基于磁滞模型的含非线性永磁电磁机构有限元仿真方法技术

本发明专利技术公开了一种基于磁滞模型的含非线性永磁电磁机构有限元仿真方法，所述方法为：S1：建立永磁体实际充退磁过程有限元仿真模型，并对磁感应强度矢量分布进行仿真；S2：确定永磁体不同区域的磁化方向；S3：建立非线性永磁体磁滞模型；S4：对非线性永磁体非饱和充磁下的磁滞回线进行建模，从而得到非线性永磁体非饱和充磁情况下的B‑H曲线；S5：基于FLUX，建立永磁体电磁机构的仿真模型，将B‑H曲线设置为模型中永磁体材料参数，再对所需求的各项继电器电磁参数进行仿真。本发明专利技术为现有的含非线性永磁电磁机构提供了一种可靠准确的仿真计算方法，该方法也可应用于其他含复杂充磁情况或复杂形状非线性永磁的电磁机构仿真计算中。

【技术实现步骤摘要】
基于磁滞模型的含非线性永磁电磁机构有限元仿真方法
本专利技术属于电磁机构仿真方法领域，涉及一种基于磁滞模型的含非线性永磁体电磁机构有限元仿真分析方法。
技术介绍
近些年来，电磁机构朝着小型化、低功耗、高灵敏度的方向发展，永磁体的引进可以有效解决这些问题。含永磁电磁机构的计算精度是保证此类电磁机构设计与优化达到预期效果的前提和基础，这就使得研究含永磁电磁机构的建模计算十分必要。在含永磁电磁机构中，其中部分电磁机构使用了非线性永磁体以获得更加优良的性能。永磁体在生产过程通常会经过先充磁后退磁的过程，对于非线性永磁来说，通常采用的计算方法是根据回复线模型对退磁后的永磁体B-H曲线进行分段线性等效，但由于回复线模型本身也是对非线性永磁实际工作点迁移轨迹的等效，因此仍存在较大误差。
技术实现思路
为了解决现有技术存在的上述问题，本专利技术提供了一种基于磁滞模型的含非线性永磁电磁机构有限元仿真方法。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：一种基于磁滞模型的含非线性永磁电磁机构有限元仿真方法，运用磁滞建模方法，得本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于磁滞模型的含非线性永磁电磁机构有限元仿真方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：/nS1：根据永磁体实际充退磁过程情况，建立永磁体实际充退磁过程有限元仿真模型，并对永磁体中磁感应强度矢量分布进行仿真；/nS2：根据仿真结果，确定永磁体不同区域的磁化方向；/nS3：建立非线性永磁体磁滞模型，其中永磁体部分根据充退磁仿真结果，将永磁体依据磁化方向的不同进行分段建模；/nS4：根据非线性永磁体磁滞模型，对非线性永磁体非饱和充磁状态下的磁滞回线进行建模，从而得到非线性永磁体非饱和充磁状态下的B-H曲线；/nS5：基于有限元仿真软件FLUX，建立永磁体电磁机构的仿真模型，将得到的B-H曲线设置...

【技术特征摘要】
1.一种基于磁滞模型的含非线性永磁电磁机构有限元仿真方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：
S1：根据永磁体实际充退磁过程情况，建立永磁体实际充退磁过程有限元仿真模型，并对永磁体中磁感应强度矢量分布进行仿真；
S2：根据仿真结果，确定永磁体不同区域的磁化方向；
S3：建立非线性永磁体磁滞模型，其中永磁体部分根据充退磁仿真结果，将永磁体依据磁化方向的不同进行分段建模；
S4：根据非线性永磁体磁滞模型，对非线性永磁体非饱和充磁状态下的磁滞回线进行建模，从而得到非线性永磁体非饱和充磁状态下的B-H曲线；
S5：基于有限元仿真软件FLUX，建立永磁体电磁机构的仿真模型，将得到的B-H曲线设置为该仿真模型中永磁体材料参数，再对所需求的各项继电器电磁参数进行仿真。


2.根据权利要求1所述的基于磁滞模型的含非线性永...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊方圆，由佳欣，冯祥东，涂瑞，史利兵，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23