【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
在半导体
中，晶体管作为最基本的半导体器件目前正被广泛应用。鳍式场效应晶体管是一种新的互补式金属氧化物半导体(CMOS)晶体管，可以改善电路控制并减少漏电流、缩短晶体管的闸长，可以大大地提高芯片处理速度以及大幅度降低功耗，因此可运用到各种半导体器件的电路中，比如CMOS反相器电路及其他电路。现有技术中，由于集成电路的制造向超大规模集成电路发展，其内部的电路密度越来越大，随着芯片中所含元件数量的不断增加，需要采用多层金属导线设计，利用多层绝缘层和导电层相互叠加的多层连接，才能将各个组件进行电连接从而发挥所期望的功能，这时就需要制作大量的导电结构。以现有的鳍式场效应晶体管工艺为例，需要在源区、漏区以及栅极上形成导电结构，以实现鳍式场效应晶体管在集成电路中的多层金属导线互连。然而，采用现有的鳍式场效应晶体管形成的半导体结构，半导体结构性能较差。
技术实现思路
本专利技术解...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n衬底，所述衬底包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域和第二区域分别位于所述第三区域两侧，且所述第三区域两侧分别与第一区域和第二区域相邻，所述第一区域上具有第一鳍部，所述第二区域上具有第二鳍部，所述第三区域上具有第三鳍部，所述第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部相互平行，所述衬底上具有隔离层，所述隔离层还位于所述第一鳍部部分侧壁表面、第二鳍部部分侧壁表面及第三鳍部部分侧壁表面，且所述隔离层表面低于所述第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部的顶部表面；/n位于所述第一鳍部上的第一外延层；/n位于所述第二鳍部上的第二外延层；/n位于所述第三鳍部上的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域和第二区域分别位于所述第三区域两侧，且所述第三区域两侧分别与第一区域和第二区域相邻，所述第一区域上具有第一鳍部，所述第二区域上具有第二鳍部，所述第三区域上具有第三鳍部，所述第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部相互平行，所述衬底上具有隔离层，所述隔离层还位于所述第一鳍部部分侧壁表面、第二鳍部部分侧壁表面及第三鳍部部分侧壁表面，且所述隔离层表面低于所述第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部的顶部表面；
位于所述第一鳍部上的第一外延层；
位于所述第二鳍部上的第二外延层；
位于所述第三鳍部上的第三外延层，所述第三外延层的两侧分别与第一外延层和第二外延层相接触；
位于所述第一外延层、第二外延层和第三外延层上的导电结构。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：横跨所述第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部的伪栅极结构，且所述伪栅极结构位于第一鳍部的部分侧壁和顶部表面、第二鳍部的部分侧壁和顶部表面和第三鳍部的部分侧壁和顶部表面。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一鳍部的数量为大于等于1个；所述第二鳍部的数量为大于等于1个；所述第三鳍部的数量为大于等于1个。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一外延层材料包括磷硅，所述第二外延层材料包括硅锗；所述第三外延层的材料为第一外延层和第二外延层材料中的任一种或两种的组合。
5.一种形成如权利要求1至4任一项半导体结构的方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域和第二区域位于所述第三区域两侧，且所述第三区域与第一区域和第二区域相邻，所述第一区域上具有第一鳍部，所述第二区域上具有第二鳍部，所述第三区域上具有第三鳍部，所述第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部相互平行，所述衬底上和第一鳍部、第二鳍部及第三鳍部侧壁表面具有隔离层，所述隔离层表面低于所述鳍部的顶部表面；
在所述第一鳍部上形成第一外延层；
在所述第二鳍部上形成第二外延层；
在所述第三鳍部上形成第三外延层，所述第三外延层的两侧分别与第一外延层和第二外延层相接触；
在所述第一外延层、第二外延层和第三外延层上形成导电结构。
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一外延层的方法包括：在所述隔离层、第二鳍部和第三鳍部上形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜，在第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：王楠，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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