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一种半导体结构及形成方法，结构包括：衬底，衬底包括第一区域、第二区域和第三区域，第一区域和第二区域位于第三区域两侧且与第三区域相邻，第一区域上有第一鳍部，第二区域上有第二鳍部，第三区域上有第三鳍部，第一鳍部、第二鳍部和第三鳍部相互平行，衬底...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。