所述衬底基板和所述绝缘层之间设置有信号连接线,所述信号连接线的第一部分贯穿所述衬底基板与所述焊盘连接,所述信号连接线的一部分位于所述第一像素电路在所述衬底基板上的正投影内、并通过过孔与所述第一像素电路连接,所述第一像素电路包括驱动晶体管,其特征在于,所述驱动方法包括:/n根据所述信号连接线的电压信号获取所述驱动晶体管的阈值电压的漂移量;/n根据所述阈值电压的漂移量对写入所述第一像素电路的数据电压进行补偿,以使得所述第一像素电路的驱动电流为预设驱动电流。/n

【技术特征摘要】
1.一种驱动方法,应用于位于显示基板上的多个像素电路,所述显示基板包括衬底基板和设置于所述衬底基板的第一表面的绝缘层,多个所述像素电路包括位于所述绝缘层远离所述第一表面的一侧的第一像素电路,所述衬底基板的与所述第一表面相背设置的第二表面设置有焊盘,所述衬底基板和所述绝缘层之间设置有信号连接线,所述信号连接线的第一部分贯穿所述衬底基板与所述焊盘连接,所述信号连接线的一部分位于所述第一像素电路在所述衬底基板上的正投影内、并通过过孔与所述第一像素电路连接,所述第一像素电路包括驱动晶体管,其特征在于,所述驱动方法包括:
根据所述信号连接线的电压信号获取所述驱动晶体管的阈值电压的漂移量;
根据所述阈值电压的漂移量对写入所述第一像素电路的数据电压进行补偿,以使得所述第一像素电路的驱动电流为预设驱动电流。


2.根据权利要求1所述的驱动方法,其特征在于,多个所述像素电路还包括第二像素电路,所述第二像素电路在所述衬底基板上的正投影内未设置所述信号连接线,所述驱动方法还包括:
对所述第二像素电路写入预设数据电压,使得相应的所述驱动晶体管输出所述预设驱动电流。


3.根据权利要求2所述的驱动方法,其特征在于,所述驱动方法还包括:
判断所述像素电路为所述第一像素电路或所述第二像素电路;
所述像素电路为所述第一像素电路时,进行以下步骤:
根据所述信号连接线的电压信号获取所述驱动晶体管的阈值电压的漂移量;
根据所述阈值电压的漂移量对写入所述第一像素电路的数据电压进行补偿,以使得所述第一像素电路的驱动电流为预设驱动电流;
所述像素电路为所述第二像素电路时,进行以下步骤:
对所述第二像素电路写入预设数据电压,使得相应的所述驱动晶体管输出所述预设驱动电流。


4.根据权利要求2所述的驱动方法,其特征在于,所述驱动晶体管和对应的所述信号连接线形成双栅晶体管效应,所述驱动晶体管的阈值电压的漂移量ΔVth由以下公式(1)获得:ΔVth=a*Vfanout+b(1);
其中,Vfanout为所述信号连接线的电压,a、b为模拟测试获得的相关常数。


5.根据权利要求4所述的驱动方法,其特征在于,所述驱动方法还包括:
对所述信号连接线施加不同的电压信号以获得信号连接线上的电压与相应的驱动晶体管的阈值电压的数据关系图;
根据该数据...

【专利技术属性】
技术研发人员:彭锦涛牛亚男秦斌史鲁斌高志坤赵娜
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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