一种基于MXene/C制造技术

本发明专利技术提供了一种基于MXene/C

【技术实现步骤摘要】
一种基于MXene/C3N4材料复合结构的光子二极管及其制备方法和应用
本专利技术涉及光子器件领域，具体涉及一种基于MXene/C3N4材料复合结构的光子二极管，本专利技术还涉及基于MXene/C3N4材料复合结构的光子二极管的制备方法以及该基于MXene/C3N4材料复合结构的光子二极管在光量子计算领域的应用。
技术介绍
自石墨烯材料被发现以来，各种拥有独特新颖性能的二维材料被相继发现报道，这其中就包括二维MXene纳米材料，MXene并非一种材料，而是一系列材料的总称，目前已报道的MXene材料超过70种，它非天然存在，而是从MAX相材料中通过化学手段获得，通式为Mn+1AXn，其中M代表过渡族金属，A为Ⅳ族元素，X为碳或者氮。通过化学刻蚀的方法将元素“A”从MAX相材料中刻蚀掉，即可得到相应的梳状结构材料，最后通过超声获得二维层状结构MXene材料，其通式为Mn+1XnTx,“Tx”是刻蚀后附着在MXene材料表面上的一些官能团(-F,-OH,-O)。二维材料具有各种与体材料完全不同的优异的物理化学特性，是未来工业化，信息化实现小本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于MXene/C

【技术特征摘要】
1.一种基于MXene/C3N4材料复合结构的光子二极管，其特征在于，包括正面Mxene层和反面C3N4层，所述正面Mxene层与反面C3N4层叠加在一起；
所述正面Mxene层及反面C3N4层均设置成透光层。


2.如权利要求1所述的基于MXene/C3N4材料复合结构的光子二极管，其特征在于，所述正面Mxene层包括第一透明容器以及容置于第一透明容器中的Mxene分散液，所述反面C3N4层包括第二透明容器以及容置于第二透明容器中的C3N4分散液。


3.如权利要求2所述的基于MXene/C3N4材料复合结构的光子二极管，其特征在于，所述第一透明容器及第二透明容器均为比色皿。


4.如权利要求3所述的基于MXene/C3N4材料复合结构的光子二极管，其特征在于，所述比色皿的厚度为1mm、2mm、5mm或者10mm。


5.如权利要求2所述的基于MXene/C3N4材料复合结构的光子二极管，其特征在于，所述Mxene分散液及C3N4分散液中的溶剂均为乙醇、异丙醇、甲基吡咯烷酮及去离子水中的一种或者多种的混合。


6.如权利要求1所述的基于MXene/C3N4材料复合结构的光子二极管，其特征在于，所述正面Mxene层为Mxene薄膜，所述反面C3N4层为C3N4薄膜。


7.如权利要求6所述的基于MXene/C3N4材料复合结构的光子二极管，其特征在于，所述Mxene薄膜为MXene/PMMA薄膜、MXene/PVA薄膜和MXene/PVP薄膜中的一种，所述C3N4薄膜为C3N4/PMMA薄膜、C3N4/PVA薄膜和C3N4/PVP薄膜中的一种。


8.一种基于MXene/C3N4材料复合结构的光子二极管的制备方法，其特征在于，提供正面Mxene层和反面C3N4层，将正面Mxene层与反面C3N4层叠加在一起，得到基于MXene/C3N4材料复合结构的光子二极管；

【专利技术属性】
技术研发人员：李金瑛，吴雷明，康建龙，
申请(专利权)人：深圳瀚光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44