AMOLED像素补偿驱动电路、方法及显示面板技术

本申请提供一种AMOLED像素补偿驱动电路、方法及显示面板，该AMOLED像素补偿驱动电路采用7T1C结构，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、存储电容和有机发光二极管，其中，第一晶体管为驱动晶体管。前级扫描信号Sn‑1、当前行扫描信号和控制信号相组合，先后作用于该AMOLED像素补偿驱动电路的复位阶段、阈值电压补偿阶段及发光阶段，最终使得流经有机发光二极管的电流与第一晶体管T1的阈值电压Vth无关，从而能够消除第一晶体管的阈值电压Vth发生漂移对流经有机发光二极管的电流的影响，可以用于解决显示面板存在的TFT电学特性不均匀性和不稳定性问题。

【技术实现步骤摘要】
AMOLED像素补偿驱动电路、方法及显示面板
本申请实施例涉及显示
，尤其涉及一种AMOLED像素补偿驱动电路、方法及显示面板。
技术介绍
有机发光二极管显示面板(OLED，OrganicLightEmittingDisplay)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、色彩鲜艳、对比度高、宽视角、响应速度快、功耗低等优点，已发展成为最具有发展潜力的显示面板。OLED显示面板依据其驱动方式，可分为被动矩阵OLED(PMOLED，PassiveMatrxiOLED)和主动矩阵OLED(AMOLED，ActiveMatrxiOLED)，其中，由于AMOLED显示面板的耗电量明显小于PMOLED显示面板，因此AMOLED显示面板技术的发展较为广泛，有望取代液晶显示技术成为下一代主流的显示技术。AMOLED显示面板采用独立的薄膜晶体管TFT(ThinFilmTransistor)去控制每个像素，且对应每一像素都有一电容用于存储数据，让每一像素能维持在发光状态。参考图1，图1为现有的2T1C结构的像素驱动电路图，其包括一个开关薄膜晶体管T本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种AMOLED像素补偿驱动电路，其特征在于，包括：第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)、第三晶体管(T3)、第四晶体管(T4)、第五晶体管(T5)、第六晶体管(T5)、第七晶体管(T7)、存储电容和有机发光二极管；/n所述第一晶体管(T1)的栅极电性连接第一节点(G)，源极电性连接第三节点(Q)，漏极连接第二节点(P)；/n所述第二晶体管(T2)的栅极接入当前行扫描信号(Sn)，源极电性连接所述第三节点(Q)，漏极接入数据电压Vdata；/n所述第三晶体管(T3)的栅极接入当前行扫描信号(Sn)，源极电性连接第一节点(G)，漏极电性连接所述第二节点(P)；/n所述第四晶体管(T4)的栅...

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED像素补偿驱动电路，其特征在于，包括：第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)、第三晶体管(T3)、第四晶体管(T4)、第五晶体管(T5)、第六晶体管(T5)、第七晶体管(T7)、存储电容和有机发光二极管；
所述第一晶体管(T1)的栅极电性连接第一节点(G)，源极电性连接第三节点(Q)，漏极连接第二节点(P)；
所述第二晶体管(T2)的栅极接入当前行扫描信号(Sn)，源极电性连接所述第三节点(Q)，漏极接入数据电压Vdata；
所述第三晶体管(T3)的栅极接入当前行扫描信号(Sn)，源极电性连接第一节点(G)，漏极电性连接所述第二节点(P)；
所述第四晶体管(T4)的栅极接入前级扫描信号(Sn-1)，源级接入所述第一节点(G)，漏极接入初始化电压(Vi)；
所述第五晶体管(T5)的栅极接入发光控制信号(EM)，源极接入当前行扫描信号(Sn)，漏极电性连接所述第三节点(Q)；
所述第六晶体管(T5)的栅极接入发光控制信号(EM)，源极电性连接第二节点(P)，漏极电性连接第四节点(W)；
所述第七晶体管(T7)的栅极接入当前行扫描信号(Sn)，源极初始化电压(Vi)，漏极电性连接第四节点(W)；
所述存储电容的一端接入参考电压Vref，另一端电性连接所述第一节点(G)；
所述有机发光二极管的阳极电性连接所述第四节点(W)，阴极端接入电源负电压(VSS)。


2.如权利要求1所述的AMOLED像素补偿驱动电路，其特征在于，所述AMOLED像素补偿驱动电路的运行流程包括复位阶段(A1)、阈值电压补偿阶段(A2)及发光阶段(A3)；
在所述复位阶段(A1)，所述第四晶体管(T4)打开，所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T5)和所述第七晶体管(T7)关闭；
在所述阈值电压补偿阶段(A2)，所述第一晶体管(T1)、所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)和所述第七晶体管(T7)打开，所述第四晶体管(T4)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T5)关闭；
在所述发光阶段(A3)，所述第一晶体管(T1)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T5)打开，所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)、所述第四晶体管(T4)和所述第七晶体管(T7)关闭。


3.如权利要求2所述的AMOLED像素补偿驱动电路，其特征在于，所述第一晶体管(T1)、所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)、所述第四晶体管(T4)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T5)和所述第七晶体管(T7)均为(P)型薄膜晶体管；
在所述复位阶段(A1)，所述前级扫描信号(Sn-1)为低电位，所述当前行扫描信号(Sn)和所述发光控制信号(EM)为高电位；
在所述阈值电压补偿阶段(A2)，所述当前行扫描信号(Sn)为低电位，所述前级扫描信号(Sn-1)和所述发光控制信号(EM)为高电位；
在所述发光阶段(A3)，所述发光控制信号(EM)为低电位，所述当前行扫描信号(Sn)和所述前级扫描信号(Sn-1)为高电位。


4.如权利要求2所述的AMOLED像素补偿驱动电路，其特征在于，所述第一晶体管(T1)、所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)、所述第四晶体管(T4)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T5)和所述第七晶体管(T7)均为N型薄膜晶体管；
在所述复位阶段(A1)，所述前级扫描信号(Sn-1)为高电位，所述当前行扫描信号(Sn)和所述发光控制信号(EM)为低电位；
在所述阈值电压补偿阶段(A2)，所述当前行扫描信号(Sn)为高电位，所述前级扫描信号(Sn-1)和所述发光控制信号(EM)为低电位；
在所述发光阶段(A3)，所述发光控制信号(EM)为高电位，所述当前行扫描信号(Sn)和所述前级扫描信号(Sn-1)为低电位。


5.如权利要求2所述的AMOLED像素补偿驱动电路，其特征在于，所述第一晶体管(T1)、所述第二晶体管(T...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏浩，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42