【技术实现步骤摘要】
一种砷化镓晶圆用划片刀修刀方法
本专利技术属于圆晶切割设备
,特别涉及一种砷化镓晶圆用划片刀修刀方法。
技术介绍
砷化镓作为最成熟的化合物半导体,基于砷化镓衬底的LED发光芯片在市场上出现大量需求。砷化镓晶圆在2017年的需求量为170万片,并且需求量逐年增长。砷化镓晶圆的划切,目前只有划片刀切割这一个成熟方案,因此划片刀目前具有很大的应用市场,并且增长动力强劲。目前市场上的划片刀,通常经过电解工序对划片刀磨料进行暴露处理,如CN108411355A的方式。虽然保证了刀刃两侧磨料都充分暴露,但电解后的刀片直接切割通常切割质量较差。因为电解后磨料的暴露程度太大,并不适合直接切割硅晶圆等硬脆材料,因此,在切割之前需要进行修刀。砷化镓晶圆用电镀划片刀,通常用极细粒度金刚石(4800#,5000#)规格刀片。这种粒度的划片刀,用常规的修刀方式,CN201610165551中的方法,用裸硅片进行修整,刀刃会直接脱落,造成严重破坏。目前的解决方法为将进刀速度40mm/s降为2mm/s,并且由于硅片对划片刀的 ...
【技术保护点】
1.一种砷化镓晶圆用划片刀修刀方法,其特征在于,包括:/n步骤1、将磨刀板用粘膜固定在划片机的吸盘上,将划片刀安装在划片机主轴上并测高;/n步骤2、启动划片机,划片刀旋转划切磨刀板,随着划切刀数的增加,切入磨刀板深度逐渐增大,进刀速度逐渐增大,共划切20~40刀;/n步骤3、取下磨刀板,将砷化镓假片用粘膜固定在划片机的吸盘上;/n步骤4、再次启动划片机,划片刀旋转划切砷化镓假片,随着划切刀数的增加,切入砷化镓假片深度逐渐增大,进刀速度逐渐增大,总共划切20~50刀;/n步骤5、将步骤4中划切之后的砷化镓假片取下,用显微镜进行测量,测量缝宽和正崩尺寸,如果缝宽和正崩都满足要求 ...
【技术特征摘要】
1.一种砷化镓晶圆用划片刀修刀方法,其特征在于,包括:
步骤1、将磨刀板用粘膜固定在划片机的吸盘上,将划片刀安装在划片机主轴上并测高;
步骤2、启动划片机,划片刀旋转划切磨刀板,随着划切刀数的增加,切入磨刀板深度逐渐增大,进刀速度逐渐增大,共划切20~40刀;
步骤3、取下磨刀板,将砷化镓假片用粘膜固定在划片机的吸盘上;
步骤4、再次启动划片机,划片刀旋转划切砷化镓假片,随着划切刀数的增加,切入砷化镓假片深度逐渐增大,进刀速度逐渐增大,总共划切20~50刀;
步骤5、将步骤4中划切之后的砷化镓假片取下,用显微镜进行测量,测量缝宽和正崩尺寸,如果缝...
【专利技术属性】
技术研发人员:闫贺亮,张迪,邵俊永,王战,乔帅,董峰,李媛媛,栗云慧,
申请(专利权)人:郑州磨料磨具磨削研究所有限公司,
类型:发明
国别省市:河南;41
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