一种高度集成化的减薄设备制造技术

本公开涉及一种高度集成化的减薄设备，包括：设备前端模块，设置在所述减薄设备的前端；磨削模块，设置在所述减薄设备的末端；抛光模块，设置在所述设备前端模块与所述磨削模块之间；所述抛光模块包括用于对化学机械抛光后的基板进行后处理的后处理单元，所述后处理单元包括沿所述减薄设备的宽度方向相邻设置的水平刷洗装置和单腔清洗装置。本公开通过将磨削、化学机械抛光和清洗干燥工艺相结合，提供了一种加工基板的最为经济有效的技术路线，结构紧凑、集成度高，可为超高密度的半导体堆叠制程提供技术保障，是半导体高密度封装发展等的重要组成。

【技术实现步骤摘要】
一种高度集成化的减薄设备
本公开涉及半导体基板加工
，尤其涉及一种高度集成化的减薄设备。
技术介绍
在集成电路/半导体(IntegratedCircuit，简称“IC”)制造的后道制程阶段，为了降低封装贴装高度，减小芯片封装体积，改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能，以及减轻芯片的加工量，基板在后续封装之前需要进行背面减薄，背面减薄后的芯片厚度甚至可以达到初始厚度的5％以下。随着IC制造技术的飞速发展，为了增大IC芯片产量，降低单元制造成本，基板趋向大直径化。而现有设备多用于加工小尺寸的基板，已不能满足加工大直径基板的要求。随着基板趋向大直径化，用于加工基板的设备也随之趋于大型化，往往超出可提供的场地面积，难于运输和安装。同时，随着IC性能的提高对基板品质提出了更高要求，要求基板的面型精度和表面完整性、表面粗糙度、表面损伤程度等都需符合很高的标准。但是，基板尺寸增大后带来基板容易产生翘曲变形、面型精度和表面粗糙度要求不易保证、加工效率低等一系列问题，现有的加工工艺和设备不能满足要求。并且，由于基板加工厂厂房造价高，对空本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高度集成化的减薄设备，其包括：/n设备前端模块，用于实现基板的进出，设置在所述减薄设备的前端；/n磨削模块，用于对所述基板进行粗磨削和精磨削，设置在所述减薄设备的末端；/n抛光模块，用于在完成磨削之后利用能够根据所述基板的厚度分布分区调节加载压力的承载头对所述基板进行化学机械抛光，所述抛光模块设置在所述设备前端模块与所述磨削模块之间；/n所述抛光模块包括用于对化学机械抛光后的基板进行后处理的后处理单元，所述后处理单元包括沿所述减薄设备的宽度方向相邻设置的水平刷洗装置和单腔清洗装置，其中，所述水平刷洗装置和单腔清洗装置具有一个共同的侧壁。/n

【技术特征摘要】
1.一种高度集成化的减薄设备，其包括：
设备前端模块，用于实现基板的进出，设置在所述减薄设备的前端；
磨削模块，用于对所述基板进行粗磨削和精磨削，设置在所述减薄设备的末端；
抛光模块，用于在完成磨削之后利用能够根据所述基板的厚度分布分区调节加载压力的承载头对所述基板进行化学机械抛光，所述抛光模块设置在所述设备前端模块与所述磨削模块之间；
所述抛光模块包括用于对化学机械抛光后的基板进行后处理的后处理单元，所述后处理单元包括沿所述减薄设备的宽度方向相邻设置的水平刷洗装置和单腔清洗装置，其中，所述水平刷洗装置和单腔清洗装置具有一个共同的侧壁。


2.根据权利要求1所述的减薄设备，其特征在于，所述设备前端模块包括位于设备前端的基板存储单元和用于取出基板的第一传输单元；
所述抛光模块还包括第二传输单元、第三传输单元、和化学机械抛光单元；
所述水平刷洗装置的相对两侧分别与第二传输单元和单腔清洗装置沿所述减薄设备的宽度方向相邻，水平刷洗装置的另一侧与第三传输单元沿所述减薄设备的长度方向相邻，水平刷洗装置的再一侧与所述第一传输单元相邻；
所述单腔清洗装置与化学机械抛光单元沿所述减薄设备的长度方向相邻。


3.根据权利要求2所述的减薄设备，其特征在于，所述第二传输单元位于所述减薄设备的长边一侧并分别与所述设备前端模块和所述磨削模块相邻；
所述第三传输单元分别与第二传输单元、水平刷洗装置、单腔清洗装置、和化学机械抛光单元均相邻。


4.根据权利要求2所述的减薄设备，其特征在于，所述水平刷洗装置的面对所述第三传输单元的侧壁上具有用于基板进...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵德文，刘远航，路新春，李长坤，吴云龙，
申请(专利权)人：清华大学，华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11