等离子处理方法以及等离子处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供等离子处理方法及其处理装置，在对使用了含硼的无定形碳膜的层叠膜进行蚀刻时，通过实现高选择比、高蚀刻速率而能够进行连贯加工，通过简化掩模成膜工序来实现包括前后工序在内的高处理量化，进而具有垂直加工的形状控制性。本发明专利技术是通过对具有含硼的无定形碳膜的层叠膜进行等离子蚀刻来形成掩模的等离子处理方法，其特征在于，使用氧气、含氟气体、卤素气体和四氟化硅气体的混合气体或者氧气、含氟气体、卤素气体和四氯化硅气体的混合气体来对所述含硼的无定形碳膜进行等离子蚀刻。

【技术实现步骤摘要】
等离子处理方法以及等离子处理装置本申请是申请号为“201780000763.8”，申请日为2017年1月31日，专利技术名称为“等离子处理方法以及等离子处理装置”之申请的分案申请。
本专利技术涉及使用与半导体制造相关的等离子来对样品进行处理的等离子处理方法及其装置。
技术介绍
在具有三维结构的闪速存储器(3D-NAND等)的栅极制造工序中，伴随着器件的大容量化，如专利文献1公开的那样，多晶硅膜与硅氧化膜的配对层总数不断增加到48层、72层、96层、120层，等离子蚀刻加工的高纵横比化正在进展中。过去以来，在对这些层叠膜进行蚀刻时，将图案形成后的光致抗蚀剂膜(PR)、防反射膜(BottomAnti-ReflectionCoat：BARC)和无定形碳膜(AmorphousCarbonLayer：ACL，以下称作ACL膜)的层叠膜作为蚀刻掩模来使用，但是伴随着高纵横比化，无定形碳膜的掩模的厚度不足逐渐明显化了。因此，在ACL膜中掺杂(含有)硼元素(B)，采用含有使耐等离子性得到提升的硼的B-DopedACL膜。在对现有的ACL本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子处理方法，通过对具有含硼的无定形碳膜的层叠膜进行等离子蚀刻来形成掩模，所述等离子处理方法的特征在于，/n使用氧气、含氟气体、卤素气体和四氯化硅气体的混合气体来对所述含硼的无定形碳膜进行等离子蚀刻，/n所述含氟气体是NF

【技术特征摘要】
20160328 JP 2016-0629771.一种等离子处理方法，通过对具有含硼的无定形碳膜的层叠膜进行等离子蚀刻来形成掩模，所述等离子处理方法的特征在于，
使用氧气、含氟气体、卤素气体和四氯化硅气体的混合气体来对所述含硼的无定形碳膜进行等离子蚀刻，
所述含氟气体是NF3气体或SF6气体。


2.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其特征在于，
所述卤素气体是Cl2气体、HBr气体或HI气体。


3.一种等离子处理方法，通过对具有含硼的无定形碳膜的层叠膜进行等离子蚀刻来形成掩模，所述等离子处理方法的特征在于，
使用氧气、含氟气体、卤素气体和四氯化硅气体的混合气体来对所述含硼的无定形碳膜进行等离子蚀刻，
所述卤素气体是HBr气体或HI气体。


4.根据权利要求3所述的等离子处理方法，其特征在于，
所述含氟气体是CHF3气体、CH2F2气体、CH3F气体、NF3气体、CF4气体或SF6气体。


5.一种等离子处理方法，通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺仓聪志，森政士，荒濑高男，岩濑拓，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：日本;JP