高穿透性液晶显示面板及制备方法技术

一种高穿透性液晶显示面板及制备方法，所述高穿透性液晶显示面板包括：玻璃基板、第一缓冲层、遮光层、阻挡层、第二缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、源漏级金属层以及钝化层；所述遮光层形成在所述第一缓冲层上，且所述遮光层的关键尺寸小于所述第一缓冲层的关键尺寸；其中，所述第一缓冲层、所述第二缓冲层以及所述栅极绝缘层均为高穿透性的绝缘膜。本申请实施例在有源层底部设置高穿透性绝缘膜与阻挡金属离子膜形成的叠层结构，并且将开口区的缓冲层设置为高穿透性绝缘膜，在提高液晶显示面板的透过率的同时，降低了液晶显示面板的制作成本。

【技术实现步骤摘要】
高穿透性液晶显示面板及制备方法
本申请涉及显示
，尤其涉及一种高穿透性液晶显示面板及制备方法。
技术介绍
近年来，在薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidDisplay，TFT-LCD)逐渐往节电化、高清晰化及提高色再现性等项目进行开发。其中提高穿透性能以提升TFT-LCD的亮度并减少电力损耗，是各家面板厂都在想办法攻克的难关。TFT-LCD面板的穿透性是指背光源透过TFT-LCD面板前后的光强之比例。通常情况下TFT-LCD的透光率只有3-10％，也就是说超过90％的光是无法得到利用的。对于TFT来说，除了金属走线外，对穿透率影响较大的还有由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化铟锡(IndiumTinOxide，ITO)，平坦层等材料构成的多层膜结构。每层膜的折射率和厚度都会对多层膜的整体穿透率产生影响。因此，可以通过调节每层膜的膜质、厚度、膜层结构等参数来提高多层膜的穿透率。目前业界常用的低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)TFT的底层缓冲层由Si本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高穿透性液晶显示面板，其特征在于，所述高穿透性液晶显示面板包括：/n玻璃基板；/n第一缓冲层，形成在所述玻璃基板上；/n遮光层，形成在所述第一缓冲层上，所述遮光层的关键尺寸小于所述第一缓冲层的关键尺寸；/n阻挡层，形成在所述遮光层上；/n第二缓冲层，形成在所述阻挡层上；/n有源层，形成在所述第二缓冲层上；/n栅极绝缘层，形成在所述第一缓冲层上并完全覆盖所述遮光层、所述阻挡层、所述第二缓冲层以及所述有源层；/n栅极金属层，形成在所述栅极绝缘层上；/n源漏级金属层，形成在所述栅极绝缘层上，所述源漏级金属层通过过孔与所述有源层的两端相连接；/n钝化层，位于所述栅极绝缘层上，并完全覆盖所述栅极...

【技术特征摘要】
1.一种高穿透性液晶显示面板，其特征在于，所述高穿透性液晶显示面板包括：
玻璃基板；
第一缓冲层，形成在所述玻璃基板上；
遮光层，形成在所述第一缓冲层上，所述遮光层的关键尺寸小于所述第一缓冲层的关键尺寸；
阻挡层，形成在所述遮光层上；
第二缓冲层，形成在所述阻挡层上；
有源层，形成在所述第二缓冲层上；
栅极绝缘层，形成在所述第一缓冲层上并完全覆盖所述遮光层、所述阻挡层、所述第二缓冲层以及所述有源层；
栅极金属层，形成在所述栅极绝缘层上；
源漏级金属层，形成在所述栅极绝缘层上，所述源漏级金属层通过过孔与所述有源层的两端相连接；
钝化层，位于所述栅极绝缘层上，并完全覆盖所述栅极金属层以及所述源漏级金属层；
其中，所述第一缓冲层、所述第二缓冲层以及所述栅极绝缘层均为高穿透性的绝缘膜。


2.根据权利要求1所述的高穿透性液晶显示面板，其特征在于，所述高穿透性的绝缘膜的材料为SiOx。


3.根据权利要求1所述的高穿透性液晶显示面板，其特征在于，所述遮光层通过湿法刻蚀工艺制备。


4.根据权利要求3所述的高穿透性液晶显示面板，其特征在于，所述遮光层的材料为Mo。


5.根据权利要求1所述的高穿透性液晶显示面板，其特征在于，所述遮光层、所述阻挡层以及所述第二缓冲层的关键尺寸均相同，所述有源层的关键尺寸小于所述第二缓冲层的关键尺寸。


6.根据权利要求1所述的高穿透性液晶显示面板，其特征在于，所述阻挡层的材料为SiNx，所述有源层的材料为多晶硅，所述栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗成志，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42