一种基于速度调控的双断口异构灭弧室制造技术

技术编号:25526114 阅读:52 留言:0更新日期:2020-09-04 17:15
本发明专利技术属于电力设备领域,涉及一种基于速度调控的双断口异构灭弧室。双断口真空断路器的电压分布主要由过零时的断口等效电容决定和低压侧的杂散电容决定。为了实现电压均衡分布,需要在双断口两端并联均压电容。但均压电容会增加弧后电流,限制双断口真空开关的开断能力。本专利设计了一种基于速度调控的双断口异构灭弧室,通过改变触头结构,减少均压电容的使用。实现不同开断情况下的电压均衡分布。可以采用两种方式来实现:(1)采用不同速度分断时,加快高压侧的分闸速度;(2)采用相同速度分断时,同时提高两个断口的分闸速度。

【技术实现步骤摘要】
一种基于速度调控的双断口异构灭弧室
本专利技术属于电力设备领域,涉及一种基于速度调控的双断口异构灭弧室。
技术介绍
多断口真空间隙串联可以充分发挥真空断路器绝缘恢复速度快、低碳环保等优点,但存在断口电压分布不均的问题,在断口两端并联过大的均压电容会增加弧后电流,限制双断口真空开关的开断能力。本专利技术设计了一种基于速度调控的双断口异构灭弧室,减少均压电容的使用。多断口断路器动态电压分布特性是指在断路器开断短路电流时,各个断口分担总电压的情况。由于各个断口间存在电弧,因而动态电压分布特性不仅与等效电容参数与杂散电容参数有关,还与弧后的特性存在密切的关系。当电力系统中产生短路电流后,多断口断路器开断过程中,根据各断口间承受电压情况的机理不同,其大致可以分为两个阶段,一是弧后介质恢复初期,断口间的分压特性主要由弧后电阻决定,该阶段称为电弧控制阶段。随着电弧能量的减弱,弧阻逐渐增大,当弧阻增大到一定值后,断口间的分压特性由断口本身电容和对地杂散电容决定,称之为介质控制阶段,等效电路如图1所示。图中R1(t),R2(t)为弧后电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于速度调控的双断口异构灭弧室,其特征在于,包括高压侧端盖(1)、高压侧波纹管(2)、高压侧波纹管屏蔽罩(3)、高压侧动触头(4)、高压侧屏蔽罩(5)、静触头(6)、中间隔板(7)、陶瓷外壳(8)、低压侧屏蔽罩(9)、低压侧动触头(10)、低压侧波纹管屏蔽罩(11)、低压侧波纹管(12)和低压侧端盖(13);/n所述的高压侧端盖(1)和低压侧端盖(13)分别与陶瓷外壳(8)左右两端相连接,构成内部真空密封空间;/n所述的高压侧动触头(4)内置于内部真空密封空间,高压侧动触头(4)的左端穿过高压侧端盖(1),并在与高压侧端盖(1)相连的根部外套高压侧波纹管(2);高压侧波纹管屏蔽罩(3)...

【技术特征摘要】
1.一种基于速度调控的双断口异构灭弧室,其特征在于,包括高压侧端盖(1)、高压侧波纹管(2)、高压侧波纹管屏蔽罩(3)、高压侧动触头(4)、高压侧屏蔽罩(5)、静触头(6)、中间隔板(7)、陶瓷外壳(8)、低压侧屏蔽罩(9)、低压侧动触头(10)、低压侧波纹管屏蔽罩(11)、低压侧波纹管(12)和低压侧端盖(13);
所述的高压侧端盖(1)和低压侧端盖(13)分别与陶瓷外壳(8)左右两端相连接,构成内部真空密封空间;
所述的高压侧动触头(4)内置于内部真空密封空间,高压侧动触头(4)的左端穿过高压侧端盖(1),并在与高压侧端盖(1)相连的根部外套高压侧波纹管(2);高压侧波纹管屏蔽罩(3)套在高压侧波纹管(2)的外部;静触头(6)为高压侧静触头与低压侧静触头的结合体,静触头(6)与高压侧动触头(4)、低压侧动触头(10)处于相同轴心;中间隔板(7)为绝缘材料制成,外套在的连接杆上,内接于陶瓷外壳...

【专利技术属性】
技术研发人员:廖敏夫张豪符一凡董华庆段雄英邹积岩
申请(专利权)人:大连理工大学
类型:发明
国别省市:辽宁;21

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