【技术实现步骤摘要】
陶瓷电子器件、安装基板、包装体以及制造方法
本专利技术的某个方面涉及一种陶瓷电子器件、安装基板、陶瓷电子器件的包装体以及陶瓷电子器件的制造方法。
技术介绍
当将交流电压施加到诸如安装在安装基板上的层叠陶瓷电容器之类的陶瓷电子器件上时,由于电致伸缩而发生膨胀和收缩。因此,由膨胀和收缩引起的振动被传导到安装基板。在这种情况下,会发生声音噪声现象。公开了一种作为用于抑制声音噪声的方法的技术,其中,陶瓷电子器件中的下覆盖层(安装基板侧的覆盖层)比上覆盖层更厚(例如,参见日本专利申请公开第2013-251522号)。另外可选地,公开了一种作为用于抑制声音噪声的方法的技术,其中,在陶瓷电子器件的下侧(在安装基板侧)设置扩大内部电极之间的间隔的低电容区域(例如,参见日本专利申请公开第2016-127045号)。为了在安装基板侧布置厚的下覆盖层或低电容区域,辨别陶瓷电子器件的上下,并将其包装在包装体中。另外可选地,公开了一种技术,其中在下覆盖层的表面上设置具有不同颜色的可辨别层(例如,参见日本专利申请公开第2014-072515号) ...
【技术保护点】
1.一种陶瓷电子器件,包括:/n层叠芯片,具有层叠结构和覆盖层,所述层叠结构具有其中多个电介质层的每一个和多个内部电极层的每一个交替地层叠的结构,所述电介质层的主要成分是陶瓷,所述层叠结构具有长方体形状,所述多个内部电极层交替地露出于所述层叠结构的第一端面和第二端面,所述第一端面与所述第二端面相对,所述覆盖层设置在所述层叠结构在所述层叠结构的层叠方向上的上表面和下表面上,所述覆盖层的主要成分是陶瓷,/n第一外部电极,设置在所述第一端面上;和/n第二外部电极,设置在所述第二端面上,/n其中,在所述层叠结构的两个侧面中,第一区域的颜色与在层叠方向上和所述第一区域不同的第二区域的颜色不同。/n
【技术特征摘要】
20190225 JP 2019-0318001.一种陶瓷电子器件,包括:
层叠芯片,具有层叠结构和覆盖层,所述层叠结构具有其中多个电介质层的每一个和多个内部电极层的每一个交替地层叠的结构,所述电介质层的主要成分是陶瓷,所述层叠结构具有长方体形状,所述多个内部电极层交替地露出于所述层叠结构的第一端面和第二端面,所述第一端面与所述第二端面相对,所述覆盖层设置在所述层叠结构在所述层叠结构的层叠方向上的上表面和下表面上,所述覆盖层的主要成分是陶瓷,
第一外部电极,设置在所述第一端面上;和
第二外部电极,设置在所述第二端面上,
其中,在所述层叠结构的两个侧面中,第一区域的颜色与在层叠方向上和所述第一区域不同的第二区域的颜色不同。
2.根据权利要求1所述的陶瓷电子器件,
其中,所述层叠结构在层叠方向上的不同区域中包括高电容区域和低电容区域,
其中,所述第一区域是所述高电容区域的侧面,
其中,所述第二区域是所述低电容区域的侧面。
3.根据权利要求2所述的陶瓷电子器件,其中,所述低电容区域中的电介质层比所述高电容区域中的电介质层更厚。
4.根据权利要求3所述的陶瓷电子器件,其中,所述低电容区域中的电介质层的厚度是所述高电容区域中的电介质层的厚度的三倍以上。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的陶瓷电子器件,其中,所述高电容区域的电介质层中的烧结助剂的浓度大于所述低电容区域的电介质层中的烧结助剂的浓度。
6.根据权利要求5所述的陶瓷电子器件,
其中,所述烧结助剂包括硅,
其中,所述高电容区域的Si浓度是所述低电容区域的Si浓度的1.5倍以上,并且是所述低电容区域的Si浓度的10倍以下。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的陶瓷电子器件,其中,所述高电容区域的电介质层中的稀土元素的浓度小于所述低电容区域的电介质层中的稀土元素的浓度。
8.根据权利要求2至7中任一项所述的陶瓷电子器件,其中,在所述低电...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。